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टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंग्स का उपयोग सेमीकंडक्टर क्षेत्र में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, मुख्य रूप से एपिटैक्सियल ग्रोथ रिएक्टर घटकों, एकल क्रिस्टल ग्रोथ प्रमुख घटकों, उच्च तापमान वाले औद्योगिक घटकों, MOCVD सिस्टम हीटर और वेफर वाहक के लिए।

SiC एपीटैक्सियल विकास प्रक्रिया के दौरान, SiC लेपित ग्रेफाइट सस्पेंशन विफलता हो सकती है। यह पेपर SiC लेपित ग्रेफाइट सस्पेंशन की विफलता घटना का एक कठोर विश्लेषण करता है, जिसमें मुख्य रूप से दो कारक शामिल हैं: SiC एपिटैक्सियल गैस विफलता और SiC कोटिंग विफलता।

यह लेख मुख्य रूप से आणविक बीम एपिटैक्सी प्रक्रिया और धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव प्रौद्योगिकियों के संबंधित प्रक्रिया लाभों और अंतरों पर चर्चा करता है।

VeTek सेमीकंडक्टर का पोरस टैंटलम कार्बाइड, SiC क्रिस्टल विकास सामग्री की एक नई पीढ़ी के रूप में, कई उत्कृष्ट उत्पाद गुण रखता है और विभिन्न सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण प्रौद्योगिकियों में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।

एपिटैक्सियल भट्टी का कार्य सिद्धांत उच्च तापमान और उच्च दबाव के तहत एक सब्सट्रेट पर अर्धचालक सामग्री जमा करना है। सिलिकॉन एपिटैक्सियल ग्रोथ सब्सट्रेट के समान क्रिस्टल ओरिएंटेशन और एक निश्चित क्रिस्टल ओरिएंटेशन के साथ सिलिकॉन सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट पर अलग-अलग मोटाई के साथ क्रिस्टल की एक परत विकसित करना है। यह लेख मुख्य रूप से सिलिकॉन एपिटैक्सियल विकास विधियों का परिचय देता है: वाष्प चरण एपिटैक्सि और तरल चरण एपिटैक्सि।

सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग में रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) का उपयोग चैम्बर में पतली फिल्म सामग्री को जमा करने के लिए किया जाता है, जिसमें SiO2, SIN, आदि शामिल हैं, और आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले प्रकारों में PECVD और LPCVD शामिल हैं। तापमान, दबाव और प्रतिक्रिया गैस प्रकार को समायोजित करके, सीवीडी विभिन्न प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए उच्च शुद्धता, एकरूपता और अच्छी फिल्म कवरेज प्राप्त करता है।

यह लेख मुख्य रूप से सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक की व्यापक अनुप्रयोग संभावनाओं का वर्णन करता है। यह सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक में सिंटरिंग दरारों के कारणों और संबंधित समाधानों के विश्लेषण पर भी ध्यान केंद्रित करता है।

अर्धचालक विनिर्माण में नक़्क़ाशी प्रौद्योगिकी अक्सर लोडिंग प्रभाव, सूक्ष्म नाली प्रभाव और चार्जिंग प्रभाव जैसी समस्याओं का सामना करती है, जो उत्पाद की गुणवत्ता को प्रभावित करती है। सुधार समाधानों में प्लाज्मा घनत्व का अनुकूलन करना, प्रतिक्रिया गैस संरचना को समायोजित करना, वैक्यूम सिस्टम दक्षता में सुधार करना, उचित लिथोग्राफी लेआउट डिजाइन करना और उपयुक्त नक़ल मास्क सामग्री और प्रक्रिया की स्थिति का चयन करना शामिल है।

हॉट प्रेसिंग सिंटरिंग उच्च-प्रदर्शन SIC सिरेमिक तैयार करने के लिए मुख्य विधि है। हॉट प्रेसिंग सिंटरिंग की प्रक्रिया में शामिल हैं: उच्च-शुद्धता वाले एसआईसी पाउडर का चयन करना, उच्च तापमान और उच्च दबाव के तहत दबाना और मोल्डिंग, और फिर सिंटरिंग। इस पद्धति द्वारा तैयार किए गए SIC सिरेमिक में उच्च शुद्धता और उच्च घनत्व के फायदे हैं, और व्यापक रूप से वेफर प्रसंस्करण के लिए डिस्क और गर्मी उपचार उपकरणों को पीसने में उपयोग किया जाता है।

सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) के प्रमुख विकास विधियों में पीवीटी, टीएसएसजी, और एचटीसीवीडी शामिल हैं, जिनमें से प्रत्येक अलग -अलग फायदे और चुनौतियां हैं। कार्बन-आधारित थर्मल फील्ड सामग्री जैसे इन्सुलेशन सिस्टम, क्रूसिबल, टीएसी कोटिंग्स, और झरझरा ग्रेफाइट, एसआईसी के सटीक निर्माण और अनुप्रयोग के लिए आवश्यक स्थिरता, थर्मल चालकता और शुद्धता प्रदान करके क्रिस्टल विकास को बढ़ाते हैं।

SIC में उच्च कठोरता, तापीय चालकता और संक्षारण प्रतिरोध है, जो इसे अर्धचालक विनिर्माण के लिए आदर्श बनाता है। CVD SIC कोटिंग रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से बनाया जाता है, उच्च तापीय चालकता, रासायनिक स्थिरता और एपिटैक्सियल विकास के लिए एक मिलान जाली प्रदान करता है। इसका कम थर्मल विस्तार और उच्च कठोरता स्थायित्व और सटीकता सुनिश्चित करती है, जिससे वेफर वाहक, प्रीहीटिंग रिंग, और बहुत कुछ जैसे अनुप्रयोगों में यह आवश्यक हो जाता है। वेटेक सेमीकंडक्टर विविध उद्योग की जरूरतों के लिए कस्टम एसआईसी कोटिंग्स में माहिर है।

सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) एक उच्च-सटीक अर्धचालक सामग्री है जिसे उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और उच्च यांत्रिक शक्ति जैसे उत्कृष्ट गुणों के लिए जाना जाता है। इसमें 200 से अधिक क्रिस्टल संरचनाएं हैं, जिसमें 3 सी-एसआईसी एकमात्र क्यूबिक प्रकार है, जो अन्य प्रकारों की तुलना में बेहतर प्राकृतिक गोलाकारता और घनत्व की पेशकश करता है। 3C-SIC अपनी उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के लिए बाहर खड़ा है, जिससे यह पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में MOSFETs के लिए आदर्श है। इसके अतिरिक्त, यह नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स, ब्लू एल ई डी और सेंसर में बहुत संभावनाएं दिखाता है।

डायमंड, एक संभावित चौथी पीढ़ी "परम सेमीकंडक्टर", इसकी असाधारण कठोरता, थर्मल चालकता और विद्युत गुणों के कारण अर्धचालक सब्सट्रेट में ध्यान आकर्षित कर रहा है। जबकि इसकी उच्च लागत और उत्पादन चुनौतियां इसके उपयोग को सीमित करती हैं, सीवीडी पसंदीदा तरीका है। डोपिंग और बड़े क्षेत्र के क्रिस्टल चुनौतियों के बावजूद, डायमंड का वादा है।

SiC और GaN व्यापक बैंडगैप अर्धचालक हैं, जिनमें सिलिकॉन की तुलना में अधिक फायदे हैं, जैसे उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज, तेज स्विचिंग गति और बेहतर दक्षता। SiC अपनी उच्च तापीय चालकता के कारण उच्च-वोल्टेज, उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए बेहतर है, जबकि GaN अपनी बेहतर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के कारण उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों में उत्कृष्टता प्राप्त करता है।

इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण प्रतिरोध हीटिंग की तुलना में एक अत्यधिक कुशल और व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली कोटिंग विधि है, जो एक इलेक्ट्रॉन बीम के साथ वाष्पीकरण सामग्री को गर्म करता है, जिससे यह एक पतली फिल्म में वाष्पीकरण और संघनन करता है।