एल्युमिनियम नाइट्राइड (AlN) वेफर्स

1. मुख्य विशेषताएं एवं लाभ

• अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप ≈ 6.2 eV - मुख्यधारा अर्धचालक सामग्रियों में उच्चतम

• कुशल ताप अपव्यय के लिए उच्च तापीय चालकता ≈ 320 W/m·K

• उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन (>10¹³ Ω·सेमी) और उच्च ब्रेकडाउन क्षेत्र (12-15 एमवी/सेमी)

• GaN के साथ अच्छा जाली और थर्मल-विस्तार मेल - GaN-ऑन-AlN हेटरोस्ट्रक्चर के लिए आदर्श

• सख्त एचआर-एक्सआरडी रॉकिंग-वक्र नियंत्रण के साथ कम अव्यवस्था घनत्व विकल्प

• एपि-रेडी सतहों के लिए अल-फेस सीएमपी (आरए ≤ 0.5 एनएम) और एन-फेस एमपी

• उत्पादन और अनुसंधान आवश्यकताओं से मेल खाने के लिए एकाधिक आकार और गुणवत्ता ग्रेड (पी / आर / डी)।

2. विशिष्ट अनुप्रयोग

• रडार और 6जी संचार के लिए उच्च शक्ति वाले आरएफ उपकरण

• ग्रिड, डेटा सेंटर और इलेक्ट्रिक वाहनों के लिए हाई-वोल्टेज पावर इलेक्ट्रॉनिक्स

• डीप-पराबैंगनी (UVC) एलईडी और लेजर डायोड

• GaN-on-AlN एपिटैक्सियल ग्रोथ और उन्नत हेटरोस्ट्रक्चर डिवाइस

• उच्च तापमान, उच्च आवृत्ति और कठोर-पर्यावरण अर्धचालक घटक

3. उपलब्ध आकार और गुणवत्ता ग्रेड

VeTek निम्नलिखित मानक प्रारूपों में AlN वेफर्स प्रदान करता है। अनुरोध पर कस्टम आकार और विशिष्टताओं पर चर्चा की जा सकती है।

• 10 × 10 मिमी वर्ग सब्सट्रेट

• 1-इंच (25.4 मिमी) वेफर्स

• 2-इंच (50.8 मिमी) वेफर्स

गुणवत्ता ग्रेड: पी-ग्रेड (उत्पाद), आर-ग्रेड (अनुसंधान), डी-ग्रेड (प्रायोगिक), मुख्य रूप से एचआर-एक्सआरडी रॉकिंग-वक्र एफडब्ल्यूएचएम और समग्र क्रिस्टल गुणवत्ता द्वारा विभेदित।

4. मुख्य तकनीकी विशिष्टताएँ

सभी आकारों में सामान्य पैरामीटर (सामान्य मान; ग्रेड-निर्भर जहां उल्लेख किया गया है):

आकार-विशिष्ट ज्यामितीय सहनशीलता:

• 10×10 मिमी: साइड की लंबाई 10 मिमी ± 0.5 मिमी; टीटीवी ≤ 15 माइक्रोन; धनुष ≤ 15 μm

• 1-इंच: व्यास 25.4 मिमी ± 0.5 मिमी; प्रयोग करने योग्य क्षेत्र ≥ 90%; टीटीवी ≤ 20 माइक्रोन; धनुष ≤ 20 माइक्रोन; प्राथमिक फ्लैट (10-10) ± 5°, लंबाई 8 मिमी ± 1 मिमी

• 2 इंच: व्यास 50.8 मिमी ± 0.5 मिमी; प्रयोग करने योग्य क्षेत्र ≥ 90%; टीटीवी ≤ 30 माइक्रोन; धनुष ≤ 30 μm; प्राथमिक फ्लैट की लंबाई 16 मिमी ± 2 मिमी

5. VeTek AlN वेफर्स क्यों चुनें?

उन्नत सेमीकंडक्टर सामग्री और घटकों के एक विशेष आपूर्तिकर्ता के रूप में, वीटेक सेमीकंडक्टर प्रदान करता है:

• नियंत्रित क्रिस्टल गुणवत्ता और एपी-रेडी सतहों के साथ उच्च गुणवत्ता वाले एएलएन सिंगल-क्रिस्टल वेफर्स

• डिवाइस उत्पादन और अनुसंधान कार्यक्रमों दोनों का समर्थन करने के लिए एकाधिक आकार और ग्रेड विकल्प

• वीटेक सेमीकंडक्टर सामग्री पोर्टफोलियो के तहत पूरक वेफर और सब्सट्रेट समाधान

• सामग्री चयन और प्रक्रिया मिलान के लिए तकनीकी सहायता

हमारे AlN वेफर्स ग्राहकों को उच्च-शक्ति आरएफ, उच्च-वोल्टेज पावर और गहरे-यूवी ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास में तेजी लाने में मदद करते हैं जो एल्यूमीनियम नाइट्राइड द्वारा पेश किए गए अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप, उच्च तापीय चालकता और GaN संगतता के अद्वितीय संयोजन की मांग करते हैं।