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झरझरा टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित ग्रेफाइट रिंग
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झरझरा टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित ग्रेफाइट रिंग

VETEK पोरस TaC कोटेड ग्रेफाइट रिंग एक थर्मल फील्ड घटक है जिसे PVT (भौतिक वाष्प परिवहन) प्रक्रिया के माध्यम से SiC सिंगल क्रिस्टल विकास के लिए इंजीनियर किया गया है। यह उच्च शुद्धता वाले झरझरा ग्रेफाइट से निर्मित होता है और सीवीडी तकनीक का उपयोग करके टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) के साथ लेपित होता है। डिज़ाइन उच्च तापमान स्थिरता, रासायनिक लचीलापन और नियंत्रित थर्मल क्षेत्र प्रदर्शन को लक्षित करता है। संदूषण को कम करके और प्रक्रिया की स्थिरता का समर्थन करके, यह घटक प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्य SiC क्रिस्टल विकास परिणामों में योगदान देता है।

उत्पाद की विशेषताएँ

  • मुख्य उपकरण:पीवीटी तकनीक से संचालित होने वाली SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ भट्टियों के लिए अभिप्रेत है।
  • प्राथमिक अनुप्रयोग:तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर SiC क्रिस्टल विकास में थर्मल फील्ड सिस्टम के लिए उपयुक्त।
  • उच्च तापमान स्थिरता:TaC कोटिंग अत्यधिक उच्च तापमान के तहत संरचनात्मक अखंडता को बरकरार रखती है, मांग वाले थर्मल वातावरण में विस्तारित संचालन का समर्थन करती है।
  • संक्षारण संरक्षण:घनी CVD TaC परत ग्रेफाइट सब्सट्रेट को सिलिकॉन वाष्प, कार्बन-असर गैसों और SiC वृद्धि के दौरान आने वाली अन्य संक्षारक प्रजातियों से बचाती है।
  • थर्मल फील्ड प्रदर्शन:झरझरा ग्रेफाइट आधार गर्मी वितरण और वाष्प परिवहन में सहायता करता है, जो स्थिर विकास स्थितियों को बनाए रखने में मदद करता है।
  • कम संदूषण:उच्च शुद्धता वाली आरंभिक सामग्री और सघन कोटिंग अशुद्धता मुक्ति और कण बहाव को सीमित करती है, जिससे क्रिस्टल की गुणवत्ता को लाभ होता है।
  • विस्तारित जीवनकाल:TaC परत ऊंचे तापमान पर ऑक्सीकरण प्रतिरोध, सतह कठोरता और समग्र स्थायित्व में सुधार करती है।
  • कोटिंग आसंजन:सीवीडी प्रक्रिया टीएसी फिल्म और ग्रेफाइट सब्सट्रेट के बीच एक मजबूत बंधन उत्पन्न करती है।
  • कस्टम विकल्प:विभिन्न SiC ग्रोथ फर्नेस आवश्यकताओं से मेल खाने के लिए आयाम, संरचनात्मक विवरण और कोटिंग विनिर्देशों को समायोजित किया जा सकता है।


तकनीकी निर्देश

पैरामीटर
कीमत
मूलभूत सामग्री
उच्च शुद्धता वाला झरझरा ग्रेफाइट
लेपित सामग्री
टैंटलम कार्बाइड (TaC)
तापमान प्रतिरोध रेंज
2200°C तक
कोटिंग की मोटाई
20-100 μm (अनुकूलन योग्य)
घनत्व
2.6-2.8 ग्राम/सेमी³
ऊष्मीय चालकता
110 डब्लू/एम·के
मुख्य अनुप्रयोग
SiC क्रिस्टल विकास, अर्धचालक थर्मल क्षेत्र घटक, उच्च तापमान उपकरण


अनुप्रयोग

VETEK पोरस TaC कोटेड ग्रेफाइट रिंग का मुख्य रूप से उपयोग किया जाता है:

  • पीवीटी के माध्यम से SiC एकल क्रिस्टल विकास
  • तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक विनिर्माण
  • SiC सब्सट्रेट उत्पादन
  • क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस में थर्मल फील्ड सिस्टम
  • उच्च तापमान अर्धचालक प्रसंस्करण
  • उन्नत ग्रेफाइट हॉट-ज़ोन घटक


अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

1. झरझरा TaC लेपित ग्रेफाइट रिंग क्या है?

यह SiC क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस के लिए एक थर्मल फील्ड घटक है। यह थर्मल प्रबंधन और उच्च तापमान जंग के खिलाफ सुरक्षा प्रदान करने के लिए सीवीडी टीएसी कोटिंग के साथ एक छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट संरचना को जोड़ती है।

2. SiC क्रिस्टल वृद्धि के लिए TaC कोटिंग का उपयोग क्यों करें?

TaC उच्च तापमान स्थिरता और रासायनिक प्रतिरोध प्रदान करता है। यह ग्रेफाइट को सिलिकॉन वाष्प के हमले से बचाता है और स्वच्छ, स्थिर विकास वातावरण बनाए रखने में मदद करता है।

3. झरझरा ग्रेफाइट संरचना क्या प्रदान करती है?

छिद्रपूर्ण डिज़ाइन भट्ठी के भीतर थर्मल वितरण और गैस परिवहन का समर्थन करता है, जो स्थिर SiC क्रिस्टल विकास स्थितियों में योगदान देता है।

4. क्या VETEK अनुकूलित TaC लेपित ग्रेफाइट रिंग का उत्पादन कर सकता है?

हाँ। VETEK ग्राहक चित्र, भट्टी डिजाइन और प्रक्रिया आवश्यकताओं के आधार पर अनुकूलन प्रदान करता है, जिसमें आयाम, सब्सट्रेट कॉन्फ़िगरेशन और कोटिंग पैरामीटर शामिल हैं।


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