उच्च शुद्धता कठोर महसूस किया गया

SIC एपिटैक्सियल ग्रोथ एक सब्सट्रेट की सतह पर उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन कार्बाइड पतली फिल्मों को बढ़ाने के लिए एक तकनीक है। यह प्रक्रिया उच्च-प्रदर्शन सिलिकॉन कार्बाइड सेमीकंडक्टर उपकरणों के निर्माण के लिए आवश्यक है, जैसे कि सिलिकॉन कार्बाइड पावर डिवाइस और सिलिकॉन कार्बाइड आरएफ डिवाइस। इस प्रक्रिया में, तापमान, गैस प्रवाह, दबाव और अन्य मापदंडों सहित विकास का वातावरण, अच्छे विद्युत गुणों के साथ उच्च गुणवत्ता वाले, उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परतों की वृद्धि को सुनिश्चित करने के लिए कड़ाई से नियंत्रित करने की आवश्यकता है। Sic Coatig Halfmoon Grephite भागों Sic epitaxial विकास का मुख्य घटक है, और उच्च शुद्धता कठोरता ने मुख्य रूप से SIC कोटिग हाफमून ग्रेफाइट भागों के गर्मी संरक्षण की भूमिका निभाई है।

उच्च शुद्धता वाले कठोर फेल्ट में अच्छी तापीय चालकता होती है, जो SiC कोटिग हाफमून ग्रेफाइट भागों के आसपास हीटिंग स्रोत की गर्मी को समान रूप से वितरित कर सकती है और इसका अच्छा गर्मी संरक्षण प्रभाव होता है। SiC एपिटैक्सियल वृद्धि के दौरान, यह गर्मी को अवशोषित कर सकता है और स्थानीय ओवरहीटिंग या ओवरकूलिंग से बचने के लिए इसे धीरे-धीरे छोड़ सकता है, ताकि सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट की सतह पर तापमान का अंतर बहुत छोटी सीमा के भीतर नियंत्रित हो, और तापमान की एकरूपता आमतौर पर ±1 तक पहुंच सकती है। - 2℃, जो एक समान मोटाई और सुसंगत विद्युत गुणों के साथ सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परत को विकसित करने के लिए बहुत महत्वपूर्ण है।

कुछ संक्षारक गैसें, जैसे सिलेन (SiH4) और प्रोपेन (C3H8), का उपयोग SiC एपीटैक्सियल वृद्धि में प्रतिक्रिया स्रोत गैसों के रूप में किया जाता है। उच्च शुद्धता वाला कठोर फेल्ट इन रासायनिक गैसों के प्रति अच्छी सहनशीलता रखता है, और एपिटैक्सियल विकास चक्र (जो घंटों या यहां तक ​​कि दर्जनों घंटों तक चल सकता है) के दौरान अपनी संरचनात्मक अखंडता को बनाए रख सकता है। और उच्च शुद्धता कठोर महसूस की शुद्धता 99.99% से ऊपर है, और यह उन पदार्थों को जारी नहीं करेगा जो प्रतिक्रिया वातावरण में एपिटैक्सियल परत को दूषित कर सकते हैं, जिससे सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परत की उच्च शुद्धता सुनिश्चित होती है।

उचित घनत्व उच्च शुद्धता वाले कठोर फेल्ट की यांत्रिक शक्ति और तापीय चालकता सुनिश्चित कर सकता है। तापीय चालकता सुनिश्चित करते हुए, यह SiC एपीटैक्सियल वृद्धि पर बाहरी कारकों के हस्तक्षेप को कम कर सकता है।

पारंपरिक सिरेमिक सामग्री और धातु सामग्री के साथ तुलना में, उच्च शुद्धता ग्रेफाइट कठोरता में बेहतर थर्मल चालकता और रासायनिक स्थिरता है, और एसआईसी एपिटैक्सियल विकास के लिए एक उत्कृष्ट सहायक घटक सामग्री है।

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