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सीसी कोटिंग कलेक्टर केंद्र
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सीसी कोटिंग कलेक्टर केंद्र

Vetek सेमीकंडक्टर चीन में CVD SIC कोटिंग के लिए प्रतिष्ठित एक निर्माता है, जो आपको Aixtron G5 MOCVD सिस्टम में अत्याधुनिक SIC कोटिंग कलेक्टर सेंटर लाता है। ये SIC कोटिंग कलेक्टर सेंटर सावधानीपूर्वक उच्च शुद्धता ग्रेफाइट के साथ डिज़ाइन किया गया है और एक उन्नत CVD SIC कोटिंग को घमंड करता है, उच्च तापमान स्थिरता, संक्षारण प्रतिरोध, उच्च शुद्धता सुनिश्चित करता है। आपके साथ सहयोग करने के लिए आगे!

वेटेक सेमीकंडक्टर एसआईसी कोटिंग कलेक्टर सेंटर सेमीकॉन्ड्यूसर ईपीआई प्रक्रिया के उत्पादन में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। यह एक एपिटैक्सियल रिएक्शन चैंबर में गैस वितरण और नियंत्रण के लिए उपयोग किए जाने वाले प्रमुख घटकों में से एक है।सीसी कोटिंगऔरटीएसी कोटिंगहमारे कारखाने में।


SIC कोटिंग कलेक्टर सेंटर की भूमिका इस प्रकार है:


● गैस वितरण: SIC कोटिंग कलेक्टर सेंटर का उपयोग विभिन्न गैसों को एपिटैक्सियल रिएक्शन चैंबर में पेश करने के लिए किया जाता है। इसमें कई इनलेट और आउटलेट हैं जो विशिष्ट एपिटैक्सियल ग्रोथ जरूरतों को पूरा करने के लिए वांछित स्थानों पर विभिन्न गैसों को वितरित कर सकते हैं।

● नियंत्रण गैस: एसआईसी कोटिंग कलेक्टर केंद्र वाल्व और प्रवाह नियंत्रण उपकरणों के माध्यम से प्रत्येक गैस का सटीक नियंत्रण प्राप्त करता है। यह सटीक गैस नियंत्रण वांछित गैस एकाग्रता और प्रवाह दर को प्राप्त करने के लिए एपिटैक्सियल ग्रोथ प्रक्रिया की सफलता के लिए आवश्यक है, जो फिल्म की गुणवत्ता और स्थिरता को सुनिश्चित करता है।

● एकरूपता: केंद्रीय गैस संग्रह की अंगूठी का डिजाइन और लेआउट गैस के एक समान वितरण को प्राप्त करने में मदद करता है। उचित गैस प्रवाह पथ और वितरण मोड के माध्यम से, गैस को समान रूप से एपिटैक्सियल रिएक्शन चैंबर में मिलाया जाता है, ताकि फिल्म की समान वृद्धि को प्राप्त किया जा सके।


एपिटैक्सियल उत्पादों के निर्माण में, एसआईसी कोटिंग कलेक्टर सेंटर फिल्म की गुणवत्ता, मोटाई और एकरूपता में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। उचित गैस वितरण और नियंत्रण के माध्यम से, एसआईसी कोटिंग कलेक्टर केंद्र स्थिरता और स्थिरता सुनिश्चित कर सकता हैएपिटैक्सियल वृद्धि प्रक्रिया, ताकि उच्च गुणवत्ता वाले एपिटैक्सियल फिल्मों को प्राप्त किया जा सके।


ग्रेफाइट कलेक्टर केंद्र की तुलना में, SIC लेपित कलेक्टर केंद्र में तापीय चालकता, बढ़ी हुई रासायनिक जड़ता और बेहतर संक्षारण प्रतिरोध में सुधार होता है। सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग ग्रेफाइट सामग्री की थर्मल प्रबंधन क्षमता को काफी बढ़ाती है, जिससे बेहतर तापमान एकरूपता और एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में लगातार फिल्म वृद्धि होती है। इसके अतिरिक्त, कोटिंग एक सुरक्षात्मक परत प्रदान करती है जो रासायनिक संक्षारण का विरोध करती है, ग्रेफाइट घटकों के जीवनकाल का विस्तार करती है। कुल मिलाकर,सिलिकॉन कार्बाइड-कोटेडग्रेफाइट सामग्री बेहतर थर्मल चालकता, रासायनिक जड़ता और संक्षारण प्रतिरोध प्रदान करती है, जो कि एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं में बढ़ी हुई स्थिरता और उच्च गुणवत्ता वाली फिल्म विकास को सुनिश्चित करती है।


CVD SIC फिल्म क्रिस्टल संरचना:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
सिसक कोटिंग घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी।
Cvd sic कोटिंग कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार 2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान 2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक 430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता 300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार 4.5 × 10-6K-1


यह अर्धचालकसीसी कोटिंग कलेक्टर केंद्रउत्पादन -दुकान

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