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सीवीडी एसआईसी लेपित स्कर्ट
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सीवीडी एसआईसी लेपित स्कर्ट

VeTek सेमीकंडक्टर चीन में CVD SiC कोटेड स्कर्ट का अग्रणी निर्माता और लीडर है। हमारे मुख्य CVD SiC कोटिंग उत्पादों में CVD SiC लेपित स्कर्ट, CVD SiC कोटिंग रिंग शामिल हैं। आपके संपर्क की प्रतीक्षा में हूं.

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में सीवीडी एसआईसी कोटेड स्कर्ट के लिए एक पेशेवर निर्माता है।

Aixtron उपकरण की गहरी पराबैंगनी एपिटैक्सी तकनीक अर्धचालक विनिर्माण में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है। यह तकनीक वेफर प्रदर्शन और कार्य के सटीक नियंत्रण को प्राप्त करने के लिए एपिटैक्सियल विकास के माध्यम से वेफर की सतह पर विभिन्न सामग्रियों को जमा करने के लिए एक गहरी पराबैंगनी प्रकाश स्रोत का उपयोग करती है। गहरी पराबैंगनी एपिटैक्सी तकनीक का उपयोग अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जाता है, जो एलईडी से अर्धचालक लेज़रों तक विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के उत्पादन को कवर करता है।

इस प्रक्रिया में, CVD SiC लेपित स्कर्ट एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है। इसे एपिटैक्सियल शीट को सहारा देने और एपिटैक्सियल विकास के दौरान एकरूपता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए एपिटैक्सियल शीट को घुमाने के लिए डिज़ाइन किया गया है। ग्रेफाइट ससेप्टर की घूर्णन गति और दिशा को सटीक रूप से नियंत्रित करके, एपिटैक्सियल वाहक की विकास प्रक्रिया को सटीक रूप से नियंत्रित किया जा सकता है।

उत्पाद उच्च गुणवत्ता वाले ग्रेफाइट और सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग से बना है, जो इसके उत्कृष्ट प्रदर्शन और लंबी सेवा जीवन को सुनिश्चित करता है। आयातित ग्रेफाइट सामग्री उत्पाद की स्थिरता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करती है, ताकि यह विभिन्न प्रकार के कार्य वातावरण में अच्छा प्रदर्शन कर सके। कोटिंग के संदर्भ में, कोटिंग की एकरूपता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए 5 पीपीएम से कम की सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री का उपयोग किया जाता है। साथ ही, नई प्रक्रिया और ग्रेफाइट सामग्री के थर्मल विस्तार गुणांक एक अच्छा मेल बनाते हैं, उत्पाद के उच्च तापमान प्रतिरोध और थर्मल शॉक प्रतिरोध में सुधार करते हैं, ताकि यह अभी भी उच्च तापमान वातावरण में स्थिर प्रदर्शन बनाए रख सके।


सीवीडी एसआईसी कोटेड स्कर्ट के बुनियादी भौतिक गुण:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना FCC of चरण Polycrystalline, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार 2~10μm
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान 2700℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग मापांक 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता 300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार 4.5×10-6K-1


वेटेक सेमीकंडक्टर सीवीडी एसआईसी कोटेड स्कर्ट उत्पादों की दुकानें:

VeTek Semiconductor CVD SiC Coated Skirt products shops


सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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