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Cvd sic लेपित वेफर बैरल धारक
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Cvd sic लेपित वेफर बैरल धारक

CVD SIC कोटेड वेफर बैरल धारक एपिटैक्सियल ग्रोथ भट्टी का प्रमुख घटक है, जिसका उपयोग व्यापक रूप से MOCVD एपिटैक्सियल ग्रोथ भट्टियों में किया जाता है। Vetek सेमीकंडक्टर आपको अत्यधिक अनुकूलित उत्पाद प्रदान करता है। कोई फर्क नहीं पड़ता कि सीवीडी एसआईसी कोटेड वेफर बैरल धारक के लिए आपकी आवश्यकताएं क्या हैं, हमसे परामर्श करने के लिए आपका स्वागत है।

धातु कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) वर्तमान में सबसे हॉट एपिटैक्सियल ग्रोथ टेक्नोलॉजी है, जिसका उपयोग व्यापक रूप से सेमीकंडक्टर लेज़रों और एलईडी के निर्माण में किया जाता है, विशेष रूप से गान एपिटैक्सी। एपिटैक्सी एक क्रिस्टल सब्सट्रेट पर एक और एकल क्रिस्टल फिल्म के विकास को संदर्भित करता है। एपिटैक्सी तकनीक यह सुनिश्चित कर सकती है कि नई विकसित क्रिस्टल फिल्म संरचनात्मक रूप से अंतर्निहित क्रिस्टल सब्सट्रेट के साथ संरेखित है। यह तकनीक सब्सट्रेट पर विशिष्ट गुणों के साथ फिल्मों के विकास की अनुमति देती है, जो उच्च-प्रदर्शन अर्धचालक उपकरणों के निर्माण के लिए आवश्यक है।


वेफर बैरल धारक एपिटैक्सियल ग्रोथ भट्टी का एक प्रमुख घटक है। CVD SIC कोटिंग वेफर होल्डर का व्यापक रूप से विभिन्न CVD एपिटैक्सियल ग्रोथ भट्टियों में उपयोग किया जाता है, विशेष रूप से MOCVD एपिटैक्सियल ग्रोथ फर्नेस।


VeTek Semiconductor SiC Coated Barrel Susceptor products

फ़ंक्शन और फ़ेcvd sic लेपित वेफर बैरल धारक के atures


● सब्सट्रेट ले जाना और हीटिंग: CVD SIC कोटेड बैरल Suscector का उपयोग सब्सट्रेट ले जाने और MOCVD प्रक्रिया के दौरान आवश्यक हीटिंग प्रदान करने के लिए किया जाता है। CVD SIC कोटेड वेफर बैरल धारक उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट और SIC कोटिंग से बना है, और इसमें उत्कृष्ट प्रदर्शन है।


● एकरूपता: MOCVD प्रक्रिया के दौरान, ग्रेफाइट बैरल धारक एपिटैक्सियल परत की समान वृद्धि को प्राप्त करने के लिए लगातार घूमता है।


● थर्मल स्थिरता और थर्मल एकरूपता: एसआईसी कोटेड बैरल सूस्वियों के एसआईसी कोटिंग में उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता और थर्मल एकरूपता होती है, जिससे एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता सुनिश्चित होती है।


● संदूषण से बचें: सीवीडी एसआईसी कोटेड वेफर बैरल धारक के पास शानदार स्थिरता है, ताकि यह ऑपरेशन के दौरान गिरने वाले दूषित पदार्थों का उत्पादन न करे।


● अल्ट्रा-लॉन्ग सर्विस लाइफ: SIC कोटिंग के कारण, CVD SIC कोटेड BArrel Soucceptor के पास अभी भी MOCVD के उच्च तापमान और संक्षारक गैस वातावरण में पर्याप्त स्थायित्व है।


Schematic of the CVD Barrel Susceptor

बैरल सीवीडी रिएक्टर का योजनाबद्ध


वेटेक सेमीकंडक्टर के सीवीडी एसआईसी कोटेड वेफर बैरल धारक की सबसे बड़ी विशेषता



● अनुकूलन की उच्चतम डिग्री: ग्रेफाइट सब्सट्रेट की भौतिक संरचना, एसआईसी कोटिंग की सामग्री संरचना और मोटाई, और वेफर धारक की संरचना सभी को ग्राहकों की जरूरतों के अनुसार अनुकूलित किया जा सकता है।


● अन्य आपूर्तिकर्ताओं से आगे होना: ईपीआई के लिए वेटेक सेमीकंडक्टर के एसआईसी लेपित ग्रेफाइट बैरल सूसोसेप्टर को भी ग्राहकों की जरूरतों के अनुसार अनुकूलित किया जा सकता है। आंतरिक दीवार पर, हम ग्राहकों की जरूरतों का जवाब देने के लिए जटिल पैटर्न बना सकते हैं।



अपनी स्थापना के बाद से, वेटेक सेमीकंडक्टर एसआईसी कोटिंग प्रौद्योगिकी की निरंतर खोज के लिए प्रतिबद्ध है। आज, वेटेक सेमीकंडक्टर के पास उद्योग की प्रमुख एसआईसी कोटिंग उत्पाद ताकत है। वेटेक सेमीकंडक्टर सीवीडी एसआईसी कोटेड वेफर बैरल धारक उत्पादों में अपने साथी बनने के लिए तत्पर है।


CVD SIC कोटिंग फिल्म क्रिस्टल संरचना का SEM डेटा

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार
4.5 × 10-6K-1

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