SiC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट

SIC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट एक अत्यधिक नियंत्रणीय छिद्र संरचना के साथ झरझरा ग्रेफाइट से बना एक सामग्री है। अर्धचालक प्रसंस्करण में, यह उत्कृष्ट तापीय चालकता, उच्च तापमान प्रतिरोध और रासायनिक स्थिरता को दर्शाता है, इसलिए इसका व्यापक रूप से भौतिक वाष्प जमाव, रासायनिक वाष्प जमाव और अन्य प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है, उत्पादन प्रक्रिया और उत्पाद की गुणवत्ता की दक्षता में काफी सुधार होता है, एक अनुकूलित अर्धचालक बन जाता है। उपकरणों के प्रदर्शन के लिए महत्वपूर्ण सामग्री।

पीवीडी प्रक्रिया में, SiC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट का उपयोग आमतौर पर सब्सट्रेट सपोर्ट या फिक्स्चर के रूप में किया जाता है। इसका कार्य वेफर या अन्य सब्सट्रेट्स का समर्थन करना और जमाव प्रक्रिया के दौरान सामग्री की स्थिरता सुनिश्चित करना है। पोरस ग्रेफाइट की तापीय चालकता आमतौर पर 80 W/m·K और 120 W/m·K के बीच होती है, जो पोरस ग्रेफाइट को तेजी से और समान रूप से गर्मी का संचालन करने में सक्षम बनाती है, जिससे स्थानीय ओवरहीटिंग से बचा जा सकता है, जिससे पतली फिल्मों के असमान जमाव को रोका जा सकता है, जिससे प्रक्रिया दक्षता में काफी सुधार होता है। .

इसके अलावा, Sic क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट की विशिष्ट पोरसिटी रेंज 20% ~ 40% है। यह विशेषता वैक्यूम चैंबर में गैस के प्रवाह को फैलाने में मदद कर सकती है और गैस के प्रवाह को बयान प्रक्रिया के दौरान फिल्म परत की एकरूपता को प्रभावित करने से रोकती है।

सीवीडी प्रक्रिया में, SiC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट की छिद्रपूर्ण संरचना गैसों के समान वितरण के लिए एक आदर्श मार्ग प्रदान करती है। प्रतिक्रियाशील गैस को एक पतली फिल्म बनाने के लिए गैस-चरण रासायनिक प्रतिक्रिया के माध्यम से सब्सट्रेट की सतह पर जमा किया जाता है। इस प्रक्रिया के लिए प्रतिक्रियाशील गैस के प्रवाह और वितरण के सटीक नियंत्रण की आवश्यकता होती है। पोरस ग्रेफाइट की 20% ~ 40% सरंध्रता प्रभावी ढंग से गैस का मार्गदर्शन कर सकती है और इसे सब्सट्रेट की सतह पर समान रूप से वितरित कर सकती है, जिससे जमा फिल्म परत की एकरूपता और स्थिरता में सुधार होता है।

झरझरा ग्रेफाइट आमतौर पर सीवीडी उपकरणों में भट्ठी ट्यूब, सब्सट्रेट वाहक या मास्क सामग्री के रूप में उपयोग किया जाता है, विशेष रूप से अर्धचालक प्रक्रियाओं में जिनके लिए उच्च शुद्धता सामग्री की आवश्यकता होती है और कण संदूषण के लिए अत्यधिक उच्च आवश्यकताएं होती हैं। इसी समय, सीवीडी प्रक्रिया में आमतौर पर उच्च तापमान शामिल होता है, और झरझरा ग्रेफाइट 2500 डिग्री सेल्सियस तक के तापमान पर अपनी भौतिक और रासायनिक स्थिरता को बनाए रख सकता है, जिससे यह सीवीडी प्रक्रिया में एक अपरिहार्य सामग्री बन जाता है।

इसकी झरझरा संरचना के बावजूद, एसआईसी क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट में अभी भी 50 एमपीए की एक संपीड़ित शक्ति है, जो अर्धचालक विनिर्माण के दौरान उत्पन्न यांत्रिक तनाव को संभालने के लिए पर्याप्त है।

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Sic क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइट के बुनियादी भौतिक गुण:

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