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अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया में आठ चरण शामिल हैं: वेफर प्रसंस्करण, ऑक्सीकरण, लिथोग्राफी, नक़्क़ाशी, पतली फिल्म जमाव, अंतर्संबंध, परीक्षण और पैकेजिंग। रेत से सिलिकॉन को वेफर्स में संसाधित किया जाता है, ऑक्सीकृत, पैटर्न और उच्च-सटीक सर्किट के लिए etched किया जाता है।

इस लेख में बताया गया है कि एलईडी सब्सट्रेट नीलम का सबसे बड़ा अनुप्रयोग है, साथ ही नीलम क्रिस्टल तैयार करने के मुख्य तरीकों से: कोज़ोच्राल्स्की विधि द्वारा बढ़ते हुए नीलम क्रिस्टल, किरोपोलोस विधि द्वारा बढ़ते हुए नीलम क्रिस्टल, गाइडेड मोल्ड मेथड द्वारा बढ़ते नीलम क्रिस्टल और गर्मी विनिमय विधि द्वारा बढ़ते हुए, गर्मी के क्रिस्टल को बढ़ाते हुए।

लेख एकल-क्रिस्टल भट्ठी में तापमान ढाल की व्याख्या करता है। यह क्रिस्टल ग्रोथ, सॉलिड-लिक्विड इंटरफेस और टेम्परेचर ग्रेडिएंट की रोल में सॉलिडिफिकेशन में स्टेटिक और डायनेमिक हीट फील्ड्स को कवर करता है।

Taiko प्रक्रिया अपने सिद्धांतों, तकनीकी लाभों और प्रक्रिया की उत्पत्ति का उपयोग करके सिलिकॉन वेफर्स को थिंस करती है।

8-इंच SIC एपिटैक्सियल भट्ठी और होमोपिटैक्सियल प्रक्रिया अनुसंधान

लेख सिलिकॉन, GaAs, SiC और GaN जैसे सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट वेफर्स के भौतिक गुणों का विश्लेषण करता है