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SiC लेपित एपिटैक्सियल रिएक्टर कक्ष
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SiC लेपित एपिटैक्सियल रिएक्टर कक्ष

वेटेक्सेमिकॉन SiC कोटेड एपिटैक्सियल रिएक्टर चैम्बर एक मुख्य घटक है जिसे सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल विकास प्रक्रियाओं की मांग के लिए डिज़ाइन किया गया है। उन्नत रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) का उपयोग करते हुए, यह उत्पाद उच्च शक्ति वाले ग्रेफाइट सब्सट्रेट पर एक घनी, उच्च शुद्धता वाली सीआईसी कोटिंग बनाता है, जिसके परिणामस्वरूप बेहतर उच्च तापमान स्थिरता और संक्षारण प्रतिरोध होता है। यह उच्च तापमान प्रक्रिया वातावरण में प्रतिक्रियाशील गैसों के संक्षारक प्रभावों का प्रभावी ढंग से प्रतिरोध करता है, कण संदूषण को महत्वपूर्ण रूप से दबाता है, लगातार एपिटैक्सियल सामग्री की गुणवत्ता और उच्च उपज सुनिश्चित करता है, और प्रतिक्रिया कक्ष के रखरखाव चक्र और जीवनकाल को काफी हद तक बढ़ाता है। यह SiC और GaN जैसे वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर्स की विनिर्माण दक्षता और विश्वसनीयता में सुधार के लिए एक महत्वपूर्ण विकल्प है।

सामान्य उत्पाद जानकारी

उत्पत्ति का स्थान:
चीन
ब्रांड का नाम:
मेरा प्रतिद्वंद्वी
मॉडल संख्या:
SiC लेपित एपिटैक्सियल रिएक्टर चैम्बर-01
प्रमाणीकरण:
ISO9001

उत्पाद व्यवसाय की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा:
बातचीत के अधीन
कीमत:
अनुकूलित कोटेशन के लिए संपर्क करें
पैकेजिंग विवरण:
मानक निर्यात पैकेज
डिलीवरी का समय:
डिलीवरी का समय: ऑर्डर की पुष्टि के 30-45 दिन बाद
भुगतान की शर्तें:
टी/टी
आपूर्ति की योग्यता:
100यूनिट/महीना

आवेदन: वेटेक्सेमिकॉन SiC लेपित एपिटैक्सियल रिएक्टर चैम्बर को सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं की मांग के लिए डिज़ाइन किया गया है। अत्यंत शुद्ध और स्थिर उच्च तापमान वाला वातावरण प्रदान करके, यह SiC और GaN एपिटैक्सियल वेफर्स की गुणवत्ता में काफी सुधार करता है, जिससे यह उच्च-प्रदर्शन पावर चिप्स और आरएफ उपकरणों के निर्माण के लिए एक महत्वपूर्ण आधारशिला बन जाता है।

सेवाएँ जो प्रदान की जा सकती हैं: ग्राहक एप्लिकेशन परिदृश्य विश्लेषण, मिलान सामग्री, तकनीकी समस्या समाधान।

कंपनी प्रोफाइल:वेटेक्सेमिकॉन में 2 प्रयोगशालाएं हैं, 20 वर्षों के सामग्री अनुभव वाले विशेषज्ञों की एक टीम, अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन, परीक्षण और सत्यापन क्षमताओं के साथ।


तकनीकी मापदंड

परियोजना
पैरामीटर
मूलभूत सामग्री
उच्च शक्ति वाला ग्रेफाइट
कोटिंग प्रक्रिया
सीवीडी SiC कोटिंग
कोटिंग की मोटाई
ग्राहक प्रक्रिया को पूरा करने के लिए अनुकूलन उपलब्ध हैआवश्यकताएँ (सामान्य मान: 100±20μm)।
पवित्रता
> 99.9995% (SiC कोटिंग)
अधिकतम परिचालन तापमान
> 1650°C
ऊष्मीय चालकता
120 डब्लू/एम·के
लागू प्रक्रियाएं
SiC एपिटैक्सी, GaN एपिटैक्सी, MOCVD/CVD
संगत उपकरण
मुख्यधारा एपिटैक्सियल रिएक्टर (जैसे ऐक्सट्रॉन और एएसएम)


वेटेक्सेमिकॉन SiC लेपित एपिटैक्सियल रिएक्टर चैम्बर के मुख्य लाभ


1. सुपर संक्षारण प्रतिरोध

वेटेक्सेमिकॉन का प्रतिक्रिया कक्ष सब्सट्रेट सतह पर एक बेहद घने, उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग को जमा करने के लिए एक मालिकाना सीवीडी प्रक्रिया को नियोजित करता है। यह कोटिंग एचसीएल और एच2 जैसी उच्च तापमान वाली संक्षारक गैसों के क्षरण को प्रभावी ढंग से रोकती है, जो आमतौर पर SiC एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में सामने आती हैं, जो मूल रूप से सतह के सरंध्रता और कण बहाव की समस्याओं को हल करती है जो लंबे समय तक उपयोग के बाद पारंपरिक ग्रेफाइट घटकों में हो सकती हैं। यह विशेषता सुनिश्चित करती है कि प्रतिक्रिया कक्ष की आंतरिक दीवार सैकड़ों घंटों के निरंतर संचालन के बाद भी चिकनी बनी रहे, जिससे कक्ष संदूषण के कारण होने वाले वेफर दोषों में काफी कमी आती है।


2. उच्च तापमान स्थिरता

सिलिकॉन कार्बाइड के उत्कृष्ट थर्मल गुणों के लिए धन्यवाद, यह प्रतिक्रिया कक्ष 1600 डिग्री सेल्सियस तक निरंतर ऑपरेटिंग तापमान को आसानी से सहन कर सकता है। थर्मल विस्तार का इसका बेहद कम गुणांक यह सुनिश्चित करता है कि घटक बार-बार तेजी से गर्म करने और ठंडा करने के दौरान थर्मल तनाव के संचय को कम करते हैं, जिससे थर्मल थकान के कारण माइक्रोक्रैक या संरचनात्मक क्षति को रोका जा सकता है। यह उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं के लिए एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया विंडो और विश्वसनीयता की गारंटी प्रदान करती है, विशेष रूप से SiC होमोएपिटैक्सी जिसके लिए उच्च तापमान वाले वातावरण की आवश्यकता होती है।


3. उच्च शुद्धता और कम प्रदूषण

हम अंतिम डिवाइस प्रदर्शन पर एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता के निर्णायक प्रभाव से भली-भांति परिचित हैं। इसलिए, वेटेक्सेमिकॉन उच्चतम संभव कोटिंग शुद्धता का पालन करता है, यह सुनिश्चित करते हुए कि यह 99.9995% से अधिक के स्तर तक पहुंच जाए। ऐसी उच्च शुद्धता उच्च तापमान पर प्रक्रिया वातावरण में धात्विक अशुद्धियों (जैसे Fe, Cr, Ni, आदि) के प्रवास को प्रभावी ढंग से रोकती है, इस प्रकार एपिटैक्सियल परत क्रिस्टल की गुणवत्ता पर इन अशुद्धियों के घातक प्रभाव से बचती है। यह उच्च-प्रदर्शन, उच्च-विश्वसनीयता वाले पावर अर्धचालक और रेडियो फ्रीक्वेंसी उपकरणों के निर्माण के लिए एक ठोस सामग्री आधार तैयार करता है।


4. लंबे जीवन वाला डिज़ाइन

अनकोटेड या पारंपरिक ग्रेफाइट घटकों की तुलना में, SiC कोटिंग्स द्वारा संरक्षित प्रतिक्रिया कक्ष कई गुना अधिक सेवा जीवन प्रदान करते हैं। यह मुख्य रूप से सब्सट्रेट की कोटिंग की व्यापक सुरक्षा के कारण है, जो संक्षारक प्रक्रिया गैसों के साथ सीधे संपर्क को रोकता है। यह विस्तारित जीवनकाल सीधे महत्वपूर्ण लागत लाभों में तब्दील हो जाता है - ग्राहक उपकरण के डाउनटाइम, स्पेयर पार्ट्स की खरीद और चैम्बर घटकों के आवधिक प्रतिस्थापन से जुड़े रखरखाव श्रम लागत को काफी हद तक कम कर सकते हैं, जिससे समग्र उत्पादन परिचालन लागत प्रभावी ढंग से कम हो जाती है।


5. पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन समर्थन

वेटेक्सेमिकॉन SiC लेपित एपिटैक्सियल रिएक्टर चैंबर की पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन उत्पादन के लिए कच्चे माल को कवर करता है, अंतरराष्ट्रीय मानक प्रमाणीकरण पारित कर चुका है, और सेमीकंडक्टर और नई ऊर्जा क्षेत्रों में इसकी विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए कई पेटेंट प्रौद्योगिकियां हैं।


विस्तृत तकनीकी विशिष्टताओं, श्वेत पत्रों, या नमूना परीक्षण व्यवस्थाओं के लिए, कृपया हमारी तकनीकी सहायता टीम से संपर्क करें ताकि पता लगाया जा सके कि वेटेक्सेमिकॉन आपकी प्रक्रिया दक्षता को कैसे बढ़ा सकता है।


मुख्य अनुप्रयोग फ़ील्ड

आवेदन दिशा
विशिष्ट परिदृश्य
पावर सेमीकंडक्टर विनिर्माण
SiC MOSFET और डायोड एपीटैक्सियल वृद्धि
आरएफ उपकरण
GaN-on-SiC आरएफ डिवाइस एपिटैक्सियल प्रक्रिया
Optoelectronics
एलईडी और लेजर एपिटैक्सियल सब्सट्रेट प्रसंस्करण

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    +86-18069220752

  • ईमेल

    anny@veteksemi.com

सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग, टैंटलम कार्बाइड कोटिंग, विशेष ग्रेफाइट या मूल्य सूची के बारे में पूछताछ के लिए, कृपया अपना ईमेल हमें छोड़ दें और हम 24 घंटों के भीतर संपर्क करेंगे।
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