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सीवीडी SiC कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर
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सीवीडी SiC कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर का CVD SiC कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर एक सटीक-इंजीनियर्ड उपकरण है जिसे सेमीकंडक्टर वेफर हैंडलिंग और प्रसंस्करण के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह SiC कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर पतली फिल्मों, एपिलेयर्स और अन्य कोटिंग्स के विकास को बढ़ावा देने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, और तापमान और सामग्री गुणों को सटीक रूप से नियंत्रित कर सकता है। आपकी आगे की पूछताछ का स्वागत है।

वेटेक्सेमिकॉन का सीवीडी सीआईसी कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर एक सटीक-इंजीनियर्ड उपकरण है जिसे सेमीकंडक्टर वेफर प्रसंस्करण के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह SiC कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर पतली फिल्मों, एपिलेयर्स और अन्य कोटिंग्स के विकास को बढ़ावा देने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, और तापमान और सामग्री गुणों को सटीक रूप से नियंत्रित कर सकता है। आपकी आगे की पूछताछ का स्वागत है।



बुनियादीCVD SiC कोटिंग के भौतिक गुण:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार
2~10μm
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान
2700℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता
300W·m-1·के-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)
4.5×10-6K-1

सीवीडी एसआईसी कोटिंग एपिटैक्सी ससेप्टर उत्पाद लाभ:


● सटीक बयान: सब्सट्रेट (जैसे नीलमणि, SiC या GaN) के लिए एक स्थिर समर्थन मंच प्रदान करने के लिए सबसेप्टर एक SiC कोटिंग के साथ एक अत्यधिक तापीय प्रवाहकीय ग्रेफाइट सब्सट्रेट को जोड़ता है। इसकी उच्च तापीय चालकता (जैसे कि SiC लगभग 120 W/m·K है) तेजी से गर्मी स्थानांतरित कर सकती है और सब्सट्रेट सतह पर समान तापमान वितरण सुनिश्चित कर सकती है, जिससे एपिटैक्सियल परत की उच्च गुणवत्ता वाली वृद्धि को बढ़ावा मिलता है।

● संदूषण में कमी: सीवीडी प्रक्रिया द्वारा तैयार की गई SiC कोटिंग में अत्यधिक शुद्धता (अशुद्धता सामग्री <5 पीपीएम) होती है और यह संक्षारक गैसों (जैसे कि सीएल₂, एनएच₃) के प्रति अत्यधिक प्रतिरोधी होती है, जो एपिटैक्सियल परत के संदूषण से बचती है।

● सहनशीलता: SiC की उच्च कठोरता (Mohs कठोरता 9.5) और पहनने का प्रतिरोध बार-बार उपयोग के दौरान आधार के यांत्रिक नुकसान को कम करता है और उच्च आवृत्ति अर्धचालक उत्पादन प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त है।



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