LPE Halfmoon Sic Epi रिएक्टर

LPE Halfmoon Sic Epi रिएक्टरएक उपकरण है जो विशेष रूप से उच्च गुणवत्ता वाले उत्पादन के लिए डिज़ाइन किया गया हैसिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) एपिटैक्सियलपरतें, जहां एपिटैक्सियल प्रक्रिया एलपीई हाफ-मून रिएक्शन चैंबर में होती है, जहां सब्सट्रेट उच्च तापमान और संक्षारक गैसों जैसी चरम स्थितियों के संपर्क में होता है। प्रतिक्रिया कक्ष घटकों की सेवा जीवन और प्रदर्शन सुनिश्चित करने के लिए, रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी)सीसी कोटिंगआमतौर पर उपयोग किया जाता है। 

LPE Halfmoon Sic Epi रिएक्टरअवयव:

मुख्य प्रतिक्रिया कक्ष: मुख्य प्रतिक्रिया कक्ष उच्च तापमान प्रतिरोधी सामग्री जैसे कि सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) और से बना है औरग्रेफाइट, जिसमें उच्च रासायनिक संक्षारण प्रतिरोध और उच्च तापमान प्रतिरोध है। ऑपरेटिंग तापमान आमतौर पर 1,400 ° C और 1,600 ° C के बीच होता है, जो उच्च तापमान की स्थिति में सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल के विकास का समर्थन कर सकता है। मुख्य प्रतिक्रिया कक्ष का परिचालन दबाव 10 के बीच है^-3और 10^-1MBAR, और एपिटैक्सियल ग्रोथ की एकरूपता को दबाव को समायोजित करके नियंत्रित किया जा सकता है।

गर्म घटक: ग्रेफाइट या सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) हीटरों का उपयोग आम तौर पर किया जाता है, जो उच्च तापमान स्थितियों के तहत एक स्थिर गर्मी स्रोत प्रदान कर सकता है।

LPE Halfmoon Sic EPI रिएक्टर का मुख्य कार्य उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन कार्बाइड फिल्मों को बढ़ाने के लिए है। विशेष रूप से,यह निम्नलिखित पहलुओं में प्रकट होता है:

एपिटैक्सियल परत वृद्धि: तरल चरण एपिटैक्सी प्रक्रिया के माध्यम से, लगभग 1-10μm/h की वृद्धि दर के साथ, SIC सब्सट्रेट पर बेहद कम-दोषपूर्ण एपिटैक्सियल परतें उगाई जा सकती हैं, जो अत्यधिक उच्च क्रिस्टल गुणवत्ता सुनिश्चित कर सकती है। इसी समय, मुख्य प्रतिक्रिया कक्ष में गैस प्रवाह दर को आमतौर पर एपिटैक्सियल परत की एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए 10-100 एससीसीएम (मानक क्यूबिक सेंटीमीटर प्रति मिनट) पर नियंत्रित किया जाता है।

उच्च तापमान स्थिरता: एसआईसी एपिटैक्सियल परतें अभी भी उच्च तापमान, उच्च दबाव और उच्च आवृत्ति वातावरण के तहत उत्कृष्ट प्रदर्शन को बनाए रख सकती हैं।

दोष घनत्व कम करें: LPE Halfmoon Sic EPI रिएक्टर का अद्वितीय संरचनात्मक डिजाइन एपिटैक्सी प्रक्रिया के दौरान क्रिस्टल दोषों की पीढ़ी को प्रभावी ढंग से कम कर सकता है, जिससे डिवाइस के प्रदर्शन और विश्वसनीयता में सुधार होता है।

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CVD SIC फिल्म क्रिस्टल संरचना का SEM डेटा:

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण：

वेटेक सेमीकंडक्टर एलपीई हाफमून एसआईसी ईपीआई रिएक्टर उत्पादन की दुकानें: