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उच्च शुद्धता sic ब्रैकट पैडल
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उच्च शुद्धता sic ब्रैकट पैडल

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में उच्च शुद्धता SIC ब्रैकट पैडल उत्पाद का एक प्रमुख निर्माता और आपूर्तिकर्ता है। उच्च शुद्धता SIC कैंटिलीवर पैडल आमतौर पर अर्धचालक प्रसार भट्टियों में वेफर ट्रांसफर या लोडिंग प्लेटफार्मों के रूप में उपयोग की जाती हैं।

उच्च शुद्धता SIC कैंटिलीवर पैडल एक प्रमुख घटक है जिसका उपयोग अर्धचालक प्रसंस्करण उपकरणों में किया जाता है। उत्पाद उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) सामग्री से बना है।  ग्राहक स्वतंत्र रूप से sintered SIC सामग्री या recrystaled sic सामग्री का चयन कर सकते हैं। उच्च शुद्धता, उच्च थर्मल स्थिरता और संक्षारण प्रतिरोध की अपनी उत्कृष्ट विशेषताओं की मदद से, यह व्यापक रूप से वेफर ट्रांसफर, सपोर्ट और उच्च तापमान प्रसंस्करण जैसी प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है, प्रक्रिया सटीकता और उत्पाद की गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए विश्वसनीय गारंटी प्रदान करता है।


उच्च शुद्धता SIC कैंटिलीवर पैडल सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण प्रक्रिया में निम्नलिखित विशिष्ट भूमिका निभाता है:


वफ़र अंतरण: उच्च शुद्धता SIC कैंटिलीवर पैडल का उपयोग आमतौर पर उच्च तापमान प्रसार या ऑक्सीकरण भट्टियों में एक वेफर ट्रांसफर डिवाइस के रूप में किया जाता है। इसकी उच्च कठोरता इसे पहनने के लिए प्रतिरोधी बनाती है और दीर्घकालिक उपयोग के दौरान विकृत करना आसान नहीं है, और यह सुनिश्चित कर सकता है कि वेफर ट्रांसफर प्रक्रिया के दौरान सटीक रूप से तैनात रहता है। अपने उच्च तापमान और संक्षारण प्रतिरोध के साथ संयुक्त, यह वफ़र्स को किसी भी संदूषण या क्षति के कारण उच्च तापमान वातावरण में भट्ठी ट्यूब के अंदर और बाहर वेफर्स को सुरक्षित रूप से स्थानांतरित कर सकता है।


वफ़र समर्थन: SIC सामग्री में थर्मल विस्तार का एक कम गुणांक होता है, जिसका अर्थ है कि तापमान में परिवर्तन होने पर इसका आकार कम बदलता है, जो प्रक्रिया में सटीक नियंत्रण बनाए रखने में मदद करता है। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) या भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) प्रक्रियाओं में, एसआईसी कैंटिलीवर पैडल का उपयोग वेफर को समर्थन और ठीक करने के लिए किया जाता है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि वेफर बयान प्रक्रिया के दौरान स्थिर और सपाट रहता है, जिससे फिल्म की एकरूपता और गुणवत्ता में सुधार होता है।


Application of high temperature processes: SIC कैंटिलीवर पैडल में उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता है और 1600 ° C तक के तापमान का सामना कर सकता है। इसलिए, इस उत्पाद का उपयोग उच्च तापमान एनीलिंग, ऑक्सीकरण, प्रसार और अन्य प्रक्रियाओं में व्यापक रूप से किया जाता है।


उच्च शुद्धता sic कैंटिलीवर पैडल के बुनियादी भौतिक गुण:

पापी सिलिकॉन कार्बाइड के भौतिक गुण

संपत्ति

विशिष्ट मूल्य

रासायनिक रचना

Sic> 95% , और <5%

थोक घनत्व

> 3।07 ग्राम/सेमी।
स्पष्ट पोरसिटी
<0.1%
20 ℃ पर टूटना का मापांक
270 एमपीए
1200 पर टूटना का मापांक ℃
290 एमपीए
20 ℃ पर कठोरता
2400 किग्रा/mm²
20% पर फ्रैक्चर क्रूरता
3.3 एमपीए · एम1/2
1200 पर थर्मल चालकता ℃
45 डब्ल्यू/एम.के.
20-1200 पर थर्मल विस्तार ℃
4.5 × 10-6/℃
अधिकतम कार्य तापमान
1400 ℃
1200 पर थर्मल शॉक प्रतिरोध
अच्छा

पुनर्गणित सिलिकॉन कार्बाइड के भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
कामकाजी तापमान (° C)
1600 डिग्री सेल्सियस (ऑक्सीजन के साथ), 1700 डिग्री सेल्सियस (वातावरण को कम करना)
Sic सामग्री
> 99.96%
मुफ्त सी सामग्री
<0.1%
थोक घनत्व
2.60-2.70 ग्राम/सेमी3
स्पष्ट पोरसिटी
<16%
संपीड़न ताकत
> 600 एमपीए
ठंडे झुकने की ताकत
80-90 एमपीए (20 डिग्री सेल्सियस)
गर्म झुकने की ताकत
90-100 एमपीए (1400 डिग्री सेल्सियस)
थर्मल विस्तार @1500 डिग्री सेल्सियस
4.70 x 10-6/° C
थर्मल चालकता @1200 डिग्री सेल्सियस
23 w/m • k
लोचदार मापांक
240 जीपीए
थर्मल सदमे प्रतिरोध
बहुत ही अच्छा


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सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन:


Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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