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उच्च शुद्धता SiC वेफर नाव वाहक
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उच्च शुद्धता SiC वेफर नाव वाहक

VeTek सेमीकंडक्टर अनुकूलित उच्च शुद्धता SiC वेफर बोट कैरियर प्रदान करता है। उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड से बने, इसमें वेफर को जगह पर रखने के लिए स्लॉट होते हैं, जो प्रसंस्करण के दौरान इसे फिसलने से रोकते हैं। यदि आवश्यक हुआ तो CVD SiC कोटिंग भी उपलब्ध है। एक पेशेवर और मजबूत सेमीकंडक्टर निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, वीटेक सेमीकंडक्टर का उच्च शुद्धता वाला SiC वेफर बोट कैरियर मूल्य प्रतिस्पर्धी और उच्च गुणवत्ता वाला है। वीटेक सेमीकंडक्टर चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए तत्पर है।

VeTekSemi उच्च शुद्धता SiC वेफर नाव वाहक एक महत्वपूर्ण असर घटक है जिसका उपयोग अर्धचालक विनिर्माण प्रक्रिया में एनीलिंग भट्टियों, प्रसार भट्टियों और अन्य उपकरणों में किया जाता है। उच्च शुद्धता SiC वेफर नाव वाहक आमतौर पर उच्च शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री से बना होता है और इसमें मुख्य रूप से निम्नलिखित भाग शामिल होते हैं:


नाव समर्थन निकाय: एक ब्रैकेट के समान एक संरचना, विशेष रूप से ले जाने के लिए उपयोग किया जाता हैसिलिकॉन वेफ़र्सया अन्य अर्धचालक सामग्री।


समर्थन संरचना: इसका समर्थन संरचना डिजाइन इसे उच्च तापमान पर भारी भार वहन करने में सक्षम बनाता है और उच्च तापमान उपचार के दौरान विकृत या क्षति नहीं करेगा।


silicon carbide material

सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री


के भौतिक गुणपुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड


संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
कामकाजी तापमान (° C)
1600 डिग्री सेल्सियस (ऑक्सीजन के साथ), 1700 डिग्री सेल्सियस (वातावरण को कम करना)
SiC सामग्री
> 99.96%
निःशुल्क सी सामग्री
<0.1%
थोक घनत्व
2.60-2.70 ग्राम/सेमी3
स्पष्ट सरंध्रता
<16%
संपीड़न ताकत
> 600 एमपीए
ठंडी झुकने की ताकत
80-90 एमपीए (20 डिग्री सेल्सियस)
गर्म झुकने की ताकत
90-100 एमपीए (1400 डिग्री सेल्सियस)
थर्मल विस्तार @1500 डिग्री सेल्सियस
4.70*10-6/° C
थर्मल चालकता @1200 डिग्री सेल्सियस
23 w/m • k
लोचदार मापांक
240 जीपीए
थर्मल सदमे प्रतिरोध
बहुत ही अच्छा

यदि उत्पादन प्रक्रिया की आवश्यकताएँ अधिक हैं,सीवीडी एसआईसी कोटिंगउच्च शुद्धता SIC वेफर बोट वाहक पर किया जा सकता है ताकि शुद्धता को 99.99995%से अधिक तक पहुंच सके, जिससे इसके उच्च तापमान प्रतिरोध में सुधार हो सके।


सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:


संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
FCC of चरण Polycrystalline, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे·किग्रा-1·के-1
उच्चता तापमान
2700℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1·के-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)
4.5 × 10-6K-1

उच्च तापमान उपचार के दौरान, उच्च शुद्धता SiC वेफर नाव वाहक स्थानीय ओवरहीटिंग से बचने के लिए सिलिकॉन वेफर को समान रूप से गर्म करने में सक्षम बनाता है। इसके अलावा, सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री का उच्च तापमान प्रतिरोध इसे 1200 डिग्री सेल्सियस या इससे भी अधिक तापमान पर संरचनात्मक स्थिरता बनाए रखने में सक्षम बनाता है।working principle of High purity SiC wafer boat carrier


प्रसार या एनीलिंग प्रक्रिया के दौरान, कैंटिलीवर पैडल और उच्च शुद्धता sic वेफर बोट वाहक एक साथ काम करते हैं।कैंटिलीवर पैडलधीरे -धीरे उच्च शुद्धता sic वेफर बोट वाहक को सिलिकॉन वेफर को भट्ठी कक्ष में ले जाता है और प्रसंस्करण के लिए एक निर्दिष्ट स्थिति पर रोकता है। 


उच्च शुद्धता sic वेफर बोट वाहक सिलिकॉन वेफर के साथ संपर्क बनाए रखता है और गर्मी उपचार प्रक्रिया के दौरान एक विशिष्ट स्थिति में तय होता है, जबकि ब्रैकट पैडल तापमान एकरूपता सुनिश्चित करते हुए पूरी संरचना को सही स्थिति में रखने में मदद करता है।


उच्च शुद्धता SIC वेफर बोट कैरियर और कैंटिलीवर पैडल उच्च तापमान प्रक्रिया की सटीकता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए एक साथ काम करते हैं।


वेटेक सेमीकंडक्टर आपको अपनी आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित उच्च शुद्धता sic वेफर बोट वाहक प्रदान करता है। आपकी जांच के लिए आगे देख रहे हैं।


वीटेक सेमीकंडक्टरउच्च शुद्धता sic वेफर नाव वाहक की दुकानें:

VeTek Semiconductor High purity SiC wafer boat carrier shops

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    वांग्डा रोड, ज़ियांग स्ट्रीट, वुई काउंटी, जिंघुआ सिटी, झेजियांग प्रांत, चीन

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    +86-18069220752

  • ईमेल

    anny@veteksemi.com

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