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उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियर
  • उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियरउच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियर

उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियर

वीटेक सेमीकंडक्टर के उच्च शुद्धता वाले क्वार्ट्ज वेफर कैरियर उच्च तापमान वाले थर्मल प्रसंस्करण, पतली-फिल्म जमाव, गीली प्रक्रियाओं और वैक्यूम अनुप्रयोगों में स्थिर वेफर हैंडलिंग के लिए सटीक-इंजीनियर्ड सेमीकंडक्टर-ग्रेड फिक्स्चर हैं। सेमीकंडक्टर-ग्रेड डिहाइड्रॉक्सिलेटेड फ़्यूज्ड क्वार्ट्ज़ (JGS2 समतुल्य) से निर्मित, ये वेफ़र कैरियर अल्ट्रा-उच्च शुद्धता, उत्कृष्ट थर्मल शॉक प्रतिरोध, रासायनिक जड़ता, कम आउटगैसिंग और उच्च समतलता प्रदान करते हैं - 2-12 इंच सिलिकॉन, SiC, GaN और नीलमणि सब्सट्रेट के लिए विश्वसनीय, संदूषण-मुक्त समर्थन सुनिश्चित करते हैं।

1. मुख्य विशेषताएं एवं लाभ

पीपीबी स्तर पर नियंत्रित धातु की अशुद्धियों के साथ अल्ट्रा-उच्च शुद्धता डीहाइड्रॉक्सिलेटेड फ़्यूज्ड क्वार्ट्ज (SiO₂ ≥ 99.999%) - वेफर संदूषण को कम करता है

1100 डिग्री सेल्सियस तक दीर्घकालिक ऑपरेटिंग तापमान; 1200 डिग्री सेल्सियस तक अल्पकालिक चरम प्रतिरोध

लगातार तापमान चक्र के तहत उत्कृष्ट थर्मल शॉक प्रतिरोध और आयामी स्थिरता

ऑक्सीकरण प्रक्रिया गैसों और सामान्य गीली-प्रक्रिया रसायनों (एचएफ, एच₂ओ₂, एसिड/क्षार) के खिलाफ मजबूत रासायनिक निष्क्रियता

समान वेफर समर्थन और कम किनारे क्षति के लिए गोल किनारों के साथ उच्च समतलता और सटीक-जमीन की सतह

कम वैक्यूम आउटगैसिंग और कम सतह सोखना - सटीक वैक्यूम प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त

पूरी तरह से अनुकूलन योग्य संरचनाएं: ठोस वाहक, छिद्रित/वेंटेड डिजाइन, चरणबद्ध स्थान निर्धारण विशेषताएं, पोजिशनिंग छेद, बहु-बिंदु समर्थन, और 2-12 इंच वेफर्स के लिए मोटा एंटी-विरूपण डिजाइन

2. विशिष्ट अनुप्रयोग

इन वाहकों का उपयोग वहां किया जाता है जहां वेफर्स को ऊंचे तापमान या आक्रामक रसायन शास्त्र के तहत स्वच्छ, आयामी स्थिर समर्थन की आवश्यकता होती है:

प्रसार और एनीलिंग भट्टी लोडिंग

पीईसीवीडी और एलपीसीवीडी फिल्म विकास प्रक्रिया समर्थन

वैक्यूम चैम्बर और उच्च तापमान प्रक्रिया टूलींग

खोदने के बाद सुखाने और गीले-साफ करने वाले स्टेशन वाहक

SiC और GaN पावर-डिवाइस थर्मल प्रोसेसिंग

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट हैंडलिंग और प्रयोगशाला थर्मल उपकरण

3. मुख्य तकनीकी पैरामीटर

आधार सामग्री: सेमीकंडक्टर-ग्रेड डिहाइड्रॉक्सिलेटेड फ़्यूज्ड क्वार्ट्ज़, SiO₂ ≥ 99.999%

संगत वेफर आकार: 2, 4, 6, 8 और 12 इंच (Si, SiC, GaN, नीलम)

अनुशंसित निरंतर तापमान सीमा: -20 डिग्री सेल्सियस से 1100 डिग्री सेल्सियस; अल्पकालिक शिखर लगभग 1200 डिग्री सेल्सियस तक

विनिर्माण मार्ग: एक-टुकड़ा बनाना, सटीक सतह पीसना, किनारे की गोलाई, तनाव-राहत एनीलिंग और अल्ट्रा-क्लीन अंतिम सफाई

उपलब्ध कॉन्फ़िगरेशन: ठोस, हवादार/छिद्रित, चरणबद्ध स्थान, छेद-पैटर्न, और पूरी तरह से कस्टम ज्यामिति

प्रदर्शन फोकस: उच्च शुद्धता, थर्मल स्थिरता, संक्षारण प्रतिरोध, सतह समतलता, कम आउटगैसिंग और दीर्घकालिक आयामी प्रतिधारण

अनुकूलन का दायरा: बाहरी आयाम, मोटाई, समर्थन ज्यामिति, छेद लेआउट और ग्राहक चित्र के आधार पर विशेष विशेषताएं

4. वीटेक उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियर क्यों चुनें?

सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज घटकों के एक पेशेवर निर्माता के रूप में, वीटेक सेमीकंडक्टर ऑफर करता है:

उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियर थर्मल, वैक्यूम और गीले-प्रक्रिया वातावरण के लिए इंजीनियर किए गए हैं

उन्नत अर्धचालक उत्पादन के लिए सख्त शुद्धता नियंत्रण, सतह समतलता और सफाई उपयुक्त है

फर्नेस, चैम्बर और प्रोसेस-स्टेशन टूलींग के लिए पूर्ण अनुकूलन और OEM-संगत डिज़ाइन

फर्नेस ट्यूब, वेफर बोट, क्रूसिबल और अन्य प्रक्रिया घटकों सहित पूरक अर्धचालक क्वार्ट्ज उत्पाद

हमारे उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज वेफर कैरियर एक समान थर्मल संपर्क बनाए रखने, कण और धातु संदूषण को कम करने और निरंतर उच्च तापमान और संक्षारक प्रक्रिया स्थितियों के तहत टूलींग जीवन का विस्तार करने में मदद करते हैं - अर्धचालक विनिर्माण में उच्च उपज और स्वामित्व की कम लागत का समर्थन करते हैं।

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