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MOCVD के लिए SIC लेपित ग्रेफाइट सूस्विनर
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MOCVD के लिए SIC लेपित ग्रेफाइट सूस्विनर

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में MOCVD के लिए SIC लेपित ग्रेफाइट सूसोसेप्टर के एक प्रमुख निर्माता और आपूर्तिकर्ता हैं, जो सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए SIC कोटिंग अनुप्रयोगों और एपिटैक्सियल सेमीकंडक्टर उत्पादों में विशेषज्ञता रखते हैं। हमारे MOCVD SIC कोटेड ग्रेफाइट सेंसेसर्स प्रतिस्पर्धी गुणवत्ता और मूल्य निर्धारण प्रदान करते हैं, जो पूरे यूरोप और अमेरिका में बाजारों की सेवा करते हैं। हम अर्धचालक विनिर्माण को आगे बढ़ाने में आपके दीर्घकालिक, विश्वसनीय भागीदार बनने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

एमओसीवीडी के लिए VeTek सेमीकंडक्टर का SiC कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर एक उच्च शुद्धता वाला SiC कोटेड ग्रेफाइट कैरियर है, जिसे विशेष रूप से वेफर चिप्स पर एपिटैक्सियल परत के विकास के लिए डिज़ाइन किया गया है। एमओसीवीडी प्रसंस्करण में एक केंद्रीय घटक के रूप में, आमतौर पर गियर या रिंग के आकार का, यह असाधारण गर्मी प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध का दावा करता है, जो चरम वातावरण में स्थिरता सुनिश्चित करता है।


एमओसीवीडी SIC कोटेड ग्रेफाइट की मुख्य विशेषताएं:


● परत-प्रतिरोधी कोटिंग: सभी सतहों पर एक समान SiC कोटिंग कवरेज सुनिश्चित करता है, जिससे कण अलग होने का जोखिम कम हो जाता है

●  उत्कृष्ट उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोधce: 1600°C तक तापमान पर स्थिर रहता है

●   उच्च शुद्धता: सीवीडी रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से निर्मित, उच्च तापमान क्लोरीनीकरण स्थितियों के लिए उपयुक्त

● बेहतर संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति अत्यधिक प्रतिरोधी

● अनुकूलित लामिना एयरफ्लो पैटर्न: वायु प्रवाह गतिशीलता की एकरूपता को बढ़ाता है

●   समान थर्मल वितरण: उच्च तापमान प्रक्रियाओं के दौरान स्थिर ताप वितरण सुनिश्चित करता है

●  संदूषण निवारण: प्रदूषकों या अशुद्धियों के प्रसार को रोकता है, वेफर की सफाई सुनिश्चित करता है


वेटेक सेमीकंडक्टर में, हम अपने ग्राहकों को विश्वसनीय उत्पादों और सेवाओं को वितरित करते हुए, सख्त गुणवत्ता मानकों का पालन करते हैं। हम केवल प्रीमियम सामग्री का चयन करते हैं, उद्योग के प्रदर्शन आवश्यकताओं को पूरा करने और पार करने के लिए प्रयास करते हैं। MOCVD के लिए हमारे SIC लेपित ग्रेफाइट सूसोसेक गुणवत्ता के लिए इस प्रतिबद्धता को दर्शाता है। इस बारे में अधिक जानने के लिए हमसे संपर्क करें कि हम आपके अर्धचालक वेफर प्रोसेसिंग आवश्यकताओं का समर्थन कैसे कर सकते हैं।


सीवीडी एसआईसी फिल्म क्रिस्टल संरचना:


SEM DATA OF CVD SIC FILM


सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
FCC of चरण Polycrystalline, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1·के-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1·के-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)
4.5 × 10-6K-1



वीटेक सेमीकंडक्टर एमओसीवीडी इस प्रकार लेपित ग्रेफाइट समर्थन;

VeTekSemi MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor


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    वांग्डा रोड, ज़ियांग स्ट्रीट, वुयी काउंटी, जिंहुआ शहर, झेजियांग प्रांत, चीन

  • टेलीफोन

    +86-18069220752

  • ईमेल

    anny@veteksemi.com

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