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गान एपिटैक्सी अंडरटेकर
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गान एपिटैक्सी अंडरटेकर

Vetek सेमीकंडक्टर एक चीनी कंपनी है जो एक विश्व स्तरीय निर्माता और GAN एपिटैक्सी सूसोसेप्टर का आपूर्तिकर्ता है। हम सेमीकंडक्टर उद्योग में काम कर रहे हैं जैसे कि सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग्स और जीएएन एपिटैक्सी सूसोसेप्टर लंबे समय से। हम आपको उत्कृष्ट उत्पाद और अनुकूल कीमतें प्रदान कर सकते हैं। वेटेक सेमीकंडक्टर आपके दीर्घकालिक साथी बनने के लिए तत्पर है।

GAN EPITAXY एक उन्नत अर्धचालक विनिर्माण तकनीक है जिसका उपयोग उच्च-प्रदर्शन वाले इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों का उत्पादन करने के लिए किया जाता है। विभिन्न सब्सट्रेट सामग्रियों के अनुसार,गान एपिटैक्सियल वेफर्सगण-आधारित गण में विभाजित किया जा सकता है, sic- आधारित गण, नीलम-आधारित गण औरगान-ऑन-सी.


MOCVD process to generate GaN epitaxy

       GAN एपिटैक्सी उत्पन्न करने के लिए MOCVD प्रक्रिया का सरलीकृत योजनाबद्ध


GAN एपिटैक्सी के उत्पादन में, सब्सट्रेट को केवल एपिटैक्सियल बयान के लिए कहीं नहीं रखा जा सकता है, क्योंकि इसमें गैस प्रवाह की दिशा, तापमान, दबाव, निर्धारण और गिरने वाले संदूषक जैसे विभिन्न कारक शामिल हैं। इसलिए, एक आधार की आवश्यकता होती है, और फिर सब्सट्रेट को डिस्क पर रखा जाता है, और फिर सीवीडी तकनीक का उपयोग करके सब्सट्रेट पर एपिटैक्सियल बयान किया जाता है। यह आधार GAN एपिटैक्सी सस्पेक्टर है।

GaN Epitaxy Susceptor


Sic और Gan के बीच जाली बेमेल छोटा है क्योंकि Sic की थर्मल चालकता Gan, Si और नीलम की तुलना में बहुत अधिक है। इसलिए, सब्सट्रेट गान एपिटैक्सियल वेफर की परवाह किए बिना, एसआईसी कोटिंग के साथ जीएएन एपिटैक्सी सूसोसेप्टर डिवाइस की थर्मल विशेषताओं में काफी सुधार कर सकता है और डिवाइस के जंक्शन तापमान को कम कर सकता है।


Lattice mismatch and thermal mismatch relationships

जाली बेमेल और सामग्री के थर्मल बेमेल संबंध


गाड़ी की डिक्की सेमीकंडक्टर द्वारा निर्मित GAN एपिटैक्सी सूसोसेप्टर की निम्नलिखित विशेषताएं हैं:


सामग्री: सूसोसेक्टर उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट और एक एसआईसी कोटिंग से बना है, जो इसे उच्च तापमान का सामना करने में सक्षम बनाता है और एपिटैक्सियल मैन्युफैक्चरिंग के दौरान उत्कृष्ट स्थिरता प्रदान करता है। वेटेक सेमीकंडक्टर के सूस्विनर 99.9999% और अशुद्धता सामग्री 5ppm से कम की शुद्धता प्राप्त कर सकते हैं।

ऊष्मीय चालकता: अच्छा थर्मल प्रदर्शन सटीक तापमान नियंत्रण में सक्षम बनाता है, और GAN एपिटैक्सी सूसोसेप्टर की अच्छी तापीय चालकता GAN एपिटैक्सी के समान बयान सुनिश्चित करती है।

रासायनिक स्थिरता: एसआईसी कोटिंग संदूषण और संक्षारण को रोकती है, इसलिए जीएएन एपिटैक्सी सूसोसेप्टर MOCVD सिस्टम के कठोर रासायनिक वातावरण का सामना कर सकता है और GAN एपिटैक्सी के सामान्य उत्पादन को सुनिश्चित कर सकता है।

डिज़ाइन: संरचनात्मक डिजाइन ग्राहकों की जरूरतों के अनुसार किया जाता है, जैसे कि बैरल के आकार का या पैनकेक के आकार के सस्पेक्टर्स। विभिन्न संरचनाओं को अलग -अलग एपिटैक्सियल ग्रोथ तकनीकों के लिए अनुकूलित किया जाता है ताकि बेहतर वेफर उपज और परत एकरूपता सुनिश्चित हो सके।


आपकी आवश्यकता जो भी हो, वेटेक सेमीकंडक्टर आपको सर्वोत्तम उत्पाद और समाधान प्रदान कर सकता है। किसी भी समय अपने परामर्श के लिए आगे देख रहे हैं।


के बुनियादी भौतिक गुणसीवीडी एसआईसी कोटिंग:

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β पीएचASE Polycrystalline, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज सीze
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार
4.5 × 10-6K-1


गाड़ी की डिक्की अर्धचालकगण एपिटैक्सी सस्पेक्टर शॉप्स:

gan epitaxy susceptor shops

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    anny@veteksemi.com

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