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"उच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल ग्रोथ को कैसे प्राप्त करें? - SIC क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस" के विषय के साथ, यह ब्लॉग चार आयामों से एक विस्तृत विश्लेषण करता है: सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ भट्टी का मूल सिद्धांत, सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ भट्टी की संरचना, सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ भट्टी की तकनीकी कठिनाइयों और बढ़ती हुई उच्च -योग्यता के लिए कच्चा सामग्री।

दुनिया में चार सबसे शक्तिशाली ग्रेफाइट निर्माता: एसजीएल, टॉयो टैन्सो, टोकाई कार्बन, मर्सन और उनके संबंधित विशिष्ट ग्रेफाइट और अनुप्रयोग क्षेत्रों।

लेख में कार्बन महसूस किए गए उत्कृष्ट भौतिक गुणों का वर्णन किया गया है, एसआईसी कोटिंग को चुनने के विशिष्ट कारण, और कार्बन पर एसआईसी कोटिंग की विधि और सिद्धांत महसूस किया गया है। यह विशेष रूप से एसआईसी कोटिंग कार्बन की चरण संरचना का विश्लेषण करने के लिए डी 8 एडवांस एक्स-रे डिफ्रेक्टोमीटर (एक्सआरडी) के उपयोग का विश्लेषण करता है।

SIC एकल क्रिस्टल बढ़ने के लिए मुख्य तरीके हैं: भौतिक वाष्प परिवहन (PVT), उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव (HTCVD) और उच्च तापमान समाधान वृद्धि (HTSG)।