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अर्धचालक सामग्री को कालानुक्रमिक क्रम में तीन पीढ़ियों में वर्गीकृत किया जा सकता है। पहली पीढ़ी में जर्मेनियम और सिलिकॉन जैसे सामान्य मौलिक सामग्री होती है, जो सुविधाजनक स्विचिंग की विशेषता होती है और आमतौर पर एकीकृत सर्किट में उपयोग की जाती है। दूसरी पीढ़ी के यौगिक अर्धचालक जैसे कि गैलियम आर्सेनाइड और इंडियम फॉस्फाइड मुख्य रूप से ल्यूमिनसेंट और संचार सामग्री में उपयोग किए जाते हैं।

क्वार्ट्ज डिवाइस सौर सेल निर्माण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जो उच्च तापमान प्रक्रियाओं में आवश्यक असाधारण थर्मल प्रतिरोध, रासायनिक शुद्धता और संरचनात्मक स्थिरता की पेशकश करते हैं। क्वार्ट्ज डिफ्यूजन ट्यूब और क्रूसिबल्स से लेकर क्वार्ट्ज नावों और भट्ठी घटकों तक, ये उच्च शुद्धता सामग्री प्रसार, सीवीडी और गीले नक़्क़ाशी चरणों में इष्टतम दक्षता प्राप्त करने के लिए आवश्यक हैं।

टीएसी कोटिंग लगभग पूरी तरह से कार्बन एनकैप्सुलेशन घटना को समाप्त कर देती है, जो ग्रेफाइट क्रूसिबल और एसआईसी पिघल के बीच सीधे संपर्क को अलग करके, माइक्रोट्यूब के दोष घनत्व को कम करती है।

Sic सिरेमिक एक सिरेमिक सामग्री है जो सिलिकॉन (SI) और कार्बन (C) तत्वों की प्रतिक्रिया द्वारा निर्मित है, जिसमें अत्यधिक उच्च कठोरता, गर्मी प्रतिरोध और रासायनिक स्थिरता है

सेमीकंडक्टर फैब्रिकेशन की उच्च-दांव की दुनिया में, सटीक और स्थिरता सब कुछ है-और यही वह जगह है जहां इलेक्ट्रोस्टैटिक चक (ESC) कदम है। केवल एक होल्डिंग टूल की तुलना में अधिक, ESC इलेक्ट्रोस्टैटिक बलों का उपयोग Etching, Dessition, और आयन प्रत्यारोपण जैसी महत्वपूर्ण प्रक्रियाओं के दौरान सुरक्षित रूप से वेफर्स को क्लैंप करने के लिए करता है। लेकिन यह वास्तव में कैसे काम करता है? यह पारंपरिक यांत्रिक क्लैंपिंग से बेहतर क्यों है? और यह नैनोस्केल सटीकता और थ्रूपुट दक्षता को प्राप्त करने में क्या भूमिका निभाता है? पढ़ने के लिए आपका स्वागत है।

इलेक्ट्रोस्टैटिक चक का डेकहक सिद्धांत इसके वर्कफ़्लो का एक महत्वपूर्ण हिस्सा है जिसमें इलेक्ट्रोस्टैटिक फोर्स एलिमिनेशन और वेफर रिलीज़ मैकेनिज्म शामिल हैं।