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सीवीडी टीएसी लेपित सुसेप्टर
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सीवीडी टीएसी लेपित सुसेप्टर

वीटेक सीवीडी टीएसी कोटेड ससेप्टर एक सटीक समाधान है जो विशेष रूप से उच्च प्रदर्शन वाले एमओसीवीडी एपिटैक्सियल विकास के लिए विकसित किया गया है। यह 1600 डिग्री सेल्सियस के अत्यधिक उच्च तापमान वाले वातावरण में उत्कृष्ट तापीय स्थिरता और रासायनिक जड़ता प्रदर्शित करता है। VETEK की कठोर सीवीडी जमाव प्रक्रिया पर भरोसा करते हुए, हम वेफर विकास एकरूपता में सुधार करने, मुख्य घटकों की सेवा जीवन का विस्तार करने और सेमीकंडक्टर उत्पादन के आपके हर बैच के लिए स्थिर और विश्वसनीय प्रदर्शन गारंटी प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

उत्पाद परिभाषा और संरचना


VETEK CVD TaC कोटेड ससेप्टर एक उच्च-स्तरीय वेफर वाहक घटक है जो विशेष रूप से तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर (SiC, GaN, AlN) एपिटैक्सियल प्रसंस्करण के लिए उपयोग किया जाता है। यह उत्पाद दो उच्च-प्रदर्शन सामग्रियों के भौतिक लाभों को जोड़ता है:


उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सब्सट्रेट: सब्सट्रेट में बेहतर संरचनात्मक ताकत, उच्च घनत्व और थर्मल प्रोसेसिंग स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए एक आइसोस्टैटिक प्रेसिंग मोल्डिंग प्रक्रिया का उपयोग किया जाता है।

सीवीडी टीएसी कोटिंग: उन्नत रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) तकनीक के माध्यम से ग्रेफाइट सतह पर एक घनी, तनाव मुक्त टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) सुरक्षात्मक परत उगाई जाती है।



मुख्य तकनीकी लाभ: असाधारण चरम पर्यावरण अनुकूलनशीलता


MOCVD प्रक्रिया में, TaC कोटिंग न केवल एक भौतिक सुरक्षात्मक परत है, बल्कि प्रक्रिया की पुनरावृत्ति सुनिश्चित करने का मूल भी है:


अत्यधिक उच्च तापमान के प्रति सहनशीलता: TaC का गलनांक 3880°C तक होता है, जो 1600°C से ऊपर अति-उच्च तापमान एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में भी उत्कृष्ट आकार स्थिरता बनाए रखता है।

उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध: NH₃(अमोनिया) या H₂(हाइड्रोजन) युक्त मजबूत अपचायक वातावरण में, TaC की संक्षारण दर बेहद कम है, जो प्रभावी रूप से सब्सट्रेट हानि और अशुद्धता वर्षा को रोकती है।

अति-उच्च शुद्धता की गारंटी: कोटिंग की शुद्धता 99.9995% तक है। इसकी घनी संरचना पूरी तरह से ग्रेफाइट माइक्रोप्रोर्स को सील कर देती है, जिससे यह सुनिश्चित होता है कि एपिटैक्सियल फिल्म बेहद कम अशुद्धता स्तर तक पहुंचती है।

सटीक तापीय क्षेत्र वितरण: VETEK की अनुकूलित कोटिंग नियंत्रण तकनीक यह सुनिश्चित करती है कि ससेप्टर सतह के तापमान का अंतर ±2°C के भीतर नियंत्रित हो, जिससे वेफर एपिटैक्सियल परत की मोटाई और तरंग दैर्ध्य स्थिरता में काफी सुधार होता है।


तकनीकी मापदंड


TaC कोटिंग के भौतिक गुण
परियोजना
पैरामीटर
घनत्व
14.3 (ग्राम/सेमी³)
विशिष्ट उत्सर्जन
0.3
थर्मल विस्तार गुणांक
6.3 10-6/के
कठोरता (एचके)
2000 एच.के
प्रतिरोध
1×10-5 ओम*सेमी
तापीय स्थिरता
<2500℃
ग्रेफाइट का आकार बदल जाता है
-10~-20um
कोटिंग की मोटाई
≥20um विशिष्ट मान (35um±10um)


सूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


मुख्य अनुप्रयोग फ़ील्ड


SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) एपिटैक्सियल ग्रोथ: 6-इंच, 8-इंच और बड़े आकार के SiC पावर उपकरणों के उत्पादन का समर्थन करता है।

GaN (गैलियम नाइट्राइड) आधारित उपकरण: उच्च चमक वाले एलईडी, एचईएमटी पावर उपकरणों और आरएफ चिप्स के लिए एमओसीवीडी प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है।

AlN (एल्यूमीनियम नाइट्राइड) और UVC ग्रोथ: डीप यूवी एलईडी जैसी अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप सामग्री के लिए अत्यधिक उच्च तापमान (1400°C+) वाहक समाधान प्रदान करता है।

अनुकूलित अनुसंधान सहायता: विभिन्न अनियमित भागों और मल्टी-होल डिस्क के लिए अनुसंधान संस्थानों की सटीक अनुकूलन आवश्यकताओं को अनुकूलित करता है।


संगत मॉडल और अनुकूलन सेवाएँ


VETEK के पास सटीक यांत्रिक प्रसंस्करण और कोटिंग क्षमताएं हैं, जो वैश्विक मुख्यधारा MOCVD उपकरणों के लिए पूरी तरह से अनुकूल हैं:


ऐक्सट्रॉन: विभिन्न ग्रहीय घूर्णन डिस्क और आधारों का समर्थन करता है।

वीको: K465i, प्रोपेल और अन्य वर्टिकल ससेप्टर श्रृंखला का समर्थन करता है।

एएमईसी और अन्य: पूरी तरह से संगत प्रतिस्थापन भागों या अपग्रेड समाधान प्रदान करता है।


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