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सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज क्रूसिबल
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सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज क्रूसिबल

वेटेक्सेमिकॉन सेमीकंडक्टर-ग्रेड क्वार्ट्ज क्रूसिबल्स सीज़ोक्राल्स्की सिंगल क्रिस्टल विकास प्रक्रिया में प्रमुख उपभोग्य वस्तुएं हैं। हमारे मुख्य फोकस के रूप में अत्यधिक शुद्धता और बेहतर थर्मल स्थिरता के साथ, हम ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं जो उच्च तापमान और उच्च दबाव वाले वातावरण में स्थिर प्रदर्शन और क्रिस्टलीकरण के लिए उत्कृष्ट प्रतिरोध प्रदर्शित करते हैं। यह स्रोत से क्रिस्टल छड़ों की गुणवत्ता सुनिश्चित करता है, जिससे सेमीकंडक्टर सिलिकॉन वेफर विनिर्माण को उच्च पैदावार और बेहतर लागत-प्रभावशीलता प्राप्त करने में मदद मिलती है।

सामान्य उत्पाद जानकारी

उत्पत्ति का स्थान:
चीन
ब्रांड का नाम:
मेरा प्रतिद्वंद्वी
मॉडल संख्या:
सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज क्रूसिबल-001
प्रमाणीकरण:
ISO9001


उत्पाद व्यवसाय की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा:
बातचीत के अधीन
कीमत:
अनुकूलित कोटेशन के लिए संपर्क करें
पैकेजिंग विवरण:
मानक निर्यात पैकेज
डिलीवरी का समय:
डिलीवरी का समय: ऑर्डर की पुष्टि के 30-45 दिन बाद
भुगतान की शर्तें:
टी/टी
आपूर्ति की योग्यता:
500यूनिट/महीना


    ●आवेदन: सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज क्रूसिबल विशेष रूप से सेमीकंडक्टर-ग्रेड सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन विकास प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह Czochralski (CZ) और मैग्नेटिक Czochralski (MCZ) प्रक्रियाओं के लिए एक मुख्य उपभोज्य है और उन्नत लॉजिक, मेमोरी चिप्स और 6 इंच से 12 इंच तक के पावर उपकरणों के लिए सिलिकॉन वेफर्स के निर्माण में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।

   ●सेवाएँ जो प्रदान की जा सकती हैं: ग्राहक एप्लिकेशन परिदृश्य विश्लेषण, मिलान सामग्री, तकनीकी समस्या समाधान। 

   ●कंपनी प्रोफाइल:वेटेक्सेमिकॉन में 2 प्रयोगशालाएं हैं, 20 वर्षों के सामग्री अनुभव वाले विशेषज्ञों की एक टीम, अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन, परीक्षण और सत्यापन क्षमताओं के साथ।


वेटेक्सेमिकॉन सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज क्रूसिबल मुख्य लाभ


1. परम शुद्धता, स्रोत से गारंटी

सेमीकंडक्टर-ग्रेड सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ में थोड़ी सी भी अशुद्धता घातक होती है। वेटेकसेमिकॉन क्वार्ट्ज क्रूसिबल कच्चे माल के चरण से कड़े मानकों का पालन करते हैं, अल्ट्रा-हाई शुद्धता क्वार्ट्ज रेत का चयन करते हैं और उन्नत आर्क पिघलने वाली तकनीक का उपयोग करते हैं ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि तैयार क्रूसिबल की सिलिका शुद्धता लगातार 99.99% से ऊपर बनी रहे। हम क्षार धातुओं और भारी धातुओं जैसे महत्वपूर्ण अशुद्धता आयनों को नियंत्रित करने, उनकी सामग्री को पीपीएम स्तर से नीचे लाने पर विशेष जोर देते हैं। स्रोत से यह अत्यधिक शुद्धता उच्च तापमान पर अशुद्धता वर्षा के कारण होने वाले जाली दोषों से प्रभावी ढंग से बचती है, जिससे आपको कम दोष और उच्च अखंडता के साथ सही एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन छड़ खींचने के लिए एक ठोस आधार मिलता है।


2. क्रिस्टलीकरण के लिए उत्कृष्ट प्रतिरोध

Illustration of Semiconductor Quartz Crucible in single silicon crystal pulling processक्वार्ट्ज क्रूसिबल धीरे-धीरे उच्च तापमान पर विघटित और क्रिस्टलीकृत हो जाते हैं। यह क्रिस्टलीकृत परत दरार या अलग होने का कारण बन सकती है, जिससे सिलिकॉन पिघलकर दूषित हो सकता है। वेटेक्सेमिकॉन क्रूसिबल की आंतरिक सतह पर एक घनी सुरक्षात्मक परत बनाने के लिए अद्वितीय सतह उपचार तकनीक और सटीक प्रक्रिया नियंत्रण का उपयोग करता है, जिससे क्रिस्टलीकरण में काफी देरी होती है। इसका मतलब यह है कि हमारे क्रूसिबल लंबे समय तक उच्च तापमान संचालन के लिए अपनी "युवा" स्थिति बनाए रखते हैं, जिसके परिणामस्वरूप एकल-उपयोग जीवनकाल लंबा होता है और अधिक स्थिर निरंतर क्रिस्टल खींचने के संचालन का समर्थन होता है। यह सीधे तौर पर क्रूसिबल प्रदर्शन में गिरावट के कारण डाउनटाइम और उत्पाद स्क्रैप के जोखिम को कम करने, उत्पादन दक्षता और आर्थिक लाभ में सुधार करने में मदद करता है।



3. उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता और कम थर्मल विरूपण

कमरे के तापमान से लेकर 1700 डिग्री सेल्सियस से अधिक तक, सिलिकॉन के पिघलने बिंदु के करीब, क्वार्ट्ज क्रूसिबल गंभीर थर्मल शॉक परीक्षण से गुजरते हैं। थर्मल विस्तार के बेहद कम गुणांक के साथ उच्च गुणवत्ता वाली सामग्री से बने वेटेकसेमिकॉन क्रूसिबल, आसानी से भारी तापमान परिवर्तन का सामना कर सकते हैं और उत्कृष्ट थर्मल शॉक प्रतिरोध प्रदर्शित कर सकते हैं। इसके साथ ही, कंप्यूटर-सहायता प्राप्त डिज़ाइन के माध्यम से, हमने ऑपरेटिंग तापमान पर न्यूनतम विरूपण और अधिक समान थर्मल क्षेत्र वितरण सुनिश्चित करने के लिए क्रूसिबल की दीवार की मोटाई और वक्रता की सटीक गणना की। यह स्थिर थर्मल वातावरण सटीक रूप से नियंत्रित ऑक्सीजन सामग्री और समान प्रतिरोधकता के साथ उच्च गुणवत्ता वाले एकल क्रिस्टल को विकसित करने के लिए एक महत्वपूर्ण शर्त है।


4. सख्त गुणवत्ता स्थिरता

उच्च-स्तरीय विनिर्माण के लिए, प्रदर्शन में उतार-चढ़ाव अस्वीकार्य है। वेटेक्सेमिकॉन इसे अच्छी तरह से समझता है, और हमने एक व्यापक गुणवत्ता नियंत्रण प्रणाली स्थापित की है जो कच्चे माल, उत्पादन, पोस्ट-प्रोसेसिंग से लेकर तैयार उत्पादों तक की पूरी प्रक्रिया को कवर करती है। कारखाने से निकलने वाले प्रत्येक क्रूसिबल को आयामी सटीकता, आंतरिक बुलबुले, अशुद्धता धब्बे और हाइड्रॉक्सिल सामग्री सहित कई गैर-विनाशकारी परीक्षणों से गुजरना होगा, ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि यह कड़े पूर्व-निर्धारित मानकों को पूरा करता है। हम न केवल एक उत्कृष्ट उत्पाद प्रदान करते हैं, बल्कि पूर्वानुमानित, विश्वसनीय और स्थिर प्रदर्शन का एक बैच प्रदान करते हैं। वेटेकसेमिकॉन को चुनने का अर्थ है अपनी उत्पादन लाइन के लिए निश्चितता और दोहराने योग्य सफलता को चुनना।


5. पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन समर्थन

वेटेक्सेमिकॉन सेमीकंडक्टर क्वार्ट्ज क्रूसिबल' पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन उत्पादन के लिए कच्चे माल को कवर करता है, अंतरराष्ट्रीय मानक प्रमाणीकरण पारित कर चुका है, और सेमीकंडक्टर और नई ऊर्जा क्षेत्रों में इसकी विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए कई पेटेंट प्रौद्योगिकियां हैं।


कृपया विस्तृत तकनीकी विशिष्टताओं, श्वेत पत्र, या नमूना परीक्षण व्यवस्था के लिएसंपर्कहमारी तकनीकी सहायता टीम यह पता लगाएगी कि वेटेक्सेमिकॉन आपकी प्रक्रिया दक्षता को कैसे बढ़ा सकता है।


तकनीकी मापदंड

परियोजना
पैरामीटर
कच्चा माल
उच्च शुद्धता प्राकृतिक क्वार्ट्ज रेत / सिंथेटिक क्वार्ट्ज सामग्री
पवित्रता
≥99.99% (SiO2)
तापमान प्रतिरोध
नरमी बिंदु 1700℃ तक पहुंच सकता है
एंटी-क्रिस्टलीकरण
यह 1050℃ से 1300℃ तक के वातावरण में उत्कृष्ट प्रदर्शन करता है
हाइड्रॉक्सिल सामग्री
ग्राहक प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन उपलब्ध है (<10पीपीएम या >150पीपीएम)
उपस्थिति
सतह चिकनी है और दिखाई देने वाले बुलबुले और अशुद्धियों से मुक्त है

मुख्य अनुप्रयोग फ़ील्ड

आवेदन दिशा
विशिष्ट परिदृश्य
एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन उगाने के लिए Czochralski (CZ) विधि
6 इंच से 12 इंच और उससे अधिक तक के बड़े व्यास वाले एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन छड़ के उत्पादन के लिए उपयुक्त।
चुंबकीय Czochralski (MCZ) विधि
उच्च-स्तरीय उपकरणों के लिए कम ऑक्सीजन वाले सिलिकॉन वेफर्स की मांग को पूरा करने के लिए।
विशेष अर्धचालक सामग्री की तैयारी
जैसे यौगिक अर्धचालक.

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