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CVD TAC कोटिंग क्या है? - वेटेकसेमी09 2024-08

CVD TAC कोटिंग क्या है? - वेटेकसेमी

CVD TAC कोटिंग एक सब्सट्रेट (ग्रेफाइट) पर एक घने और टिकाऊ कोटिंग बनाने के लिए एक प्रक्रिया है। इस विधि में उच्च तापमान पर सब्सट्रेट सतह पर TAC जमा करना शामिल है, जिसके परिणामस्वरूप उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता और रासायनिक प्रतिरोध के साथ एक टैंटलम कार्बाइड (TAC) कोटिंग होती है।
जमना! दो प्रमुख निर्माता बड़े पैमाने पर 8-इंच सिलिकॉन कार्बाइड का उत्पादन करने वाले हैं07 2024-08

जमना! दो प्रमुख निर्माता बड़े पैमाने पर 8-इंच सिलिकॉन कार्बाइड का उत्पादन करने वाले हैं

8 इंच के सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) प्रक्रिया के परिपक्वता के रूप में, निर्माता 6-इंच से 8-इंच तक शिफ्ट को तेज कर रहे हैं। हाल ही में, सेमीकंडक्टर और रेजोनैक ने 8-इंच SIC उत्पादन पर अपडेट की घोषणा की।
इटली की LPE की 200 मिमी SIC एपिटैक्सियल टेक्नोलॉजी प्रगति06 2024-08

इटली की LPE की 200 मिमी SIC एपिटैक्सियल टेक्नोलॉजी प्रगति

यह लेख इतालवी कंपनी LPE के नए डिज़ाइन किए गए PE1O8 हॉट-वॉल CVD रिएक्टर में नवीनतम विकास और 200 मिमी SiC पर एकसमान 4H-SiC एपिटॉक्सी प्रदर्शन करने की क्षमता का परिचय देता है।
Sic सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ के लिए थर्मल फील्ड डिज़ाइन06 2024-08

Sic सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ के लिए थर्मल फील्ड डिज़ाइन

पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और अन्य क्षेत्रों में SiC सामग्रियों की बढ़ती मांग के साथ, SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ टेक्नोलॉजी का विकास वैज्ञानिक और तकनीकी नवाचार का एक प्रमुख क्षेत्र बन जाएगा। SiC सिंगल क्रिस्टल विकास उपकरण के मूल के रूप में, थर्मल फील्ड डिज़ाइन पर व्यापक ध्यान और गहन शोध जारी रहेगा।
3 सी sic का विकास इतिहास29 2024-07

3 सी sic का विकास इतिहास

निरंतर तकनीकी प्रगति और गहन तंत्र अनुसंधान के माध्यम से, 3C-SiC हेटेरोएपिटैक्सियल तकनीक से सेमीकंडक्टर उद्योग में अधिक महत्वपूर्ण भूमिका निभाने और उच्च दक्षता वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास को बढ़ावा देने की उम्मीद है।
एल्ड परमाणु परत जमाव नुस्खा27 2024-07

एल्ड परमाणु परत जमाव नुस्खा

स्थानिक ALD, स्थानिक रूप से पृथक परमाणु परत बयान। वेफर विभिन्न पदों के बीच चलता है और प्रत्येक स्थिति में विभिन्न अग्रदूतों के संपर्क में आता है। नीचे दिया गया आंकड़ा पारंपरिक ALD और स्थानिक रूप से पृथक ALD के बीच तुलना है।
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