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सीवीडी एसआईसी कोटिंग रक्षक
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सीवीडी एसआईसी कोटिंग रक्षक

वेटेक सेमीकंडक्टर के सीवीडी एसआईसी कोटिंग रक्षक का उपयोग एलपीई एसआईसी एपिटैक्सी है, शब्द "एलपीई" आमतौर पर कम दबाव वाले रासायनिक वाष्प स्थगन (एलपीसीवीडी) में कम दबाव वाले एपिटैक्सी (एलपीई) को संदर्भित करता है। अर्धचालक विनिर्माण में, एलपीई एकल क्रिस्टल पतली फिल्मों को बढ़ाने के लिए एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया प्रौद्योगिकी है, जिसका उपयोग अक्सर सिलिकॉन एपिटैक्सियल लेयर्स या अन्य सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल लेयर्स को विकसित करने के लिए किया जाता है। अधिक सवालों के लिए हमसे संपर्क करने में कोई संकोच नहीं करता है।


उत्पाद स्थिति और कोर फ़ंक्शंस :

CVD SIC कोटिंग प्रोटेक्टर LPE सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल उपकरण में एक प्रमुख घटक है, जिसका उपयोग मुख्य रूप से रिएक्शन चैंबर की आंतरिक संरचना की रक्षा करने और प्रक्रिया स्थिरता में सुधार करने के लिए किया जाता है। इसके मुख्य कार्यों में शामिल हैं:


संक्षारण संरक्षण: रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) प्रक्रिया द्वारा गठित सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग क्लोरीन/फ्लोरीन प्लाज्मा के रासायनिक संक्षारण का विरोध कर सकती है और नक़्क़ाशी उपकरण जैसे कठोर वातावरण के लिए उपयुक्त है;

थर्मल प्रबंधन: सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री की उच्च तापीय चालकता प्रतिक्रिया कक्ष में तापमान एकरूपता को अनुकूलित कर सकती है और एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता में सुधार कर सकती है;

प्रदूषण को कम करना: एक अस्तर घटक के रूप में, यह प्रतिक्रिया को सीधे चैम्बर से संपर्क करने और उपकरण रखरखाव चक्र का विस्तार करने से रोक सकता है।


तकनीकी विशेषताओं और डिजाइन :


संरचनात्मक डिजाइन:

आमतौर पर ऊपरी और निचले आधे-चंद्रमा भागों में विभाजित, एक अंगूठी के आकार की सुरक्षात्मक संरचना बनाने के लिए ट्रे के चारों ओर सममित रूप से स्थापित किया जाता है;

एयरफ्लो वितरण और प्लाज्मा फोकसिंग प्रभाव को अनुकूलित करने के लिए ट्रे और गैस शॉवर हेड जैसे घटकों के साथ सहयोग करना।

कोटिंग प्रक्रिया:

सीवीडी विधि का उपयोग उच्च शुद्धता वाले एसआईसी कोटिंग्स को जमा करने के लिए किया जाता है, जिसमें ± 5% के भीतर फिल्म की मोटाई की एकरूपता और एक सतह खुरदरापन के साथ ra−0.5μm के रूप में कम;

विशिष्ट कोटिंग की मोटाई 100-300μm है, और यह 1600 ℃ के उच्च तापमान वातावरण का सामना कर सकता है।


आवेदन परिदृश्य और प्रदर्शन लाभ :


लागू उपकरण:

मुख्य रूप से LPE के 6-इंच 8 इंच के सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल भट्टी के लिए उपयोग किया जाता है, Sic Homoepitaxial विकास का समर्थन करता है;

नक़्क़ाशी उपकरण, MOCVD उपकरण और अन्य परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है जिन्हें उच्च संक्षारण प्रतिरोध की आवश्यकता होती है।

महत्वपूर्ण संकेतक:

थर्मल विस्तार गुणांक: 4.5 × 10 k/k (थर्मल तनाव को कम करने के लिए ग्रेफाइट सब्सट्रेट के साथ मिलान);

प्रतिरोधकता: 0.1-10ω · सेमी (चालकता आवश्यकताओं को पूरा करना);

सेवा जीवन: पारंपरिक क्वार्ट्ज/सिलिकॉन सामग्री की तुलना में 3-5 गुना अधिक।


तकनीकी बाधा और चुनौतियां


इस उत्पाद को प्रक्रिया की कठिनाइयों को दूर करने की आवश्यकता है जैसे कि कोटिंग एकरूपता नियंत्रण (जैसे कि किनारे की मोटाई मुआवजा) और सब्सट्रेट-कोटिंग इंटरफ़ेस बॉन्डिंग ऑप्टिमाइज़ेशन (m30mpa), और एक ही समय में LPE उपकरण की उच्च गति वाले रोटेशन (1000rpm) और तापमान ढाल आवश्यकताओं से मेल खाने की आवश्यकता है।





सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार 2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान 2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक 430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता 300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार 4.5 × 10-6K-1


उत्पादन की दुकानें:

VeTek Semiconductor Production Shop


सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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