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मोक्व्ड एपि सूस्सप्टर
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मोक्व्ड एपि सूस्सप्टर

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में MOCVD एलईडी ईपीआई सूसप्लेर के एक पेशेवर निर्माता हैं। हमारे MOCVD एलईडी EPI Suscector को एपिटैक्सियल उपकरण अनुप्रयोगों की मांग के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसकी उच्च तापीय चालकता, रासायनिक स्थिरता और स्थायित्व एक स्थिर एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया और अर्धचालक फिल्म निर्माण सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण कारक हैं।

अर्धविराम'एसमोक्व्ड एपि सूस्सप्टरएक मुख्य घटक है। अर्धचालक उपकरणों की तैयारी प्रक्रिया में,मोक्व्ड एपि सूस्सप्टरन केवल एक साधारण हीटिंग प्लेटफॉर्म है, बल्कि एक सटीक प्रक्रिया उपकरण भी है, जिसका गुणवत्ता, विकास दर, एकरूपता और पतली फिल्म सामग्री के अन्य पहलुओं पर गहरा प्रभाव पड़ता है।


के विशिष्ट उपयोगमोक्व्ड एपि सूस्सप्टरअर्धचालक में प्रसंस्करण इस प्रकार हैं:


● सब्सट्रेट हीटिंग और एकरूपता नियंत्रण:

MOCVD एपिटैक्सी सूसोसेप्टर का उपयोग एपिटैक्सियल ग्रोथ के दौरान सब्सट्रेट के स्थिर तापमान को सुनिश्चित करने के लिए एक समान हीटिंग प्रदान करने के लिए किया जाता है। यह उच्च गुणवत्ता वाले अर्धचालक फिल्मों को प्राप्त करने और सब्सट्रेट में एपिटैक्सियल परतों की मोटाई और क्रिस्टल गुणवत्ता में स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए आवश्यक है।


● रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) रिएक्टर कक्षों के लिए समर्थन:

सीवीडी रिएक्टर में एक महत्वपूर्ण घटक के रूप में, सूसोसेटर सब्सट्रेट पर धातु कार्बनिक यौगिकों के जमाव का समर्थन करता है। यह वांछित अर्धचालक सामग्री बनाने के लिए इन यौगिकों को ठोस फिल्मों में सटीक रूप से बदलने में मदद करता है।


● गैस वितरण को बढ़ावा देना:

सूसोसीर का डिज़ाइन रिएक्शन चैंबर में गैसों के प्रवाह वितरण को अनुकूलित कर सकता है, यह सुनिश्चित करता है कि प्रतिक्रिया गैस सब्सट्रेट से समान रूप से संपर्क करती है, जिससे एपिटैक्सियल फिल्मों की एकरूपता और गुणवत्ता में सुधार होता है।


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सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:


सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार
4.5 × 10-6K-1




उत्पादन दुकानें:


VeTek Semiconductor Production Shop


सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन


Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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