वीटेक एल्यूमिनियम नाइट्राइड सिरेमिक इलेक्ट्रोस्टैटिक चक (ईएससी) उच्च-थर्मल-चालकता वाले वेफर क्लैंपिंग प्लेटफॉर्म हैं जो सेमीकंडक्टर प्रक्रिया उपकरणों के लिए इंजीनियर किए गए हैं जो सटीक तापमान नियंत्रण, स्थिर इलेक्ट्रोस्टैटिक होल्डिंग और कम कण पीढ़ी की मांग करते हैं। उच्च शुद्धता वाले एएलएन सिरेमिक से निर्मित, ये चक उत्कृष्ट गर्मी फैलाने, उच्च विद्युत इन्सुलेशन और 150 मिमी, 200 मिमी और 300 मिमी वेफर प्रक्रियाओं के लिए विश्वसनीय कूलम्ब या जॉन्सन-राहबेक क्लैंपिंग प्रदान करते हैं।
•कुशल ताप स्थानांतरण और तापमान एकरूपता के लिए ~180 W/m·K तक तापीय चालकता के साथ उच्च शुद्धता वाला AlN सिरेमिक
•मजबूत विद्युत इन्सुलेशन और उच्च मात्रा प्रतिरोधकता 1-3 केवी पर स्थिर क्लैंपिंग का समर्थन करती है (उच्च वोल्टेज उपलब्ध है)
•कस्टम ढांकता हुआ परत सामग्री और इलेक्ट्रोड लेआउट: कूलम्ब या जॉन्सन-राहबेक (जेआर); एकल या बहु-क्षेत्र
•तेज़ क्लैंप और डी-क्लैंप प्रदर्शन, आमतौर पर 0.1 सेकंड से कम
•सतह पर डिंपल सूक्ष्म संरचनाएं ~300 μm व्यास तक कम हो जाती हैं, जिससे संपर्क क्षेत्र ~1% तक कम हो जाता है
•उच्च समतलता क्षमता; 300 मिमी श्रेणी के प्लेटफार्मों के लिए 0.5-3 μm पीवी के क्रम पर विशिष्ट वैश्विक समतलता
•लगभग शून्य जल अवशोषण और प्रक्रिया वातावरण के लिए अच्छे रासायनिक प्रतिरोध के साथ घनी सूक्ष्म संरचना
2.विशिष्ट अनुप्रयोग
एल्यूमिनियम नाइट्राइड सिरेमिक इलेक्ट्रोस्टैटिक चक का उपयोग प्रक्रिया चरणों में किया जाता है जिसके लिए सुरक्षित वेफर होल्डिंग और नियंत्रित थर्मल व्यवहार दोनों की आवश्यकता होती है:
•ड्राई प्लाज़्मा ईच (आईसीपी/आरआईई) और संबंधित चैम्बर प्रक्रियाएं
•सीवीडी, पीलड, थर्मल एएलडी, और अन्य पतली-फिल्म जमाव चरण
•एनीलिंग और थर्मल प्रक्रिया मॉड्यूल के लिए समान वेफर तापमान की आवश्यकता होती है
•निरीक्षण, मेट्रोलॉजी और सटीक चरण जहां कम कण और स्थिर क्लैंपिंग महत्वपूर्ण हैं
3.एएलएन सामग्री ग्रेड - विशिष्ट गुण
वीटेक ईएससी डिजाइनों के लिए तापीय चालकता, यांत्रिक शक्ति और लागत को संतुलित करने के लिए कई एल्यूमिनियम नाइट्राइड ग्रेड प्रदान करता है:
संपत्ति
एआईएन-एचसी95
एआईएन-एचपी95
AIN99
AIN999
एआईएन-एचपी999
एआईएन-एचपी999एलआर
रंग
स्लेटी
स्लेटी
स्लेटी
स्लेटी
स्लेटी
स्लेटी
पवित्रता
≥95%
≥95%
≥99%
≥99.9%
≥99.9%
≥99.9%
घनत्व (ग्राम/सेमी³)
3.3
3.3
3.3
3.2
3.3
3.3
जल अवशोषण (%)
0
0
0
0
0
0
एचवी कठोरता (जीपीए)
10
10
10
10
10
10
लचीली ताकत (एमपीए)
380
400
350
310
360
310
लोचदार मापांक (जीपीए)
320
300
300
300
300
300
अस्थिभंग बेरहमी
3
3.4
3
2.8
2.3
3.3
सीटीई (×10⁻⁶/डिग्री सेल्सियस)
4.6
5.7
5.2
5.5
5.7
5.4
ऊष्मीय चालकता
180
180
100
90
90
90
थर्मल शॉक (डिग्री सेल्सियस)
400
500
—
—
350
—
ढांकता हुआ ताकत
16
16
—
16
—
—
मात्रा प्रतिरोधकता
1×10¹⁴
1×10¹⁵
1×10¹⁵
—
1×10¹⁵
एडजस्टेबल
पारद्युतिक स्थिरांक
8.6
8.6
8.5
8.5
—
—
इकाइयाँ: W/(m·K) में तापीय चालकता; केवी/मिमी में ढांकता हुआ ताकत; Ω·सेमी (25 डिग्री सेल्सियस) में वॉल्यूम प्रतिरोधकता; 1 मेगाहर्ट्ज पर ढांकता हुआ स्थिरांक। मान विशिष्ट हैं और प्रक्रिया और भाग ज्यामिति के साथ भिन्न हो सकते हैं।
4.विशिष्ट ईएससी डिज़ाइन पैरामीटर
पैरामीटर
विशिष्ट मूल्य/सीमा
सिरेमिक सामग्री
एल्यूमिनियम नाइट्राइड (AlN)
ईएससी प्रकार
कूलम्ब / जॉन्सन-रहबेक (जेआर)
इलेक्ट्रोड लेआउट
एकल या बहु-क्षेत्रीय
विनिर्माण मार्ग
गर्म दबाव (उच्च-टीसी ग्रेड के लिए एएलएन को प्राथमिकता)
क्लैंप/डी-क्लैंप समय
<0.1 एस (सामान्य)
डिंपल व्यास (न्यूनतम)
~300 μm
संपर्क क्षेत्र (डिम्पल के साथ)
~1% तक कम किया जा सकता है
वैश्विक समतलता (300 मिमी वर्ग)
~0.5-3 μm पीवी (सामान्य)
क्लांपिंग वोल्टेज
1-3 केवी मानक; डिज़ाइन >15 केवी संभव
5.क्यों चूसे VeTek AlN इलेक्ट्रोस्टैटिक चक्स?
वीटेक सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर ग्राहकों के लिए सटीक ईएससी विनिर्माण के साथ उन्नत एएलएन सिरेमिक को एकीकृत करता है, जिन्हें थर्मल प्रदर्शन और विश्वसनीय क्लैंपिंग दोनों की आवश्यकता होती है:
•प्रक्रिया थर्मल बजट से मेल खाने के लिए ~90 से ~180 डब्लू/एम·के तक तापीय चालकता के साथ एकाधिक एएलएन ग्रेड
•कूलम्ब या जेआर क्लैंपिंग व्यवहार के लिए लचीले इलेक्ट्रोड और ढांकता हुआ डिजाइन
•समतलता, सतह सूक्ष्म संरचना और विद्युत इन्सुलेशन प्रदर्शन का कड़ा नियंत्रण
•पूर्ण जीवनचक्र समर्थन: डिज़ाइन, नया निर्माण और बहु-स्तरीय नवीनीकरण
नक़्क़ाशी, जमाव और थर्मल उपकरणों के लिए जो समान वेफर तापमान और साफ, दोहराए जाने योग्य क्लैंपिंग पर निर्भर करते हैं, वीटेक एल्यूमिनियम नाइट्राइड सिरेमिक इलेक्ट्रोस्टैटिक चक्स एप्लिकेशन-केंद्रित इंजीनियरिंग समर्थन द्वारा समर्थित एक उच्च प्रदर्शन सिरेमिक प्लेटफ़ॉर्म प्रदान करते हैं।
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