झरझरा ग्रेफाइट गाइड रिंग

मुख्य उत्पाद लाभ

1. अति-उच्च शुद्धता एवं कम दोष की गारंटी

ऑक्सीजन और नाइट्रोजन जैसी गैर-धातु अशुद्धियों को गहराई से हटाने के लिए 3000℃ वैक्यूम उच्च तापमान शुद्धि प्रक्रिया को अपनाता है, जिससे उत्पाद की शुद्धता ≥99.9995% तक बढ़ जाती है। यह स्रोत से अशुद्धता-प्रेरित क्रिस्टल दोषों (जैसे, सूक्ष्मनलिकाएं, अव्यवस्था) को समाप्त करता है, SiC एकल क्रिस्टल के विद्युत गुणों की स्थिरता और स्थिरता सुनिश्चित करता है, और उच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल विकास के लिए एक ठोस आधार रखता है।

2. अति-उच्च तापमान स्थिरता और सटीक तापीय क्षेत्र विनियमन

आर्गन या वैक्यूम वातावरण में 2200℃ के अत्यधिक उच्च तापमान का सामना कर सकता है, नरम या विरूपण के बिना 1000 घंटे से अधिक समय तक लगातार और स्थिर रूप से काम कर सकता है। उत्पाद में थर्मल विस्तार का कम गुणांक होता है, जो थर्मल तनाव के कारण सामग्री के टूटने से प्रभावी ढंग से बच सकता है। यह सरंध्रता (15-30%) के ग्रेडिएंट वितरण डिजाइन का समर्थन करता है और सीएफडी (कम्प्यूटेशनल फ्लूइड डायनेमिक्स) सिमुलेशन तकनीक के साथ संयुक्त छिद्र आकार (10-200μm) को अनुकूलित करता है, ±3℃ के भीतर तापमान ढाल उतार-चढ़ाव को नियंत्रित करता है और थर्मल क्षेत्र की एकरूपता और क्रिस्टल विकास स्थिरता में काफी सुधार करता है।

3. अनुकूलित अनुकूलन और पूर्ण-परिदृश्य संतुष्टि

• ज्यामितीय आकार अनुकूलन: सही मिलान और स्थापना प्राप्त करने के लिए ग्राहकों की भट्ठी संरचनाओं के अनुसार कुंडलाकार बैरल और बहु-परत ढाल संरचनाओं जैसे जटिल आकारों को सटीक रूप से संसाधित कर सकता है।
• सतह प्रक्रिया अनुकूलन: अल्ट्रा-प्रिसिजन पॉलिशिंग और विशेष कोटिंग्स जैसी व्यक्तिगत सतह उपचार सेवाएं प्रदान करता है, जो उत्पाद के संक्षारण प्रतिरोध और सेवा जीवन को काफी बढ़ाता है।

4. प्रदर्शन-सत्यापित और दक्षता उन्नत

• जब PVT SiC क्रिस्टलीकरण प्रक्रिया में कोर थर्मल फ़ील्ड घटक के रूप में उपयोग किया जाता है, तो इसे व्यावहारिक परिदृश्यों में सत्यापित किया गया है:
• पारंपरिक ग्रेफाइट उत्पादों की तुलना में क्रिस्टल विकास दर में 15% -20% की वृद्धि हुई है, जिससे उत्पादन चक्र काफी छोटा हो गया है।
• 4-इंच SiC सिंगल क्रिस्टल वेफर्स की उपज 90% से अधिक है, जिससे उत्पादन लागत प्रभावी रूप से कम हो जाती है।
• उपकरण रखरखाव चक्र को पारंपरिक 3 महीने से बढ़ाकर 6 महीने कर दिया गया है, जिससे शटडाउन रखरखाव की आवृत्ति कम हो गई है और उत्पादन दक्षता में सुधार हुआ है।
  
  

अनुप्रयोग परिदृश्य

• पीवीटी ग्रोथ फर्नेस असेंबली: SiC सामग्री उर्ध्वपातन और क्रिस्टल विकास के लिए मुख्य घटक के रूप में कार्य करता है, क्रिस्टलीकरण प्रक्रिया की सुचारू प्रगति सुनिश्चित करने के लिए स्थिर और समान थर्मल क्षेत्र वितरण प्रदान करता है।
• थर्मल फील्ड शील्डिंग घटक: अद्वितीय छिद्रपूर्ण संरचना प्रभावी ढंग से थर्मल तनाव को कम कर सकती है, उपकरण की टूट-फूट को कम कर सकती है और उपकरण की समग्र सेवा जीवन को बढ़ा सकती है।
• बीज क्रिस्टल समर्थन सहायक उपकरण: दिशात्मक क्रिस्टल विकास की सटीकता सुनिश्चित करते हुए, बीज क्रिस्टल को स्थिर रूप से समर्थन देने के लिए उच्च यांत्रिक शक्ति रखता है।
• गैस प्रसार परत: गैस-चरण स्थानांतरण दक्षता को अनुकूलित करता है, कच्चे माल के समान उर्ध्वपातन और जमाव को बढ़ावा देता है, और एकल क्रिस्टल गुणवत्ता और विकास दर में और सुधार करता है।

तकनीकी मापदंड

मुख्य प्रतिस्पर्धी हाइलाइट्स

• अत्यधिक उच्च तापमान प्रदर्शन: नरम या विरूपण के बिना 2200 ℃ पर संरचनात्मक स्थिरता बनाए रखता है, चरम प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए 1000 घंटे से अधिक निरंतर संचालन का समर्थन करता है।
• अनुकूलित थर्मल फील्ड समाधान: छिद्र ढाल डिजाइन को अनुकूलित करने, ग्राहकों की प्रक्रिया आवश्यकताओं का सटीक मिलान करने और क्रिस्टल एकरूपता और उत्पाद उपज में सुधार करने के लिए सीएफडी सिमुलेशन तकनीक पर निर्भर करता है।
• तीव्र प्रतिक्रिया सेवा: प्रक्रिया पैरामीटर मिलान परीक्षण सेवाएँ प्रदान करती है और 72 घंटों के भीतर प्रोटोटाइप समाधान प्रदान करती है, जिससे ग्राहकों को अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन प्रक्रियाओं में तेजी लाने में मदद मिलती है।