CVD TAC कोटेड थ्री-पंखुड़ी गाइड रिंग

सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट सामग्री एक प्रकार की क्रिस्टल सामग्री है, जो विस्तृत बैंडगैप अर्धचालक सामग्री से संबंधित है। इसमें उच्च वोल्टेज प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च आवृत्ति, कम हानि आदि के फायदे हैं। यह उच्च-शक्ति पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और माइक्रोवेव रेडियो आवृत्ति उपकरणों की तैयारी के लिए एक बुनियादी सामग्री है। वर्तमान में, एसआईसी क्रिस्टल बढ़ने के लिए मुख्य तरीके भौतिक वाष्प परिवहन (पीवीटी विधि), उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव (HTCVD विधि), तरल चरण विधि, आदि हैं।

भौतिक वाष्प परिवहन (PVT) विधि एक अच्छी तरह से स्थापित तकनीक है जो बड़े पैमाने पर औद्योगिक उत्पादन के लिए अत्यधिक उपयुक्त है। इस प्रक्रिया में, एक एसआईसी बीज क्रिस्टल को क्रूसिबल के शीर्ष पर तैनात किया जाता है, जबकि एसआईसी पाउडर, कच्चे माल के रूप में सेवारत, क्रूसिबल तल पर रखा जाता है। एक बंद वातावरण के भीतर उच्च तापमान और कम दबाव की स्थितियों के तहत, एसआईसी पाउडर को कमज़ोर करता है। तापमान ढाल और एकाग्रता अंतर से प्रेरित, उच्चतर प्रजातियां बीज क्रिस्टल के पास क्षेत्र की ओर ऊपर की ओर बढ़ती हैं। एक बार एक सुपरसैचुरेटेड स्थिति तक पहुंचने के बाद, पुनर्संयोजन होता है, जो आकार और विशिष्ट क्रिस्टल प्रकार के उगाए गए sic क्रिस्टल पर सटीक नियंत्रण के लिए अनुमति देता है।

CVD TAC कोटेड तीन - पंखुड़ी गाइड रिंग कई महत्वपूर्ण कार्य करती है। मुख्य रूप से, यह गैस प्रवाह का मार्गदर्शन करके द्रव यांत्रिकी को बढ़ाता है, यह सुनिश्चित करता है कि क्रिस्टल विकास क्षेत्र एक समान वातावरण के संपर्क में है। इसके अतिरिक्त, यह एसआईसी क्रिस्टल विकास प्रक्रिया के दौरान प्रभावी रूप से गर्मी को भंग करता है। उचित तापमान ढाल को बनाए रखने से, यह SIC क्रिस्टल के लिए विकास की स्थिति का अनुकूलन करता है और असमान तापमान वितरण के कारण होने वाले क्रिस्टल दोषों के जोखिम को कम करता है।