सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग

हाफमून एक ग्रेफाइट घटक है जिसका उपयोग एलपीई सीआईसी रिएक्टरों के अंदर किया जाता है, जो मुख्य रूप से चैम्बर हॉट जोन के आसपास स्थापित होता है। यद्यपि यह सीधे वेफर से संपर्क नहीं करता है, फिर भी यह एपिटैक्सियल विकास के दौरान गैस प्रवाह स्थिरता और रिएक्टर संचालन में भूमिका निभाता है। उच्च तापमान और प्रतिक्रियाशील प्रक्रिया स्थितियों को संभालने के लिए, घटक को आमतौर पर सीवीडी SiC कोटिंग के साथ संरक्षित किया जाता है, जबकि TaC कोटिंग कुछ अनुप्रयोगों के लिए भी उपलब्ध है। VETEK SiC एपिटैक्सी सिस्टम के लिए ग्रेफाइट फेल्ट इंसुलेशन और अन्य लेपित ग्रेफाइट भागों की भी आपूर्ति करता है।

8-इंच SiC एपी टॉप रिंग सेमीकंडक्टर रिएक्टरों के लिए एक हार्डवेयर हिस्सा है। यह Si/SiC एपिटैक्सी और MOCVD/CVD सिस्टम के अंदर काम करता है। यह रिंग चैम्बर के अंदर की गर्मी को स्थिर करती है। यह गैसों के प्रवाह को भी नियंत्रित करता है। सामग्री उच्च शुद्धता सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड है। इसमें ग्रेफाइट की अत्यधिक गैसीय समस्या नहीं है। यह उत्पादन के दौरान कण संदूषण को भी कम करता है। हम आपकी पूछताछ का स्वागत करते हैं।

VETEK MOCVD SiC कोटेड ससेप्टर एक सटीक-इंजीनियर्ड कैरियर समाधान है जिसे विशेष रूप से एलईडी और कंपाउंड सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए विकसित किया गया है। यह जटिल MOCVD वातावरण के भीतर असाधारण तापीय एकरूपता और रासायनिक जड़ता को प्रदर्शित करता है। VETEK की कठोर सीवीडी जमाव प्रक्रिया का लाभ उठाते हुए, हम वेफर विकास स्थिरता को बढ़ाने और मुख्य घटकों की सेवा जीवन का विस्तार करने, आपके अर्धचालक उत्पादन के प्रत्येक बैच के लिए स्थिर और विश्वसनीय प्रदर्शन आश्वासन प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

वेटेकसेमिकॉन सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) फोकसिंग रिंग एक महत्वपूर्ण उपभोज्य घटक है जिसका उपयोग उन्नत सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी और प्लाज्मा नक़्क़ाशी प्रक्रियाओं में किया जाता है, जहां प्लाज्मा वितरण, थर्मल एकरूपता और वेफर एज प्रभाव का सटीक नियंत्रण आवश्यक है। उच्च शुद्धता वाले ठोस सिलिकॉन कार्बाइड से निर्मित, यह फोकसिंग रिंग असाधारण प्लाज्मा क्षरण प्रतिरोध, उच्च तापमान स्थिरता और रासायनिक जड़ता प्रदर्शित करती है, जो आक्रामक प्रक्रिया स्थितियों के तहत विश्वसनीय प्रदर्शन को सक्षम करती है। हम आपकी पूछताछ की प्रतीक्षा कर रहे हैं.

वेटेक्सेमिकॉन SiC कोटेड एपिटैक्सियल रिएक्टर चैम्बर एक मुख्य घटक है जिसे सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल विकास प्रक्रियाओं की मांग के लिए डिज़ाइन किया गया है। उन्नत रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) का उपयोग करते हुए, यह उत्पाद उच्च शक्ति वाले ग्रेफाइट सब्सट्रेट पर एक घनी, उच्च शुद्धता वाली सीआईसी कोटिंग बनाता है, जिसके परिणामस्वरूप बेहतर उच्च तापमान स्थिरता और संक्षारण प्रतिरोध होता है। यह उच्च तापमान प्रक्रिया वातावरण में प्रतिक्रियाशील गैसों के संक्षारक प्रभावों का प्रभावी ढंग से प्रतिरोध करता है, कण संदूषण को महत्वपूर्ण रूप से दबाता है, लगातार एपिटैक्सियल सामग्री की गुणवत्ता और उच्च उपज सुनिश्चित करता है, और प्रतिक्रिया कक्ष के रखरखाव चक्र और जीवनकाल को काफी हद तक बढ़ाता है। यह SiC और GaN जैसे वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर्स की विनिर्माण दक्षता और विश्वसनीयता में सुधार के लिए एक महत्वपूर्ण विकल्प है।

सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल वृद्धि की मुख्य प्रक्रिया में, वेटेक्सेमिकॉन समझता है कि रिसेप्टर प्रदर्शन सीधे एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता और उत्पादन दक्षता निर्धारित करता है। हमारे उच्च शुद्धता वाले ईपीआई रिसेप्टर्स, विशेष रूप से SiC क्षेत्र के लिए डिज़ाइन किए गए, एक विशेष ग्रेफाइट सब्सट्रेट और घने CVD SiC कोटिंग का उपयोग करते हैं। अपनी बेहतर थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध और बेहद कम कण उत्पादन दर के साथ, वे कठोर उच्च तापमान प्रक्रिया वातावरण में भी ग्राहकों के लिए अद्वितीय मोटाई और डोपिंग एकरूपता सुनिश्चित करते हैं। वेटेक्सेमिकॉन को चुनने का अर्थ है अपनी उन्नत सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रियाओं के लिए विश्वसनीयता और प्रदर्शन की आधारशिला चुनना।