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MOCVD समर्थन
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MOCVD समर्थन

MOCVD Soucceptor को ग्रहों के डिस्क और एपिटैक्सी में स्थिर प्रदर्शन के लिए प्रोफेशनल के साथ विशेषता है। वेटेक सेमीकंडक्टर को इस उत्पाद के मशीनिंग और सीवीडी एसआईसी कोटिंग में समृद्ध अनुभव है, वास्तविक मामलों के बारे में हमारे साथ संवाद करने के लिए स्वागत है।

के रूप मेंसीवीडी एसआईसी कोटिंगनिर्माता, वेटेक सेमीकंडक्टर के पास आपको Aixtron G5 MoCVD सेंसेस प्रदान करने की क्षमता है जो उच्च शुद्धता ग्रेफाइट और CVD SIC कोटिंग (5ppm से नीचे) से बना है। 


माइक्रो एलईडी प्रौद्योगिकी मौजूदा एलईडी पारिस्थितिकी तंत्र को तरीकों और दृष्टिकोणों के साथ बाधित कर रही है जो अब तक केवल एलसीडी या सेमीकंडक्टर उद्योगों में देखी गई हैं, और AIXTRON G5 MOCVD सिस्टम पूरी तरह से इन कड़े विस्तार की आवश्यकताओं का समर्थन करता है। Aixtron G5 मुख्य रूप से सिलिकॉन-आधारित GAN एपिटैक्सी ग्रोथ के लिए डिज़ाइन किए गए सबसे शक्तिशाली MOCVD रिएक्टरों में से एक है।


यह आवश्यक है कि उत्पादित सभी एपिटैक्सियल वेफर्स में बहुत तंग तरंगदैर्ध्य वितरण और बहुत कम सतह दोष का स्तर होता है, जिसके लिए अभिनव की आवश्यकता होती हैMOCVD प्रौद्योगिकी.

Aixtron G5 एक क्षैतिज ग्रह डिस्क एपिटैक्सी सिस्टम है, मुख्य रूप से ग्रह डिस्क, MOCVD Soucceptor, Cover Ring, Seiling, सपोर्टिंग रिंग, कवर डिस्क, Exhuast कलेक्टर, पिन वॉशर, कलेक्टर इनलेट रिंग, आदि, मुख्य उत्पाद सामग्री CVD SIC Coating+उच्च शुद्धता ग्रेफाइट, सेमीकंडर क्वार्ट्ज हैं।सीवीडी टीएसी कोटिंग+उच्च शुद्धता ग्रेफाइट,कठोर महसूस कियाऔर अन्य सामग्री।


MOCVD Suscector सुविधाएँ इस प्रकार हैं


✔ आधार सामग्री संरक्षण: CVD SIC कोटिंग एपिटैक्सियल प्रक्रिया में एक सुरक्षात्मक परत के रूप में कार्य करता है, जो आधार सामग्री को बाहरी वातावरण के कटाव और क्षति को प्रभावी ढंग से रोक सकता है, विश्वसनीय सुरक्षात्मक उपाय प्रदान करता है, और उपकरणों के सेवा जीवन का विस्तार कर सकता है।

✔ उत्कृष्ट तापीय चालकता: सीवीडी एसआईसी कोटिंग में उत्कृष्ट थर्मल चालकता है और यह जल्दी से बेस सामग्री से कोटिंग सतह पर गर्मी को स्थानांतरित कर सकता है, एपिटैक्सी के दौरान थर्मल प्रबंधन दक्षता में सुधार कर सकता है और यह सुनिश्चित कर सकता है कि उपकरण उचित तापमान सीमा के भीतर संचालित होते हैं।

✔ फिल्म की गुणवत्ता में सुधार करें: CVD SIC कोटिंग एक सपाट, एक समान सतह प्रदान कर सकती है, जो फिल्म विकास के लिए एक अच्छी नींव प्रदान करती है। यह जाली बेमेल के कारण होने वाले दोषों को कम कर सकता है, फिल्म की क्रिस्टलीयता और गुणवत्ता में सुधार कर सकता है, और इस प्रकार एपिटैक्सियल फिल्म के प्रदर्शन और विश्वसनीयता में सुधार कर सकता है।

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:

SEM DATA OF CVD SIC FILM


सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
सिसक कोटिंग घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी।
Sic कोटिंग कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार 2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान 2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक 430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता 300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार 4.5 × 10-6K-1


सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

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    anny@veteksemi.com

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