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तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक उद्योग श्रृंखला में प्रमुख उपभोग्य सामग्रियों के रूप में, उनकी तकनीकी विशेषताएं सीधे एपिटैक्सियल ग्रोथ और डिवाइस निर्माण की उपज को प्रभावित करती हैं। 5 जी बेस स्टेशनों और नए ऊर्जा वाहनों जैसे उद्योगों में उच्च-वोल्टेज और उच्च तापमान वाले उपकरणों की बढ़ती मांग के साथ, एसआईसी वेफर वाहक के अनुसंधान और अनुप्रयोग अब महत्वपूर्ण विकास के अवसरों का सामना कर रहे हैं।

एल्यूमिना सिरेमिक सिरेमिक घटकों के निर्माण के लिए "वर्कहॉर्स" हैं। वे उत्कृष्ट यांत्रिक गुणों, अल्ट्रा-हाई पिघलने वाले बिंदुओं और कठोरता, संक्षारण प्रतिरोध, मजबूत रासायनिक स्थिरता, उच्च प्रतिरोधकता और बेहतर विद्युत इन्सुलेशन का प्रदर्शन करते हैं। वे आमतौर पर पॉलिशिंग प्लेटों, वैक्यूम चक, सिरेमिक हथियारों और इसी तरह के भागों को बनाने के लिए उपयोग किए जाते हैं।

अर्धचालक सामग्री को कालानुक्रमिक क्रम में तीन पीढ़ियों में वर्गीकृत किया जा सकता है। पहली पीढ़ी में जर्मेनियम और सिलिकॉन जैसे सामान्य मौलिक सामग्री होती है, जो सुविधाजनक स्विचिंग की विशेषता होती है और आमतौर पर एकीकृत सर्किट में उपयोग की जाती है। दूसरी पीढ़ी के यौगिक अर्धचालक जैसे कि गैलियम आर्सेनाइड और इंडियम फॉस्फाइड मुख्य रूप से ल्यूमिनसेंट और संचार सामग्री में उपयोग किए जाते हैं।

क्वार्ट्ज डिवाइस सौर सेल निर्माण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जो उच्च तापमान प्रक्रियाओं में आवश्यक असाधारण थर्मल प्रतिरोध, रासायनिक शुद्धता और संरचनात्मक स्थिरता की पेशकश करते हैं। क्वार्ट्ज डिफ्यूजन ट्यूब और क्रूसिबल्स से लेकर क्वार्ट्ज नावों और भट्ठी घटकों तक, ये उच्च शुद्धता सामग्री प्रसार, सीवीडी और गीले नक़्क़ाशी चरणों में इष्टतम दक्षता प्राप्त करने के लिए आवश्यक हैं।

टीएसी कोटिंग लगभग पूरी तरह से कार्बन एनकैप्सुलेशन घटना को समाप्त कर देती है, जो ग्रेफाइट क्रूसिबल और एसआईसी पिघल के बीच सीधे संपर्क को अलग करके, माइक्रोट्यूब के दोष घनत्व को कम करती है।

Sic सिरेमिक एक सिरेमिक सामग्री है जो सिलिकॉन (SI) और कार्बन (C) तत्वों की प्रतिक्रिया द्वारा निर्मित है, जिसमें अत्यधिक उच्च कठोरता, गर्मी प्रतिरोध और रासायनिक स्थिरता है