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G5 के लिए GaN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट रिसेप्टर
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G5 के लिए GaN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट रिसेप्टर

Vetek सेमीकंडक्टर एक पेशेवर निर्माता और आपूर्तिकर्ता है, जो G5 के लिए उच्च गुणवत्ता वाले GAN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट सूसोसेप्टर प्रदान करने के लिए समर्पित है। हमने अपने ग्राहकों के विश्वास और सम्मान को अर्जित करते हुए, देश और विदेश में कई प्रसिद्ध कंपनियों के साथ दीर्घकालिक और स्थिर साझेदारी स्थापित की है।

Vetek सेमीकंडक्टर G5 निर्माता और आपूर्तिकर्ता के लिए एक पेशेवर चीन GAN GAN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट सूसोसेप्टर है। G5 के लिए GAN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट सूसोसेप्टर एक महत्वपूर्ण घटक है जिसका उपयोग Aixtron G5 धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) प्रणाली में उच्च गुणवत्ता वाले गैलियम नाइट्राइड (GAN) पतली फिल्मों के विकास के लिए किया जाता है, यह समान तापमान सुनिश्चित करने में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। वितरण, कुशल गर्मी हस्तांतरण, और विकास प्रक्रिया के दौरान न्यूनतम संदूषण।


G5 के लिए Vetek सेमीकंडक्टर GAN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट की प्रमुख विशेषताएं:

-उच्च शुद्धता: ससेप्टर सीवीडी कोटिंग के साथ अत्यधिक शुद्ध ग्रेफाइट से बना है, जो बढ़ती GaN फिल्मों के संदूषण को कम करता है।

-एक्सेलेंट थर्मल चालकता: ग्रेफाइट की उच्च तापीय चालकता (150-300 w/(m · k)) सुस्पष्टता के पार समान तापमान वितरण सुनिश्चित करती है, जिससे लगातार GAN फिल्म विकास होता है।

-LOW थर्मल विस्तार: सूसप्लेर का कम थर्मल विस्तार गुणांक उच्च-तापमान वृद्धि प्रक्रिया के दौरान थर्मल तनाव और क्रैकिंग को कम करता है।

-कैमिक इनर्टनेस: ग्रेफाइट रासायनिक रूप से अक्रिय है और GAN अग्रदूतों के साथ प्रतिक्रिया नहीं करता है, जिससे विकसित फिल्मों में अवांछित अशुद्धियों को रोका जाता है।

Aixtron G5 के साथ -कैम्पैटिबिलिटी: Soucceptor को विशेष रूप से AixTron G5 MoCVD सिस्टम में उपयोग के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो उचित फिट और कार्यक्षमता सुनिश्चित करता है।


अनुप्रयोग:

उच्च-उज्ज्वल एलईडी: GAN- आधारित एलईडी उच्च दक्षता और लंबे जीवनकाल की पेशकश करते हैं, जो उन्हें सामान्य प्रकाश व्यवस्था, मोटर वाहन प्रकाश व्यवस्था और प्रदर्शन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाते हैं।

उच्च-शक्ति ट्रांजिस्टर: GaN ट्रांजिस्टर बिजली घनत्व, दक्षता और स्विचिंग गति के मामले में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करते हैं, जो उन्हें बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।

लेजर डायोड: GAN- आधारित लेजर डायोड उच्च दक्षता और लघु तरंग दैर्ध्य प्रदान करते हैं, जो उन्हें ऑप्टिकल स्टोरेज और संचार अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाते हैं।


G5 के लिए GaN एपिटैक्सियल ग्रेफाइट ससेप्टर का उत्पाद पैरामीटर

आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट के भौतिक गुण
संपत्ति इकाई विशिष्ट मूल्य
थोक घनत्व g/cm g 1.83
कठोरता एचएसडी 58
विद्युत प्रतिरोधकता μ μ। 10
आनमनी सार्मथ्य एमपीए 47
सम्पीडक क्षमता एमपीए 103
तन्यता ताकत एमपीए 31
यंग मापांक जीपीए 11.8
थर्मल विस्तार (सीटीई) 10-6K-1 4.6
ऊष्मीय चालकता डब्ल्यू·एम-1· K-1 130
औसत अनाज का आकार माइक्रोन 8-10
सरंध्रता % 10
राख सामग्री पीपीएम ≤10 (शुद्ध होने के बाद)

नोट: कोटिंग से पहले, हम कोटिंग के बाद, पहले शोधन करेंगे, दूसरा शुद्धि करेंगे।


CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार 2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे·किग्रा-1· K-1
उर्ध्वपातन तापमान 2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता 300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार (सीटीई) 4.5 × 10-6K-1


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