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वेफर सीएमपी पॉलिशिंग घोल क्या है?23 2025-10

वेफर सीएमपी पॉलिशिंग घोल क्या है?

वेफर सीएमपी पॉलिशिंग घोल एक विशेष रूप से तैयार की गई तरल सामग्री है जिसका उपयोग सेमीकंडक्टर निर्माण की सीएमपी प्रक्रिया में किया जाता है। इसमें पानी, रासायनिक नक़्क़ाशी, अपघर्षक और सर्फेक्टेंट शामिल हैं, जो रासायनिक नक़्क़ाशी और यांत्रिक पॉलिशिंग दोनों को सक्षम करते हैं।
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) विनिर्माण प्रक्रिया का सारांश16 2025-10

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) विनिर्माण प्रक्रिया का सारांश

सिलिकॉन कार्बाइड अपघर्षक आमतौर पर प्राथमिक कच्चे माल के रूप में क्वार्ट्ज और पेट्रोलियम कोक का उपयोग करके उत्पादित किए जाते हैं। प्रारंभिक चरण में, इन सामग्रियों को भट्टी चार्ज में रासायनिक रूप से अनुपातित करने से पहले वांछित कण आकार प्राप्त करने के लिए यांत्रिक प्रसंस्करण से गुजरना पड़ता है।
सीएमपी टेक्नोलॉजी चिप निर्माण के परिदृश्य को कैसे नया आकार देती है24 2025-09

सीएमपी टेक्नोलॉजी चिप निर्माण के परिदृश्य को कैसे नया आकार देती है

पिछले कुछ वर्षों में, पैकेजिंग प्रौद्योगिकी का केंद्र चरण धीरे-धीरे एक प्रतीत होने वाली "पुरानी तकनीक" - सीएमपी (केमिकल मैकेनिकल पॉलिशिंग) को सौंप दिया गया है। जब हाइब्रिड बॉन्डिंग उन्नत पैकेजिंग की नई पीढ़ी की अग्रणी भूमिका बन जाती है, तो सीएमपी धीरे-धीरे पर्दे के पीछे से सुर्खियों की ओर बढ़ रहा है।
क्वार्ट्ज थर्मस बाल्टी क्या है?17 2025-09

क्वार्ट्ज थर्मस बाल्टी क्या है?

घरेलू और रसोई उपकरणों की लगातार विकसित हो रही दुनिया में, एक उत्पाद ने हाल ही में अपने नवाचार और व्यावहारिक अनुप्रयोग के लिए महत्वपूर्ण ध्यान आकर्षित किया है - क्वार्ट्ज थर्मस बकेट।
अर्धचालक उपकरणों में क्वार्ट्ज घटकों का अनुप्रयोग01 2025-09

अर्धचालक उपकरणों में क्वार्ट्ज घटकों का अनुप्रयोग

क्वार्ट्ज उत्पादों का उपयोग सेमीकंडक्टर विनिर्माण प्रक्रिया में उनकी उच्च शुद्धता, उच्च तापमान प्रतिरोध और मजबूत रासायनिक स्थिरता के कारण व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।
सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ भट्टियों की चुनौतियां18 2025-08

सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ भट्टियों की चुनौतियां

सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस अगली पीढ़ी के अर्धचालक उपकरणों के लिए उच्च प्रदर्शन वाले एसआईसी वेफर्स के उत्पादन में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। हालांकि, उच्च गुणवत्ता वाले Sic क्रिस्टल बढ़ने की प्रक्रिया महत्वपूर्ण चुनौतियों को प्रस्तुत करती है। चरम थर्मल ग्रेडिएंट्स को प्रबंधित करने से लेकर क्रिस्टल दोषों को कम करने, समान वृद्धि सुनिश्चित करने और उत्पादन लागत को नियंत्रित करने तक, प्रत्येक चरण को उन्नत इंजीनियरिंग समाधान की आवश्यकता होती है। यह लेख कई दृष्टिकोणों से SIC क्रिस्टल विकास भट्टियों की तकनीकी चुनौतियों का विश्लेषण करेगा।
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