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सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिरेमिक वेफर नाव क्या है?08 2026-01

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिरेमिक वेफर नाव क्या है?

अर्धचालक उच्च तापमान प्रक्रियाओं में, वेफर्स की हैंडलिंग, समर्थन और थर्मल उपचार एक विशेष सहायक घटक-वेफर नाव पर निर्भर करता है। जैसे-जैसे प्रक्रिया का तापमान बढ़ता है और सफाई और कण नियंत्रण की आवश्यकताएं बढ़ती हैं, पारंपरिक क्वार्ट्ज वेफर नावें धीरे-धीरे कम सेवा जीवन, उच्च विरूपण दर और खराब संक्षारण प्रतिरोध जैसे मुद्दों को प्रकट करती हैं।
बड़े पैमाने पर उत्पादन में SiC PVT क्रिस्टल ग्रोथ स्थिर क्यों है?29 2025-12

बड़े पैमाने पर उत्पादन में SiC PVT क्रिस्टल ग्रोथ स्थिर क्यों है?

सिलिकॉन कार्बाइड सबस्ट्रेट्स के औद्योगिक पैमाने पर उत्पादन के लिए, एकल विकास अभियान की सफलता अंतिम लक्ष्य नहीं है। वास्तविक चुनौती यह सुनिश्चित करने में है कि विभिन्न बैचों, उपकरणों और समय अवधि में उगाए गए क्रिस्टल गुणवत्ता में उच्च स्तर की स्थिरता और दोहराव बनाए रखें। इस संदर्भ में, टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग की भूमिका बुनियादी सुरक्षा से परे है - यह प्रक्रिया विंडो को स्थिर करने और उत्पाद की उपज की सुरक्षा करने में एक महत्वपूर्ण कारक बन जाती है।
टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग अत्यधिक थर्मल साइक्लिंग के तहत दीर्घकालिक सेवा कैसे प्राप्त करती है?22 2025-12

टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग अत्यधिक थर्मल साइक्लिंग के तहत दीर्घकालिक सेवा कैसे प्राप्त करती है?

​सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) PVT वृद्धि में गंभीर थर्मल साइक्लिंग (कमरे का तापमान 2200 ℃ से ऊपर) शामिल है। थर्मल विस्तार के गुणांक (सीटीई) में बेमेल के कारण कोटिंग और ग्रेफाइट सब्सट्रेट के बीच उत्पन्न होने वाला भारी थर्मल तनाव कोटिंग के जीवनकाल और अनुप्रयोग विश्वसनीयता को निर्धारित करने वाली मुख्य चुनौती है।
टैंटलम कार्बाइड कोटिंग्स पीवीटी थर्मल फील्ड को कैसे स्थिर करती हैं?17 2025-12

टैंटलम कार्बाइड कोटिंग्स पीवीटी थर्मल फील्ड को कैसे स्थिर करती हैं?

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) PVT क्रिस्टल विकास प्रक्रिया में, थर्मल क्षेत्र की स्थिरता और एकरूपता सीधे क्रिस्टल विकास दर, दोष घनत्व और सामग्री एकरूपता निर्धारित करती है। सिस्टम की सीमा के रूप में, थर्मल-फील्ड घटक सतह थर्मोफिजिकल गुणों को प्रदर्शित करते हैं जिनके मामूली उतार-चढ़ाव उच्च तापमान स्थितियों के तहत नाटकीय रूप से बढ़ जाते हैं, जिससे अंततः विकास इंटरफ़ेस में अस्थिरता पैदा होती है।
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) PVT क्रिस्टल ग्रोथ टैंटलम कार्बाइड कोटिंग्स (TaC) के बिना क्यों नहीं हो सकती?13 2025-12

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) PVT क्रिस्टल ग्रोथ टैंटलम कार्बाइड कोटिंग्स (TaC) के बिना क्यों नहीं हो सकती?

भौतिक वाष्प परिवहन (पीवीटी) विधि के माध्यम से सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल को बढ़ाने की प्रक्रिया में, 2000-2500 डिग्री सेल्सियस का अत्यधिक उच्च तापमान एक "दोधारी तलवार" है - जबकि यह स्रोत सामग्रियों के उर्ध्वपातन और परिवहन को संचालित करता है, यह थर्मल क्षेत्र प्रणाली के भीतर सभी सामग्रियों से अशुद्धता रिलीज को नाटकीय रूप से तेज करता है, विशेष रूप से पारंपरिक ग्रेफाइट हॉट-ज़ोन घटकों में निहित धातु तत्वों का पता लगाता है। एक बार जब ये अशुद्धियाँ विकास इंटरफ़ेस में प्रवेश कर जाती हैं, तो वे सीधे क्रिस्टल की मूल गुणवत्ता को नुकसान पहुँचाएँगी। यही मूल कारण है कि टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंग्स पीवीटी क्रिस्टल विकास के लिए "वैकल्पिक विकल्प" के बजाय "अनिवार्य विकल्प" बन गई हैं।
एल्यूमिनियम ऑक्साइड सिरेमिक के लिए मशीनिंग और प्रसंस्करण के तरीके क्या हैं12 2025-12

एल्यूमिनियम ऑक्साइड सिरेमिक के लिए मशीनिंग और प्रसंस्करण के तरीके क्या हैं

वेटेक्सेमिकॉन में, हम प्रतिदिन इन चुनौतियों का सामना करते हैं, उन्नत एल्यूमीनियम ऑक्साइड सिरेमिक को ऐसे समाधानों में बदलने में विशेषज्ञता रखते हैं जो सटीक विशिष्टताओं को पूरा करते हैं। सही मशीनिंग और प्रसंस्करण विधियों को समझना महत्वपूर्ण है, क्योंकि गलत दृष्टिकोण से महंगा अपशिष्ट और घटक विफलता हो सकती है। आइए उन पेशेवर तकनीकों का पता लगाएं जो इसे संभव बनाती हैं।
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