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डायमंड, एक संभावित चौथी पीढ़ी "परम सेमीकंडक्टर", इसकी असाधारण कठोरता, थर्मल चालकता और विद्युत गुणों के कारण अर्धचालक सब्सट्रेट में ध्यान आकर्षित कर रहा है। जबकि इसकी उच्च लागत और उत्पादन चुनौतियां इसके उपयोग को सीमित करती हैं, सीवीडी पसंदीदा तरीका है। डोपिंग और बड़े क्षेत्र के क्रिस्टल चुनौतियों के बावजूद, डायमंड का वादा है।

SiC और GaN व्यापक बैंडगैप अर्धचालक हैं, जिनमें सिलिकॉन की तुलना में अधिक फायदे हैं, जैसे उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज, तेज स्विचिंग गति और बेहतर दक्षता। SiC अपनी उच्च तापीय चालकता के कारण उच्च-वोल्टेज, उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए बेहतर है, जबकि GaN अपनी बेहतर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के कारण उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों में उत्कृष्टता प्राप्त करता है।

इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण प्रतिरोध हीटिंग की तुलना में एक अत्यधिक कुशल और व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली कोटिंग विधि है, जो एक इलेक्ट्रॉन बीम के साथ वाष्पीकरण सामग्री को गर्म करता है, जिससे यह एक पतली फिल्म में वाष्पीकरण और संघनन करता है।

वैक्यूम कोटिंग में फिल्म सामग्री वाष्पीकरण, वैक्यूम परिवहन और पतली फिल्म विकास शामिल हैं। विभिन्न फिल्म सामग्री वाष्पीकरण विधियों और परिवहन प्रक्रियाओं के अनुसार, वैक्यूम कोटिंग को दो श्रेणियों में विभाजित किया जा सकता है: पीवीडी और सीवीडी।

यह लेख वेटेक सेमीकंडक्टर के झरझरा ग्रेफाइट के भौतिक मापदंडों और उत्पाद विशेषताओं के साथ -साथ सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में इसके विशिष्ट अनुप्रयोगों का वर्णन करता है।

यह लेख कई दृष्टिकोणों से टैंटलम कार्बाइड कोटिंग और सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग के उत्पाद विशेषताओं और अनुप्रयोग परिदृश्यों का विश्लेषण करता है।