वीटेक सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए टैंटलम कार्बाइड कोटिंग सामग्री का अग्रणी निर्माता है। हमारे मुख्य उत्पाद प्रस्तावों में सीवीडी टैंटलम कार्बाइड कोटिंग पार्ट्स, सीआईसी क्रिस्टल विकास या सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी प्रक्रिया के लिए सिंटेड टीएसी कोटिंग पार्ट्स शामिल हैं। ISO9001 उत्तीर्ण, VeTek सेमीकंडक्टर का गुणवत्ता पर अच्छा नियंत्रण है। वीटेक सेमीकंडक्टर पुनरावृत्त प्रौद्योगिकियों के चल रहे अनुसंधान और विकास के माध्यम से टैंटलम कार्बाइड कोटिंग उद्योग में प्रर्वतक बनने के लिए समर्पित है।
मुख्य उत्पाद हैं TaC कोटेड गाइड रिंग, CVD TaC कोटेड थ्री-पेटल गाइड रिंग, टैंटलम कार्बाइड TaC कोटेड हाफमून, CVD TaC कोटिंग प्लैनेटरी SiC एपीटैक्सियल ससेप्टर, टैंटलम कार्बाइड कोटिंग रिंग, टैंटलम कार्बाइड कोटेड पोरस ग्रेफाइट, TaC कोटिंग रोटेशन ससेप्टर, टैंटलम कार्बाइड रिंग, TaC कोटिंग रोटेशन प्लेट, TaC कोटेड वेफर ससेप्टर, TaC कोटेड डिफ्लेक्टर रिंग, CVD TaC कोटिंग कवर, TaC कोटेड चक आदि, शुद्धता 5ppm से कम है, ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा कर सकते हैं।
TaC कोटिंग ग्रेफाइट एक मालिकाना रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) प्रक्रिया द्वारा टैंटलम कार्बाइड की एक महीन परत के साथ उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह को कोटिंग करके बनाया जाता है। लाभ नीचे चित्र में दिखाया गया है:
टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग ने 3880°C तक के अपने उच्च पिघलने बिंदु, उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ति, कठोरता और थर्मल झटके के प्रतिरोध के कारण ध्यान आकर्षित किया है, जिससे यह उच्च तापमान आवश्यकताओं के साथ यौगिक अर्धचालक एपिटॉक्सी प्रक्रियाओं का एक आकर्षक विकल्प बन गया है, जैसे कि Aixtron MOCVD प्रणाली और LPE SiC एपिटॉक्सी प्रक्रिया। इसका PVT विधि SiC क्रिस्टल विकास प्रक्रिया में भी व्यापक अनुप्रयोग है।
प्रमुख विशेषताऐं
● थर्मल शॉक के उत्कृष्ट प्रतिरोध के साथ 2500 डिग्री सेल्सियस तक तापमान स्थिरता।
● अति-उच्च शुद्धता (<5पीपीएम) और न्यूनतम कण उत्पादन के लिए ग्रेफाइट के साथ मजबूत आसंजन।
● कठोर प्रक्रिया वातावरण में H₂, NH₃, SiH₄ और Si वाष्प के लिए बेहतर प्रतिरोध।
● 750 मिमी व्यास तक की आकार क्षमता के साथ अनुरूप कोटिंग कवरेज, चीन में विशिष्ट रूप से उपलब्ध है।
उत्पाद विशिष्टता
वीटेक सेमीकंडक्टर टैंटलम कार्बाइड कोटिंग का पैरामीटर:
| TaC कोटिंग के भौतिक गुण |
| घनत्व |
14.3 ग्राम/सेमी³ |
| कठोरता |
2000 एच.के |
| थर्मल विस्तार |
6.3×10⁻⁶/K |
| प्रतिरोध |
1×10⁻⁵ ओम·सेमी |
| तापीय स्थिरता |
<2500°C |
| कोटिंग की मोटाई |
≥20μm (सामान्य 35±10μm) |
सूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर कार्बाइड (TaC) कोटिंग:
TaC कोटिंग EDX डेटा：
TaC कोटिंग क्रिस्टल संरचना डेटा：
| तत्व |
परमाणु प्रतिशत |
|
|
पं. 1 |
पं. 2 |
पं. 3 |
औसत |
| सी के |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| ता एम |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
अनुप्रयोग
सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं की विविध आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए, VeTek लक्षित टैंटलम कार्बाइड कोटिंग उत्पाद प्रदान करता है। निम्नलिखित तालिका उन्हें प्रमुख अनुप्रयोग क्षेत्रों, विशिष्ट घटकों और लागू प्रक्रियाओं को सूचीबद्ध करके वर्गीकृत करती है:
| आवेदन क्षेत्र |
विशिष्ट उत्पाद |
आवेदन विवरण |
| SiC एपिटैक्सी |
सीवीडी टीएसी लेपित ग्रहीय रिसेप्टर,TaC लेपित वेफर सुसेप्टर,TaC लेपित गाइड रिंग
|
उच्च तापमान वाली SiC एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं (उदाहरण के लिए, LPE विधि) के लिए उपयुक्त, फिल्म एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए उच्च तापीय स्थिरता और कम-संदूषण इंटरफ़ेस प्रदान करता है। |
| GaN / LED एपिटैक्सी (MOCVD) |
शावर हेड, सैटेलाइट डिस्क, मास्किंग रिंग, हीट शील्ड, इंजेक्शन नोजल |
Aixtron MOCVD सिस्टम के लिए उपयुक्त, H₂/NH₃ संक्षारण प्रतिरोधी, कण संदूषण को कम करने और LED एपिटैक्सियल उपज में सुधार। |
| SiC क्रिस्टल ग्रोथ (पीवीटी विधि) |
TaC लेपित झरझरा ग्रेफाइट,TaC लेपित हाफमून,मार्गदर्शक अंगूठी,ढकना,चक
|
PVT SiC इनगोट वृद्धि में उपयोग किया जाता है, 2500°C तक सहन करता है, ग्रेफाइट प्रतिक्रियाओं को रोकता है, और क्रिस्टल शुद्धता सुनिश्चित करता है। |
| उच्च तापमान तापन एवं सहायक घटक |
आगमनात्मक ताप संग्राहक,प्रतिरोधक ताप तत्व, वेफर वाहक
|
प्रेरण या प्रतिरोधी हीटिंग सिस्टम के लिए उपयुक्त, उच्च कठोरता और थर्मल शॉक प्रतिरोध की पेशकश, घटक जीवन काल को 3-5 गुना तक बढ़ाता है। |
अधिक विस्तृत प्रक्रिया मिलान समाधानों के लिए, कृपया देखेंसिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सीसंबंधित एप्लिकेशन पृष्ठ.
हम ग्राहकों की आवश्यकताओं के आधार पर अनुकूलित सेवाओं का समर्थन करते हैं। अच्छी गुणवत्ता नियंत्रण के साथ ISO9001 उत्तीर्ण।
आगे परामर्श के लिए हमसे संपर्क करने या संदेश छोड़ने के लिए आपका स्वागत है
