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ईपीआई रिसीवर पार्ट्स
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ईपीआई रिसीवर पार्ट्स

सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल वृद्धि की मुख्य प्रक्रिया में, वेटेक्सेमिकॉन समझता है कि रिसेप्टर प्रदर्शन सीधे एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता और उत्पादन दक्षता निर्धारित करता है। हमारे उच्च शुद्धता वाले ईपीआई रिसेप्टर्स, विशेष रूप से SiC क्षेत्र के लिए डिज़ाइन किए गए, एक विशेष ग्रेफाइट सब्सट्रेट और घने CVD SiC कोटिंग का उपयोग करते हैं। अपनी बेहतर थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध और बेहद कम कण उत्पादन दर के साथ, वे कठोर उच्च तापमान प्रक्रिया वातावरण में भी ग्राहकों के लिए अद्वितीय मोटाई और डोपिंग एकरूपता सुनिश्चित करते हैं। वेटेक्सेमिकॉन को चुनने का अर्थ है अपनी उन्नत सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रियाओं के लिए विश्वसनीयता और प्रदर्शन की आधारशिला चुनना।

सामान्य उत्पाद जानकारी


उत्पत्ति का स्थान:
चीन
ब्रांड का नाम:
मेरा प्रतिद्वंद्वी
मॉडल संख्या:
ईपीआई रिसीवर भाग-01
प्रमाणीकरण:
ISO9001


उत्पाद व्यवसाय की शर्तें


न्यूनतम आदेश मात्रा:
बातचीत के अधीन
कीमत:
अनुकूलित कोटेशन के लिए संपर्क करें
पैकेजिंग विवरण:
मानक निर्यात पैकेज
डिलीवरी का समय:
डिलीवरी का समय: ऑर्डर की पुष्टि के 30-45 दिन बाद
भुगतान की शर्तें:
टी/टी
आपूर्ति की योग्यता:
100यूनिट/महीना


आवेदन: SiC एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में अंतिम प्रदर्शन और उपज की खोज में, वेटेकसेमिकॉन ईपीआई ससेप्टर उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता और एकरूपता प्रदान करता है, जो बिजली और आरएफ उपकरणों के प्रदर्शन में सुधार और समग्र लागत को कम करने के लिए एक महत्वपूर्ण समर्थन बन जाता है।

सेवाएँ जो प्रदान की जा सकती हैं: ग्राहक एप्लिकेशन परिदृश्य विश्लेषण, मिलान सामग्री, तकनीकी समस्या समाधान। 

कंपनी प्रोफाइल:वेटेक्सेमिकॉन में 2 प्रयोगशालाएं हैं, 20 वर्षों के सामग्री अनुभव वाले विशेषज्ञों की एक टीम, अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन, परीक्षण और सत्यापन क्षमताओं के साथ।


तकनीकी मापदंड

परियोजना
पैरामीटर
मूलभूत सामग्री
उच्च शुद्धता वाला आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट
लेपित सामग्री
उच्च शुद्धता सीवीडी SiC
कोटिंग की मोटाई
ग्राहक प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन उपलब्ध है (सामान्य मूल्य: 100±20μm)।
पवित्रता
> 99.9995% (SiC कोटिंग)
अधिकतम परिचालन तापमान
> 1650°C
थर्मल विस्तार का गुणांक
SiC वेफर्स के साथ अच्छा मेल
सतह का खुरदरापन
रा <1.0 μm (अनुरोध पर समायोज्य)


वेटेक्सेमिकॉन ईपीआई कॉन्ट्रैक्टर पार्ट के मुख्य लाभ


1. परम एकरूपता सुनिश्चित करें

सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में, यहां तक ​​कि माइक्रोन-स्तर की मोटाई में उतार-चढ़ाव और डोपिंग असमानताएं सीधे अंतिम डिवाइस के प्रदर्शन और उपज को प्रभावित करती हैं। वेटेक्सेमिकॉन ईपीआई ससेप्टर सटीक थर्मोडायनामिक सिमुलेशन और संरचनात्मक डिजाइन के माध्यम से प्रतिक्रिया कक्ष के भीतर इष्टतम थर्मल क्षेत्र वितरण प्राप्त करता है। एक उच्च तापीय चालकता सब्सट्रेट का हमारा चयन, एक अद्वितीय सतह उपचार प्रक्रिया के साथ मिलकर, यह सुनिश्चित करता है कि वेफर की सतह पर किसी भी बिंदु पर तापमान अंतर को उच्च गति रोटेशन और उच्च तापमान वातावरण के तहत भी बेहद छोटी सीमा के भीतर नियंत्रित किया जाता है। इससे जो प्रत्यक्ष मूल्य प्राप्त होता है वह उत्कृष्ट एकरूपता के साथ अत्यधिक प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्य, बैच-टू-बैच एपिटैक्सियल परत है, जो उच्च-प्रदर्शन, अत्यधिक सुसंगत पावर चिप्स के निर्माण के लिए एक ठोस आधार रखता है।


2. उच्च तापमान की चुनौती का विरोध करना

SiC एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं को आमतौर पर 1500 डिग्री सेल्सियस से अधिक तापमान पर लंबे समय तक संचालन की आवश्यकता होती है, जो किसी भी सामग्री के लिए एक गंभीर चुनौती है। वेटेकसेमिकॉन ससेप्टर विशेष रूप से उपचारित आइसोस्टैटिक रूप से दबाए गए ग्रेफाइट का उपयोग करता है, जिसकी उच्च तापमान वाली लचीली ताकत और रेंगना प्रतिरोध सामान्य ग्रेफाइट से कहीं अधिक है। सैकड़ों घंटों तक लगातार उच्च तापमान वाली थर्मल साइक्लिंग के बाद भी, हमारा उत्पाद अपनी प्रारंभिक ज्यामिति और यांत्रिक शक्ति को बनाए रखता है, प्रभावी ढंग से वेफर वॉरपेज, स्लिपेज, या ट्रे विरूपण के कारण प्रक्रिया गुहा संदूषण जोखिमों को रोकता है, मूल रूप से उत्पादन गतिविधियों की निरंतरता और सुरक्षा सुनिश्चित करता है।


3. प्रक्रिया स्थिरता को अधिकतम करें

वेफ़र निर्माण में उत्पादन में रुकावटें और अनियोजित रखरखाव प्रमुख लागत नाशक हैं। वेटेक्सेमिकॉन प्रक्रिया स्थिरता को ससेप्टर के लिए एक मुख्य मीट्रिक मानता है। हमारी पेटेंटेड CVD SiC कोटिंग घनी, गैर-छिद्रपूर्ण है, और इसमें दर्पण जैसी चिकनी सतह है। यह न केवल उच्च तापमान वाले वायुप्रवाह के तहत कणों के बहाव को काफी हद तक कम कर देता है, बल्कि ट्रे की सतह पर प्रतिक्रिया उपोत्पादों (जैसे पॉलीक्रिस्टलाइन SiC) के आसंजन को भी काफी धीमा कर देता है। इसका मतलब है कि आपका प्रतिक्रिया कक्ष लंबे समय तक साफ रह सकता है, नियमित सफाई और रखरखाव के बीच अंतराल बढ़ा सकता है, जिससे समग्र उपकरण उपयोग और थ्रूपुट में सुधार होगा।


4. सेवा जीवन बढ़ाएँ

एक उपभोज्य घटक के रूप में, रिसेप्टर्स की प्रतिस्थापन आवृत्ति सीधे उत्पादन परिचालन लागत को प्रभावित करती है। वेटेक्सेमिकॉन दोहरे तकनीकी दृष्टिकोण के माध्यम से उत्पाद का जीवनकाल बढ़ाता है: "सब्सट्रेट अनुकूलन" और "कोटिंग वृद्धि।" एक उच्च-घनत्व, कम-छिद्रता वाला ग्रेफाइट सब्सट्रेट प्रक्रिया गैसों द्वारा सब्सट्रेट के प्रवेश और क्षरण को प्रभावी ढंग से धीमा कर देता है; साथ ही, हमारी मोटी और समान SiC कोटिंग एक मजबूत अवरोधक के रूप में कार्य करती है, जो उच्च तापमान पर उर्ध्वपातन को महत्वपूर्ण रूप से दबा देती है। वास्तविक दुनिया के परीक्षण से पता चलता है कि, समान प्रक्रिया स्थितियों के तहत, वेटेकसेमिकॉन ससेप्टर्स धीमी प्रदर्शन गिरावट दर और लंबे समय तक प्रभावी सेवा जीवन प्रदर्शित करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप प्रति-वेफर परिचालन लागत कम होती है।



5. पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन समर्थन

वेटेक्सेमिकॉन ईपीआई ससेप्टर पार्ट' पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन उत्पादन के लिए कच्चे माल को कवर करता है, अंतरराष्ट्रीय मानक प्रमाणीकरण पारित कर चुका है, और सेमीकंडक्टर और नई ऊर्जा क्षेत्रों में इसकी विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए कई पेटेंट प्रौद्योगिकियां हैं।


विस्तृत तकनीकी विशिष्टताओं, श्वेत पत्रों, या नमूना परीक्षण व्यवस्थाओं के लिए, कृपया हमारी तकनीकी सहायता टीम से संपर्क करें ताकि पता लगाया जा सके कि वेटेक्सेमिकॉन आपकी प्रक्रिया दक्षता को कैसे बढ़ा सकता है।


मुख्य अनुप्रयोग फ़ील्ड


आवेदन दिशा
विशिष्ट परिदृश्य
बिजली के इलेक्ट्रॉनिक्स
इलेक्ट्रिक वाहनों और औद्योगिक मोटर ड्राइव के निर्माण में SiC MOSFETs और शोट्की डायोड जैसे बिजली उपकरणों का उपयोग किया जाता है।
रेडियो फ्रीक्वेंसी संचार
5G बेस स्टेशनों और रडार के लिए GaN-on-SiC रेडियो फ़्रीक्वेंसी पावर एम्पलीफायर डिवाइस (RF HEMTs) विकसित करने के लिए एपिटैक्सियल परतें।
अत्याधुनिक अनुसंधान एवं विकास
यह अगली पीढ़ी के वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्रियों और डिवाइस संरचनाओं की प्रक्रिया विकास और सत्यापन का कार्य करता है।


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