SiC क्रिस्टल विकास के लिए उच्च शुद्धता SiC पाउडर

1. मुख्य विशेषताएं

· उच्च शुद्धता स्तर:शुद्धता क्षमताएं 99.9999% (6एन ग्रेड) तक पहुंचती हैं।

· अति-निम्न धात्विक अशुद्धियाँ:SiC क्रिस्टल वृद्धि के लिए न्यूनतम ट्रेस धातु संदूषण को अनुकूलित किया गया।

· पूर्ण पारदर्शिता:प्रत्येक बैच के लिए पूर्ण जीडीएमएस (ग्लो डिस्चार्ज मास स्पेक्ट्रोमेट्री) परीक्षण डेटा उपलब्ध है।

· स्थिर थर्मल प्रदर्शन:पीवीटी वृद्धि के दौरान अत्यधिक पूर्वानुमानित और समान उर्ध्वपातन व्यवहार।

· नियंत्रित कण आकार वितरण:लगातार पैकिंग घनत्व बनाए रखने के लिए ग्रैनुलोमेट्री की सावधानीपूर्वक निगरानी की जाती है।

· अनुरूपित फॉर्मूलेशन:कस्टम कण आकार और वितरण वक्र अनुरोध पर उपलब्ध हैं।

· सेमीकंडक्टर गुणवत्ता मानक:सेमीकंडक्टर-ग्रेड गुणवत्ता प्रबंधन प्रणालियों के तहत सख्ती से निर्मित।

2. उत्पाद दृश्य

3. तकनीकी विशिष्टताएँ

4. अनुप्रयोग

· प्राइवेट SiC क्रिस्टल ग्रोथ:प्रवाहकीय और अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC सिल्लियां।

· सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट्स:वेफर सब्सट्रेट और एपिटैक्सियल प्रसंस्करण कच्चा माल।

· उच्च स्तरीय थर्मल घटक:उन्नत सिरेमिक घटक और ससेप्टर कोटिंग्स।

· अनुसंधान एवं विकास अनुप्रयोग:अगली पीढ़ी के पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुसंधान और उच्च आवृत्ति वाले उपकरण।

5. वीटेक सेमीकंडक्टर क्यों चुनें?

· मालिकाना शुद्धिकरण:उन्नत शुद्धिकरण तकनीकें एकल-क्रिस्टल विकास के लिए 6N तक शुद्धता प्रदान करती हैं।

· सख्त गुणवत्ता नियंत्रण:सख्त सेमीकंडक्टर-ग्रेड संदूषण नियंत्रण के साथ समर्पित गुणवत्ता आश्वासन।

· अनुकूलन लचीलापन:विभिन्न पीवीटी फर्नेस क्रूसिबल विनिर्देशों को फिट करने के लिए लचीला कस्टम कण आकार।

· स्थिर आपूर्ति श्रृंखला:विश्वसनीय आपूर्ति क्षमता स्थिर दीर्घकालिक बड़े पैमाने पर उत्पादन वितरण की गारंटी देती है।

· तकनीकी विशेषज्ञता:आपकी विशिष्ट क्रिस्टल विकास प्रक्रियाओं के अनुरूप पूर्ण तकनीकी सहायता।