उत्पादों

सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग

VeTek सेमीकंडक्टर अल्ट्रा शुद्ध सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पादों के उत्पादन में माहिर है, इन कोटिंग्स को शुद्ध ग्रेफाइट, सिरेमिक और दुर्दम्य धातु घटकों पर लागू करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।

हमारी उच्च शुद्धता वाली कोटिंग्स मुख्य रूप से सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगों में उपयोग के लिए लक्षित हैं। वे वेफर कैरियर्स, ससेप्टर्स और हीटिंग तत्वों के लिए एक सुरक्षात्मक परत के रूप में काम करते हैं, जो उन्हें एमओसीवीडी और ईपीआई जैसी प्रक्रियाओं में आने वाले संक्षारक और प्रतिक्रियाशील वातावरण से बचाते हैं। ये प्रक्रियाएँ वेफ़र प्रसंस्करण और उपकरण निर्माण का अभिन्न अंग हैं। इसके अतिरिक्त, हमारी कोटिंग्स वैक्यूम भट्टियों और नमूना हीटिंग में अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं, जहां उच्च वैक्यूम, प्रतिक्रियाशील, और ऑक्सीजन वातावरण का सामना करना पड़ता है।

वीटेक सेमीकंडक्टर में, हम अपनी उन्नत मशीन शॉप क्षमताओं के साथ एक व्यापक समाधान प्रदान करते हैं। यह हमें ग्रेफाइट, सिरेमिक, या दुर्दम्य धातुओं का उपयोग करके आधार घटकों का निर्माण करने और घर में SiC या TaC सिरेमिक कोटिंग्स लगाने में सक्षम बनाता है। हम विभिन्न आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए लचीलापन सुनिश्चित करते हुए, ग्राहक द्वारा आपूर्ति किए गए भागों के लिए कोटिंग सेवाएं भी प्रदान करते हैं।

हमारे सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पादों का उपयोग व्यापक रूप से Si एपिटैक्सी, SiC एपिटैक्सी, MOCVD सिस्टम, RTP/RTA प्रक्रिया, नक़्क़ाशी प्रक्रिया, ICP/PSS नक़्क़ाशी प्रक्रिया, नीले और हरे एलईडी, UV LED और डीप-UV LED आदि सहित विभिन्न एलईडी प्रकारों की प्रक्रिया में किया जाता है, जो LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI इत्यादि के उपकरणों के लिए अनुकूलित है।


रिएक्टर भाग हम कर सकते हैं:

Aixtron G5 MOCVD Susceptors


प्रमुख विशेषताऐं

● न्यूनतम कण उत्पादन के लिए घने β-चरण पॉलीक्रिस्टलाइन संरचना के साथ अल्ट्रा-उच्च शुद्धता (99.99995%)।

● HCl, NH₃, H₂, SiH₄ और अन्य संक्षारक प्रक्रिया गैसों के लिए उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिरोध।

● उच्च तापीय चालकता (~300 W·m⁻¹·K⁻¹) और 2700°C के उर्ध्वपातन तापमान तक तापीय स्थिरता।

● बेहतर कठोरता (2500 विकर्स) और ग्रेफाइट, सिरेमिक और दुर्दम्य धातुओं के लिए मजबूत आसंजन।

● संग्राहक, वाहक, शॉवर हेड और हीटिंग तत्वों सहित जटिल ज्यामिति के लिए उपयुक्त अनुरूप कोटिंग कवरेज।

● प्रमुख उपकरण प्लेटफार्मों के साथ संगत: LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI और बहुत कुछ।


सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग के कई अनूठे फायदे हैं

Silicon Carbide Coating several unique advantages



उत्पाद विशिष्टताएँ

वीटेक सेमीकंडक्टर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग पैरामीटर

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
SiC कोटिंग घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी³
SiC कोटिंग कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार 2~10μm
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 J·kg⁻¹·K⁻¹
उर्ध्वपातन तापमान 2700℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग मापांक 430 GPa 4pt बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता 300 W·m⁻¹·K⁻¹
थर्मल विस्तार (सीटीई) 4.5×10⁻⁶ K⁻¹


सीवीडी एसआईसी फिल्म क्रिस्टल संरचना

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


उत्पाद श्रेणियां

Silicon Carbide coated Epi susceptor सिलिकॉन कार्बाइड लेपित एपी ससेप्टर SiC Coating Wafer Carrier SiC कोटिंग वेफर कैरियर SiC coated Satellite cover for MOCVD एमओसीवीडी के लिए एसआईसी लेपित सैटेलाइट कवर CVD SiC Coating Wafer Epi Susceptor सीवीडी एसआईसी कोटिंग वेफर एपी ससेप्टर CVD SiC coating Heating Element सीवीडी एसआईसी कोटिंग ताप तत्व Aixtron Satellite wafer carrier ऐक्सट्रॉन सैटेलाइट वेफर कैरियर SiC Coating Epi susceptor SiC कोटिंग एपी ससेप्टर SiC coating halfmoon graphite parts SiC कोटिंग हाफमून ग्रेफाइट भागों


अनुप्रयोग

सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं की विविध आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए, VeTek लक्षित सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पाद प्रदान करता है। निम्नलिखित तालिका उन्हें प्रमुख अनुप्रयोग क्षेत्रों, विशिष्ट घटकों और लागू प्रक्रियाओं को सूचीबद्ध करके वर्गीकृत करती है:

आवेदन क्षेत्र विशिष्ट उत्पाद आवेदन विवरण
सी एपिटैक्सी सीवीडी एसआईसी लेपित ग्रेफाइट सुसेप्टर, SiC कोटिंग वेफर कैरियर, एपी संग्राहक सिलिकॉन एपीटैक्सियल प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त, उच्च गुणवत्ता वाली एपी परतों के लिए समान तापमान वितरण, रासायनिक प्रतिरोध और कम कण उत्पादन प्रदान करता है।
SiC एपिटैक्सी CVD SiC लेपित ग्रहीय सुसेप्टर, SiC लेपित वेफर सुसेप्टर, गाइड रिंग उच्च तापमान वाले SiC एपीटैक्सियल विकास (एलपीई आदि) के लिए, फिल्म की एकरूपता और प्रक्रिया उपज सुनिश्चित करने के लिए थर्मल स्थिरता और स्वच्छ इंटरफ़ेस प्रदान करना।
GaN / LED एपिटैक्सी (MOCVD) SiC लेपित सैटेलाइट कवर, शावर का फव्वारा, उपग्रह डिस्क, मास्किंग रिंग ऐक्सट्रॉन, वीको एमओसीवीडी सिस्टम के साथ संगत; H₂/NH₃ जंग का प्रतिरोध करता है, कण संदूषण को कम करता है और एलईडी एपी उपज (नीला, हरा, यूवी, गहरा-यूवी) में सुधार करता है।
आरटीपी/आरटीए प्रक्रिया सीवीडी एसआईसी लेपित आरटीपी सुसेप्टर, आरटीपी आरटीए कैरियर, हीटिंग तत्व तेजी से थर्मल प्रसंस्करण और एनीलिंग के लिए डिज़ाइन किया गया; उत्कृष्ट तापीय चालकता और आयामी स्थिरता के साथ बार-बार उच्च तापमान साइकलिंग का सामना करता है।
नक़्क़ाशी / आईसीपी / पीएसएस सॉलिड SiC फोकस रिंग्स, नक़्क़ाशी कक्षों के लिए SiC लेपित घटक उच्च कठोरता और प्लाज्मा प्रतिरोध चैम्बर भागों की रक्षा करते हैं, ईच प्रोफ़ाइल की एकरूपता सुनिश्चित करते हैं और हैलोजन-समृद्ध वातावरण में सेवा जीवन का विस्तार करते हैं।
उच्च-तापमान तापन एवं समर्थन सीवीडी एसआईसी कोटिंग ताप तत्व, वेफर वाहक, संग्राहक प्रेरण/प्रतिरोधक हीटिंग और वैक्यूम फर्नेस अनुप्रयोगों के लिए; उच्च कठोरता, थर्मल शॉक प्रतिरोध और लंबे घटक जीवनकाल प्रदान करता है।

अधिक विस्तृत प्रक्रिया मिलान समाधानों के लिए, कृपया देखेंसिलिकॉन एपिटैक्सीऔरसिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सीसंबंधित एप्लिकेशन पृष्ठ।


चीन में एक पेशेवर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, हमारा अपना कारखाना है। चाहे आपको अपने क्षेत्र की विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलित सेवाओं की आवश्यकता हो या आप चीन में बनी उन्नत और टिकाऊ सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग खरीदना चाहते हों, आप ऐसा कर सकते हैंहमें एक संदेश छोड़ें.

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Aixtron G10 सॉलिड SiC ग्रहीय रिएक्टर घटक

Aixtron G10 सॉलिड SiC ग्रहीय रिएक्टर घटक

Aixtron G10-SiC प्लेटफॉर्म के लिए VeTek सेमीकंडक्टर के सॉलिड SiC सहायक उपकरण उच्च शुद्धता वाले, पूरी तरह से घने सिलिकॉन कार्बाइड घटक हैं जो SiC एपिटैक्सियल विकास के थर्मल और रासायनिक वातावरण की मांग के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। ये हिस्से उत्कृष्ट उच्च तापमान स्थिरता, रासायनिक प्रतिरोध और अल्ट्रा-लो कण उत्पादन प्रदान करते हैं, जो बिजली उपकरण निर्माण में उपयोग किए जाने वाले उच्च-थ्रूपुट 9×150 मिमी / 6×200 मिमी ग्रहीय रिएक्टर कॉन्फ़िगरेशन का समर्थन करते हैं।
वेफर कैरियर के लिए सीवीडी सीआईसी लेपित ग्रेफाइट सुसेप्टर

वेफर कैरियर के लिए सीवीडी सीआईसी लेपित ग्रेफाइट सुसेप्टर

वेफर कैरियर के लिए VETEK CVD SiC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर एक उच्च प्रदर्शन वाला वेफर सपोर्ट घटक है जिसे सेमीकंडक्टर एपिटॉक्सी प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है। उत्पाद सब्सट्रेट के रूप में उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट का उपयोग करता है और एक समान सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) परत के साथ लेपित होता है, जो उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, रासायनिक प्रतिरोध और कण नियंत्रण प्रदान करता है। एक महत्वपूर्ण ग्रेफाइट सुसेप्टर घटक के रूप में, यह सीधे प्रतिक्रिया कक्ष के अंदर वेफर्स का समर्थन करता है और समान तापमान वितरण और स्थिर एपिटैक्सियल विकास स्थितियों को बनाए रखने में मदद करता है।
सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट आरटीपी आरटीए कैरियर

सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट आरटीपी आरटीए कैरियर

VETEK CVD सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटेड ग्रेफाइट RTP RTA कैरियर को सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) सिस्टम के लिए डिज़ाइन किया गया है। घने सीवीडी सीआईसी कोटिंग के साथ उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से निर्मित, यह उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट तापमान एकरूपता, बेहतर रासायनिक प्रतिरोध और अल्ट्रा-लो कण उत्पादन प्रदान करता है। बार-बार तीव्र ताप और शीतलन चक्रों का सामना करने के लिए इंजीनियर किया गया, वाहक सिलिकॉन वेफर एनीलिंग और अन्य उच्च तापमान अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीय वेफर समर्थन और स्थिर प्रक्रिया प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।
सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित आरटीपी सुसेप्टर

सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित आरटीपी सुसेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर से CVD SiC लेपित RTP ससेप्टर सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) उपकरण का काम करता है। सब्सट्रेट को उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से तैयार किया जाता है, जिसके ऊपर एक घनी सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) परत जमा होती है। यह निर्माण उच्च तापीय चालकता, मजबूत रासायनिक जड़ता और बार-बार उच्च तापमान चक्रण के तहत निरंतर आयामी स्थिरता उत्पन्न करता है।
सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट शावर हेड

सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट शावर हेड

यदि आपने कभी किसी जमाव कक्ष में असमान गैस प्रवाह या कण संदूषण का सामना किया है, तो VETEK CVD SiC कोटेड ग्रेफाइट शावर हेड को इसे हल करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह थर्मल स्थिरता और आसान मशीनिंग के लिए उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से शुरू होता है, फिर एक सघन सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंग प्राप्त करता है जो सतह को सील करता है, संक्षारक गैसों (जैसे HCl या NF₃) का प्रतिरोध करता है, और गैस निकलने से रोकता है। परिणाम एक गैस वितरण प्लेट है जो वेफर में समान प्रवाह प्रदान करती है, उच्च तापमान एपिटैक्सी को संभालती है, और नंगे ग्रेफाइट या क्वार्ट्ज की तुलना में कहीं अधिक समय तक चलती है - जो इसे सीवीडी, पीईसीवीडी, एमओसीवीडी, सिलिकॉन एपिटैक्सी और सीआईसी एपिटैक्सी प्रक्रियाओं के लिए एक विश्वसनीय घटक बनाती है। हम कस्टम होल पैटर्न और आकार भी प्रदान करते हैं, क्योंकि कोई भी दो रिएक्टर बिल्कुल एक जैसे नहीं होते हैं।
सॉलिड SiC फोकस रिंग्स

सॉलिड SiC फोकस रिंग्स

वेफर ट्रैकिंग ज़ोन को घेरने के लिए डिज़ाइन किया गया, सॉलिड SiC फोकस रिंग रैखिक प्लाज्मा वितरण और सटीक एज-टू-सेंटर ईच प्रोफाइल सुनिश्चित करता है। ये प्रीमियम β-SiC घटक मालिकाना रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) तकनीक का उपयोग करके Vetek सेमीकंडक्टर (Wuyi Tianyao नई सामग्री प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड) द्वारा बनाए गए हैं। कच्चे माल को एक घने, बांधने योग्य मैट्रिक्स में वाष्पीकृत करके, वेटेक पुरानी सामग्रियों में आम तौर पर पाए जाने वाले छिद्रपूर्ण सूक्ष्म अंतराल को समाप्त करता है। मानक क्वार्ट्ज या सिलिकॉन परिरक्षण की तुलना में, हमारे सीवीडी सीआईसी घटक संक्षारक हैलोजन गैसों के लिए कहीं बेहतर खड़े हैं, गहरे उप-7एनएम तर्क और घने मेमोरी चिप निर्माण में वेफर को ढालते हैं। आपकी आगे की पूछताछ की प्रतीक्षा में।
चीन में एक पेशेवर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, हमारा अपना कारखाना है। चाहे आपको अपने क्षेत्र की विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलित सेवाओं की आवश्यकता हो या आप चीन में निर्मित उन्नत और टिकाऊ सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग खरीदना चाहते हों, आप हमें एक संदेश छोड़ सकते हैं।
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