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Sic कोटिंग को इतना ध्यान क्यों मिलता है? - वेटेक सेमीकंडक्टर17 2024-10

Sic कोटिंग को इतना ध्यान क्यों मिलता है? - वेटेक सेमीकंडक्टर

SIC में उच्च कठोरता, तापीय चालकता और संक्षारण प्रतिरोध है, जो इसे अर्धचालक विनिर्माण के लिए आदर्श बनाता है। CVD SIC कोटिंग रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से बनाया जाता है, उच्च तापीय चालकता, रासायनिक स्थिरता और एपिटैक्सियल विकास के लिए एक मिलान जाली प्रदान करता है। इसका कम थर्मल विस्तार और उच्च कठोरता स्थायित्व और सटीकता सुनिश्चित करती है, जिससे वेफर वाहक, प्रीहीटिंग रिंग, और बहुत कुछ जैसे अनुप्रयोगों में यह आवश्यक हो जाता है। वेटेक सेमीकंडक्टर विविध उद्योग की जरूरतों के लिए कस्टम एसआईसी कोटिंग्स में माहिर है।
3 सी-एसआईसी कई एसआईसी पॉलीमॉर्फ्स के बीच क्यों खड़ा होता है? - वेटेक सेमीकंडक्टर16 2024-10

3 सी-एसआईसी कई एसआईसी पॉलीमॉर्फ्स के बीच क्यों खड़ा होता है? - वेटेक सेमीकंडक्टर

सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) एक उच्च-सटीक अर्धचालक सामग्री है जिसे उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और उच्च यांत्रिक शक्ति जैसे उत्कृष्ट गुणों के लिए जाना जाता है। इसमें 200 से अधिक क्रिस्टल संरचनाएं हैं, जिसमें 3 सी-एसआईसी एकमात्र क्यूबिक प्रकार है, जो अन्य प्रकारों की तुलना में बेहतर प्राकृतिक गोलाकारता और घनत्व की पेशकश करता है। 3C-SIC अपनी उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के लिए बाहर खड़ा है, जिससे यह पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में MOSFETs के लिए आदर्श है। इसके अतिरिक्त, यह नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स, ब्लू एल ई डी और सेंसर में बहुत संभावनाएं दिखाता है।
डायमंड - सेमीकंडक्टर्स का भविष्य सितारा15 2024-10

डायमंड - सेमीकंडक्टर्स का भविष्य सितारा

डायमंड, एक संभावित चौथी पीढ़ी "परम सेमीकंडक्टर", इसकी असाधारण कठोरता, थर्मल चालकता और विद्युत गुणों के कारण अर्धचालक सब्सट्रेट में ध्यान आकर्षित कर रहा है। जबकि इसकी उच्च लागत और उत्पादन चुनौतियां इसके उपयोग को सीमित करती हैं, सीवीडी पसंदीदा तरीका है। डोपिंग और बड़े क्षेत्र के क्रिस्टल चुनौतियों के बावजूद, डायमंड का वादा है।
सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) और गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) अनुप्रयोगों के बीच क्या अंतर है? - वेटेक सेमीकंडक्टर10 2024-10

सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) और गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) अनुप्रयोगों के बीच क्या अंतर है? - वेटेक सेमीकंडक्टर

SiC और GaN व्यापक बैंडगैप अर्धचालक हैं, जिनमें सिलिकॉन की तुलना में अधिक फायदे हैं, जैसे उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज, तेज स्विचिंग गति और बेहतर दक्षता। SiC अपनी उच्च तापीय चालकता के कारण उच्च-वोल्टेज, उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए बेहतर है, जबकि GaN अपनी बेहतर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के कारण उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों में उत्कृष्टता प्राप्त करता है।
भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) कोटिंग (2/2) के सिद्धांत और प्रौद्योगिकी - वेटेक सेमीकंडक्टर24 2024-09

भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) कोटिंग (2/2) के सिद्धांत और प्रौद्योगिकी - वेटेक सेमीकंडक्टर

इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण प्रतिरोध हीटिंग की तुलना में एक अत्यधिक कुशल और व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली कोटिंग विधि है, जो एक इलेक्ट्रॉन बीम के साथ वाष्पीकरण सामग्री को गर्म करता है, जिससे यह एक पतली फिल्म में वाष्पीकरण और संघनन करता है।
भौतिक वाष्प जमाव कोटिंग (1/2) के सिद्धांत और प्रौद्योगिकी - वेटेक सेमीकंडक्टर24 2024-09

भौतिक वाष्प जमाव कोटिंग (1/2) के सिद्धांत और प्रौद्योगिकी - वेटेक सेमीकंडक्टर

वैक्यूम कोटिंग में फिल्म सामग्री वाष्पीकरण, वैक्यूम परिवहन और पतली फिल्म विकास शामिल हैं। विभिन्न फिल्म सामग्री वाष्पीकरण विधियों और परिवहन प्रक्रियाओं के अनुसार, वैक्यूम कोटिंग को दो श्रेणियों में विभाजित किया जा सकता है: पीवीडी और सीवीडी।
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