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लेख अर्धचालक प्रसंस्करण के दौरान SiC एकल क्रिस्टल विकास के लिए CVD TaC कोटिंग प्रक्रिया के सामने आने वाली विशिष्ट चुनौतियों का विश्लेषण करता है, जैसे सामग्री स्रोत और शुद्धता नियंत्रण, प्रक्रिया पैरामीटर अनुकूलन, कोटिंग आसंजन, उपकरण रखरखाव और प्रक्रिया स्थिरता, पर्यावरण संरक्षण और लागत नियंत्रण, जैसे साथ ही संबंधित उद्योग समाधान।

SiC एकल क्रिस्टल विकास के अनुप्रयोग परिप्रेक्ष्य से, यह लेख TaC कोटिंग और SIC कोटिंग के बुनियादी भौतिक मापदंडों की तुलना करता है, और उच्च तापमान प्रतिरोध, मजबूत रासायनिक स्थिरता, कम अशुद्धियों और के संदर्भ में SiC कोटिंग पर TaC कोटिंग के बुनियादी लाभों की व्याख्या करता है। कम लागत।

फैब कारखाने में कई प्रकार के माप उपकरण हैं। सामान्य उपकरणों में लिथोग्राफी प्रक्रिया माप उपकरण, नक़्क़ाशी प्रक्रिया माप उपकरण, पतली फिल्म बयान प्रक्रिया माप उपकरण, डोपिंग प्रक्रिया माप उपकरण, सीएमपी प्रक्रिया माप उपकरण, वेफर कण पहचान उपकरण और अन्य माप उपकरण शामिल हैं।

टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, यांत्रिक गुणों और थर्मल प्रबंधन क्षमताओं में सुधार करके ग्रेफाइट भागों के जीवन को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ा सकती है। इसकी उच्च शुद्धता विशेषताएँ अशुद्धता संदूषण को कम करती हैं, क्रिस्टल विकास की गुणवत्ता में सुधार करती हैं और ऊर्जा दक्षता बढ़ाती हैं। यह उच्च तापमान, अत्यधिक संक्षारक वातावरण में अर्धचालक निर्माण और क्रिस्टल विकास अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंग्स का उपयोग सेमीकंडक्टर क्षेत्र में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, मुख्य रूप से एपिटैक्सियल ग्रोथ रिएक्टर घटकों, एकल क्रिस्टल ग्रोथ प्रमुख घटकों, उच्च तापमान वाले औद्योगिक घटकों, MOCVD सिस्टम हीटर और वेफर वाहक के लिए।

SiC एपीटैक्सियल विकास प्रक्रिया के दौरान, SiC लेपित ग्रेफाइट सस्पेंशन विफलता हो सकती है। यह पेपर SiC लेपित ग्रेफाइट सस्पेंशन की विफलता घटना का एक कठोर विश्लेषण करता है, जिसमें मुख्य रूप से दो कारक शामिल हैं: SiC एपिटैक्सियल गैस विफलता और SiC कोटिंग विफलता।