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ऊर्ध्वाधर भट्ठी sic कोटेड अंगूठी
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ऊर्ध्वाधर भट्ठी sic कोटेड अंगूठी

वर्टिकल फर्नेस SiC कोटेड रिंग एक घटक है जिसे विशेष रूप से वर्टिकल फर्नेस के लिए डिज़ाइन किया गया है। VeTek सेमीकंडक्टर सामग्री और विनिर्माण प्रक्रियाओं दोनों के मामले में आपके लिए सर्वोत्तम कार्य कर सकता है। चीन में वर्टिकल फर्नेस SiC कोटेड रिंग के अग्रणी निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, VeTek सेमीकंडक्टर को विश्वास है कि हम आपको सर्वोत्तम उत्पाद और सेवाएँ प्रदान कर सकते हैं।

ऊर्ध्वाधर भट्टियों में, SiC लेपित रिंगों का उपयोग एक सामान्य समाधान है, जिसका उपयोग मुख्य रूप से उच्च तापमान ताप उपचार प्रक्रियाओं में किया जाता हैअर्धचालक वेफर्स. ऊर्ध्वाधर भट्टी SiC लेपित रिंग उच्च प्रदर्शन, उच्च तापमान प्रतिरोधी घटक हैं जिनका उपयोग प्रक्रिया की स्थिरता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए वेफर्स को समर्थन या सुरक्षा देने के लिए किया जाता है।


ऊर्ध्वाधर भट्ठी sic कोटेड रिंग के कार्य

● कार्य

सहायक की भूमिका। उच्च तापमान भट्टियों में उनकी स्थिरता और सटीक स्थिति सुनिश्चित करने के लिए वेफर्स का समर्थन करने के लिए उपयोग किया जाता है।

●  संक्षारण संरक्षण

संक्षारक गैसों या रसायनों को आधार सामग्री को संक्षारित करने से रोकें।

●  प्रदूषण को कम

उच्च शुद्धता वाली SiC कोटिंग प्रक्रिया की सफाई सुनिश्चित करने के लिए कणों के बहाव और अशुद्धता संदूषण को प्रभावी ढंग से रोक सकती है।

●  उच्च तापमान प्रतिरोध

उच्च तापमान वातावरण (आमतौर पर 1000 डिग्री सेल्सियस से अधिक) में उत्कृष्ट यांत्रिक गुणों और आयामी स्थिरता को बनाए रखें।


वर्टिकल फर्नेस SiC लेपित रिंग की विशेषताएं

●  उच्च कठोरता और ताकत

SiC सामग्रियों में उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ति होती है और यह भट्ठी में उच्च तापमान तनाव का सामना कर सकती है।

●  अच्छी तापीय स्थिरता

SiC की उच्च तापीय चालकता और कम तापीय विस्तार गुणांक तापीय तनाव को कम करने में मदद करते हैं।

●  मजबूत रासायनिक स्थिरता

SiC कोटिंग्स ऑक्सीकरण, अम्लीय या क्षारीय वातावरण में जंग का विरोध कर सकती हैं।

●  कम कण संदूषण

चिकनी सतह कण उत्पादन की संभावना को कम कर देती है, जो अर्धचालक निर्माण के अति-स्वच्छ वातावरण के लिए विशेष रूप से उपयुक्त है।


सिलिकॉन वेफर्स का समर्थन करने और गर्मी उपचार के दौरान कण संदूषण को रोकने के लिए ऊर्ध्वाधर भट्टियों में प्रसार, ऑक्सीकरण, एनीलिंग और अन्य प्रक्रियाओं के लिए उपयोग किया जाता है।


विनिर्माण सामग्री और प्रक्रियाएँ

● सब्सट्रेट: उच्च गुणवत्ता वाले एसजीएल ग्रेफाइट से बना, गुणवत्ता की गारंटी है।

● कोटिंग: सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग को रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) द्वारा ग्रेफाइट सतह पर लगाया जाता है।

● कोटिंग की मोटाई आमतौर पर 50~500μm के बीच होती है, जिसे उपयोग की आवश्यकताओं के अनुसार समायोजित किया जाता है।

●  रासायनिक वाष्प जमाव SiC कोटिंग में उच्च शुद्धता और घनत्व और बेहतर स्थायित्व है।


उपयुक्त का चयन करेंSiC कोटिंगभट्ठी और वाहक विनिर्देशों में सिलिकॉन वेफर के व्यास के अनुसार रिंग। हम इसे आपके लिए अनुकूलित कर सकते हैं। उच्च शुद्धता, घनी कोटिंग अधिक टिकाऊ और कम प्रदूषणकारी होती है। कोटिंग एजिंग के कारण संदूषण या समर्थन विफलता से बचने के लिए उपयोग और प्रक्रिया की आवश्यकताओं की आवृत्ति के अनुसार रेगुलर रूप से बदलें।


चीन में एक पेशेवर वर्टिकल फर्नेस SiC कोटेड रिंग आपूर्तिकर्ता और निर्माता के रूप में, VeTek सेमीकंडक्टर लंबे समय से सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए उन्नत वर्टिकल फर्नेस तकनीक और उत्पाद समाधान प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध है। हम ईमानदारी से चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए तत्पर हैं।


सीवीडी एसआईसी फिल्म क्रिस्टल संरचना

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण


CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
FCC of चरण Polycrystalline, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
SiC कोटिंग घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी³
Sic कोटिंग कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे·किग्रा-1·के-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W·m-1·के-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)
4.5×10-6K-1

यह अर्धचालकवर्टिकल फर्नेस SiC लेपित रिंग दुकानें:

Semiconductor EquipmentGraphite epitaxial substrateSiC coated ring assemblySemiconductor process equipment

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