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उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट, सीवीडी SiC/TaC लेपित घटकों, ठोस SiC भागों और कस्टम सेमीकंडक्टर समाधानों के लिए VeTek सेमीकंडक्टर की सीएनसी सटीक मशीनिंग क्षमताओं की खोज करें।

वेटेक सेमीकंडक्टर ने वूशी, चीन में सीएसईएसी 2026 में भाग लिया, जिसमें अपने उन्नत सीवीडी सीआईसी और टीएसी कोटिंग्स, ग्रेफाइट घटकों, सीआईसी सिरेमिक और अन्य सेमीकंडक्टर कोर सामग्रियों का प्रदर्शन किया गया। इस आयोजन ने ग्राहक साझेदारी को मजबूत करने, नई प्रौद्योगिकियों पर चर्चा करने, सहयोग परियोजनाओं को आगे बढ़ाने और वैश्विक सेमीकंडक्टर उद्योग में भविष्य के अवसरों का पता लगाने के लिए मूल्यवान अवसर प्रदान किए।

VETEK सेमीकंडक्टर छह प्रमुख उत्पाद श्रेणियों में माहिर है, जिनमें CVD SiC कोटिंग्स, CVD TaC कोटिंग्स, सॉलिड SiC, उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट और कार्बन फाइबर, क्वार्ट्ज और उन्नत सिरेमिक, और सेमीकंडक्टर वेफर्स शामिल हैं। हमारे उत्पाद एपिटैक्सी, नक़्क़ाशी और क्रिस्टल विकास जैसी महत्वपूर्ण अर्धचालक प्रक्रियाओं की सेवा करते हैं। दोहरे अनुसंधान एवं विकास प्लेटफार्मों, एक पूरी तरह से एकीकृत विनिर्माण प्रणाली और वैश्विक आपूर्ति क्षमताओं के साथ, हम एक राष्ट्रीय विशिष्ट और परिष्कृत "लिटिल जाइंट" उद्यम के रूप में पहचाने जाते हैं।

VETEK की नई सेमीकंडक्टर विनिर्माण सुविधा सेमीकंडक्टर-ग्रेड क्लीनरूम निर्माण चरण में प्रवेश कर गई है। नई साइट सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए CVD SiC लेपित ग्रेफाइट घटकों, TaC कोटिंग्स, PyC कोटिंग्स, सॉलिड SiC भागों और उच्च शुद्धता वाली ग्रेफाइट सामग्री के उत्पादन का समर्थन करेगी।

वीटेक सेमीकंडक्टर एसएनईसी 2026 शंघाई से प्रमुख अंतर्दृष्टि साझा करता है, जिसमें उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट, सीवीडी सीआईसी लेपित ग्रेफाइट घटकों, कार्बन कंपोजिट और अगली पीढ़ी के सौर विनिर्माण और फोटोवोल्टिक उत्पादन का समर्थन करने वाले उन्नत थर्मल फील्ड सामग्रियों पर प्रकाश डाला गया है।

VETEK अपने नए सेमीकंडक्टर विनिर्माण आधार के टॉपिंग-आउट समारोह का जश्न मनाता है, जो उन्नत SiC, TaC और PyC कोटिंग प्रौद्योगिकियों, सॉलिड SiC घटकों, उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट भागों और सेमीकंडक्टर थर्मल फील्ड सामग्रियों के लिए उत्पादन क्षमता का विस्तार करता है।

5 सितंबर को, वेटेक सेमीकंडक्टर के ग्राहकों ने एसआईसी कोटिंग और टीएसी कोटिंग कारखानों का दौरा किया और नवीनतम एपिटैक्सियल प्रक्रिया समाधानों पर आगे के समझौतों तक पहुंच गए।

5 सितंबर, 2025 को, पोलैंड के एक ग्राहक ने कार्बन फाइबर उत्पादों के उत्पादन में हमारी उन्नत प्रौद्योगिकियों और नवीन प्रक्रियाओं के बारे में जानने के लिए VETEK के तहत एक कारखाने का दौरा किया।

SiC-लेपित ग्रेफाइट वेफर वाहक GaN और LED एपिटैक्सी के लिए MOCVD सिस्टम में महत्वपूर्ण थर्मल और मैकेनिकल घटक हैं। यह तकनीकी लेख बताता है कि वाहक ज्यामिति, पॉकेट गहराई, समतलता, ग्रेफाइट गुण और सीवीडी सीआईसी कोटिंग की स्थिति वेफर तापमान वितरण, एपिटैक्सियल एकरूपता और प्रक्रिया दोहराव को कैसे प्रभावित करती है। यह थर्मल एकरूपता और डिवाइस उपज, सामान्य कोटिंग गिरावट तंत्र, सेवा-जीवन विचारों और कस्टम या प्रतिस्थापन एमओसीवीडी वेफर वाहक को निर्दिष्ट करते समय आवश्यक इंजीनियरिंग डेटा के बीच संबंधों की भी जांच करता है।

SiC-लेपित ग्रेफाइट रासायनिक रूप से स्थिर सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड प्रक्रिया सतह के साथ उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट की मशीनेबिलिटी और थर्मल व्यवहार को जोड़ती है। यह तकनीकी श्वेत पत्र बताता है कि क्यों नंगे ग्रेफाइट एपिटैक्सी रिएक्टरों में रासायनिक संपर्क, अशुद्धियों और कणों का स्रोत बन सकते हैं, कैसे सीवीडी सीआईसी एक अधिक स्थिर प्रक्रिया सीमा बनाता है, और क्यों कोटिंग अखंडता, सब्सट्रेट संगतता, ज्यामिति और थर्मल व्यवहार को एक साथ इंजीनियर किया जाना चाहिए। यह सिलिकॉन और SiC एपिटैक्सी की विभिन्न मांगों की भी जांच करता है और यह बताता है कि सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए लेपित रिसेप्टर्स को कैसे निर्दिष्ट किया जाना चाहिए।

एक SiC-लेपित ग्रेफाइट सुसेप्टर केवल एक वेफर धारक के बजाय सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी में एक महत्वपूर्ण थर्मल-फील्ड घटक है। यह तकनीकी लेख बताता है कि कैसे रिसेप्टर ज्यामिति, समतलता, पॉकेट डिजाइन, ग्रेफाइट गुण और सीवीडी SiC कोटिंग गुणवत्ता वेफर थर्मल सीमाओं, तापमान वितरण और एपिटैक्सियल एकरूपता को प्रभावित करने के लिए एक साथ काम करते हैं। यह सामान्य ससेप्टर विफलता मोड, कोटिंग क्षरण, कण जोखिम और कस्टम या प्रतिस्थापन एपिटेक्सी ससेप्टर को निर्दिष्ट करते समय आवश्यक प्रमुख इंजीनियरिंग मापदंडों की भी जांच करता है।

सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग नियंत्रित गैस-चरण और सतह प्रतिक्रियाओं के माध्यम से उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट पर एक घनी SiC परत जमा करके निर्मित की जाती है। यह आलेख सब्सट्रेट तैयारी, एमटीएस-आधारित सीवीडी वृद्धि, न्यूक्लिएशन और द्रव्यमान स्थानांतरण, कोटिंग मोटाई और एकरूपता, सीआईसी/ग्रेफाइट इंटरफ़ेस तनाव, सामान्य दोष और अर्धचालक-ग्रेड निरीक्षण की व्याख्या करता है। यह यह भी दिखाता है कि एपिटेक्सी और एमओसीवीडी में उपयोग किए जाने वाले रिसेप्टर्स और वेफर वाहक के लिए प्रक्रिया पैरामीटर और घटक ज्यामिति को एक साथ क्यों इंजीनियर किया जाना चाहिए।

सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग एक सघन सीवीडी SiC परत है जो सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में उपयोग किए जाने वाले उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट घटकों पर लागू होती है। यह आलेख बताता है कि ग्रेफाइट को SiC के साथ लेपित क्यों किया जाता है, CVD SiC कैसे बनता है, कौन से कोटिंग गुण और इंटरफ़ेस कारक प्रदर्शन को नियंत्रित करते हैं, और SiC-लेपित ग्रेफाइट सिलिकॉन एपिटैक्सी, SiC एपिटैक्सी और MOCVD का समर्थन कैसे करता है। यह कोटिंग की मोटाई, सीटीई बेमेल, प्रदूषण जोखिम और रिसेप्टर्स, वेफर कैरियर और अन्य लेपित घटकों को निर्दिष्ट करते समय आवश्यक इंजीनियरिंग जानकारी की भी जांच करता है।

पैरामीटर तालिकाओं, एक कोटिंग-चयन निर्णय वृक्ष, विफलता तंत्र और आरएफक्यू मानदंड के साथ सीवीडी सीआईसी और टीएसी कोटिंग्स सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी में थर्मल स्थिरता, संदूषण, कणों और दोहराव को कैसे प्रभावित करती हैं, इस पर तकनीकी श्वेत पत्र।

8-इंच SiC अब बड़े पैमाने पर उत्पादन में है, लेकिन वेफर उपज - क्षमता नहीं - विजेताओं को अलग करती है। यह मार्गदर्शिका बताती है कि ग्रेफाइट हॉट-ज़ोन भागों पर TaC कोटिंग उपज क्यों तय करती है, और आपूर्तिकर्ता को कैसे योग्य बनाया जाए।

आधुनिक चिप निर्माण में, सब्सट्रेट भौतिक समर्थन और गर्मी अपव्यय पथ प्रदान करता है, जबकि एपिटैक्सियल परत डिवाइस की विद्युत प्रदर्शन सीमा निर्धारित करती है। यह लेख सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन और सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट्स और सीवीडी/एमबीई एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं के बीच मूलभूत अंतर का गहन विश्लेषण प्रदान करता है, और बताता है कि कैसे एपिटैक्सियल तकनीक दोष घनत्व को कम करके और स्ट्रेन इंजीनियरिंग को शामिल करके उच्च-आवृत्ति और उच्च-वोल्टेज उपकरणों के प्रदर्शन को बढ़ाती है। चाहे आप एक प्रक्रिया इंजीनियर हों या खरीद निर्णय-निर्माता हों, यह मार्गदर्शिका आपको सबसे उपयुक्त वेफर चयन रणनीति की शीघ्रता से पहचान करने में मदद करेगी।