तीन-पंखुड़ी ग्रेफाइट क्रूसिबल

वेटेक सेमीकंडक्टर के तीन-पंखुड़ी ग्रेफाइट क्रूसिबल को सीजेड विधि द्वारा मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन की वृद्धि प्रक्रिया के लिए डिज़ाइन किया गया है, तीन-पंखुड़ी संरचना ग्रेफाइट क्रूसिबल आइसोस्टैटिक उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सामग्री से बना है। अभिनव तीन-पंखुड़ी संरचना के माध्यम से, पारंपरिक एकीकृत क्रूसिबल प्रभावी रूप से असंतुष्ट कठिनाइयों, थर्मल तनाव एकाग्रता और अन्य उद्योग दर्द बिंदुओं को हल कर सकता है, और व्यापक रूप से फोटोवोल्टिक सिलिकॉन वेफर्स, अर्धचालक वेफर्स और अन्य उच्च-अंत विनिर्माण क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है।

कोर प्रक्रिया हाइलाइट्स

1। अल्ट्रा-सटीक ग्रेफाइट प्रोसेसिंग टेक्नोलॉजी

सामग्री शुद्धता: ऐश सामग्री के साथ आइसोस्टैटिक दबाए गए ग्रेफाइट सब्सट्रेट का उपयोग <5ppm यदि आवश्यक हो और आम तौर पर ＜ 10ppm सिलिकॉन पिघलने की प्रक्रिया में शून्य प्रदूषण सुनिश्चित करने के लिए

संरचनात्मक मजबूत होना: 2200 ℃ पर ग्राफिटाइज़ किए जाने के बाद, झुकने की ताकत of45mpa है, और थर्मल विस्तार का गुणांक ≤4.6 × 10⁻⁶/℃ है

भूतल उपचार: ऑक्सीकरण प्रतिरोध में सुधार करने के लिए 10-15μM पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग को CVD प्रक्रिया द्वारा जमा किया जाता है (वजन घटाने <1.5%/100H@1600℃)।

2। अभिनव तीन-पंखुड़ी संरचना डिजाइन

मॉड्यूलर असेंबली: 120 ° से लैस तीन-लोब संरचना, स्थापना और असंगति की दक्षता में 300% की वृद्धि हुई

तनाव रिलीज डिजाइन: विभाजन संरचना प्रभावी रूप से थर्मल विस्तार तनाव को दूर करती है और सेवा जीवन को 200 से अधिक चक्रों तक बढ़ाती है

सटीक फिट: वाल्व के बीच का अंतर <0.1 मिमी है, और उच्च तापमान सिरेमिक चिपकने वाला सिलिकॉन पिघलने की प्रक्रिया में शून्य रिसाव सुनिश्चित करता है

3। अनुकूलित प्रसंस्करण सेवाएं

समर्थन φ16 "-φ40" पूर्ण आकार का अनुकूलन, दीवार मोटाई सहिष्णुता नियंत्रण ± 0.5 मिमी

थर्मल फील्ड डिस्ट्रीब्यूशन को अनुकूलित करने के लिए ग्रेडिएंट डेंसिटी स्ट्रक्चर 1.83g/cm to चुना जा सकता है

मूल्य वर्धित प्रक्रियाएं जैसे कि बोरान नाइट्राइड समग्र कोटिंग और रेनियम मेटल एज मजबूत करना

विशिष्ट अनुप्रयोग परिदृश्य

फोटोवोल्टिक उद्योग

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन रॉड निरंतर ड्राइंग: G12 बड़े आकार के सिलिकॉन वेफर उत्पादन के लिए उपयुक्त

एन-टाइप टॉपकॉन बैटरी: अल्ट्रा-लो अशुद्धता प्रवास अल्पसंख्यक जीवन की गारंटी देता है> 2ms

थर्मल फील्ड अपग्रेडिंग: मुख्यधारा के एकल क्रिस्टल फर्नेस मॉडल (पीवीआई, फेरोटेक, आदि) के साथ संगत

अर्धचालक विनिर्माण

8-12 इंच सेमीकंडक्टर-ग्रेड मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन विकास: अर्ध मानक वर्ग -10 स्वच्छता आवश्यकताओं को पूरा करें

विशेष डोपेड क्रिस्टल: बोरॉन/फास्फोरस वितरण एकरूपता का सटीक नियंत्रण

तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक: संगत एसआईसी एकल क्रिस्टल तैयारी प्रक्रिया

वैज्ञानिक अनुसंधान क्षेत्र

अंतरिक्ष सौर कोशिकाओं के लिए अल्ट्रा-पतली सिलिकॉन वेफर्स का अनुसंधान और विकास

नए क्रिस्टल सामग्री का विकास परीक्षण (जर्मेनियम, गैलियम आर्सानाइड)

सीमित पैरामीटर अनुसंधान (3000 ℃ अल्ट्रा-हाई तापमान पिघलने का प्रयोग)

गुणवत्ता आश्वासन तंत्र

आईएसओ 9001/14001 दोहरी प्रणाली प्रमाणन

ग्राहकों के लिए सामग्री परीक्षण रिपोर्ट प्रदान करें (एक्सआरडी रचना विश्लेषण, एसईएम माइक्रोस्ट्रक्चर)

संपूर्ण प्रक्रिया ट्रेसबिलिटी सिस्टम (लेजर मार्किंग + ब्लॉकचेन स्टोरेज)