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8-इंच SIC एपिटैक्सियल भट्ठी और होमोपिटैक्सियल प्रक्रिया अनुसंधान

लेख सिलिकॉन, GaAs, SiC और GaN जैसे सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट वेफर्स के भौतिक गुणों का विश्लेषण करता है

यह लेख मुख्य रूप से GAN- आधारित कम-तापमान वाले एपिटैक्सियल तकनीक का वर्णन करता है, जिसमें GAN- आधारित सामग्रियों की क्रिस्टल संरचना, 3। एपिटैक्सियल प्रौद्योगिकी आवश्यकताओं और कार्यान्वयन समाधान, पीवीडी सिद्धांतों के आधार पर कम तापमान वाले एपिटैक्सियल प्रौद्योगिकी के फायदे, और कम-तापमान एपिटैक्सियल तकनीक के विकास की संभावनाएं शामिल हैं।