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Sic icp etching प्लेट
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Sic icp etching प्लेट

Veteksemicon उच्च-प्रदर्शन SIC ICP नक़्क़ाशी प्लेट प्रदान करता है, जो अर्धचालक उद्योग में ICP नक़्क़ाशी अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसके अद्वितीय भौतिक गुण इसे उच्च तापमान, उच्च दबाव और रासायनिक संक्षारण वातावरण में अच्छा प्रदर्शन करने में सक्षम बनाते हैं, जिससे विभिन्न नक़्क़ाशी प्रक्रियाओं में उत्कृष्ट प्रदर्शन और दीर्घकालिक स्थिरता सुनिश्चित होती है।

ICP Etching (इंडिकली कपल प्लाज्मा नक़्क़ाशी) तकनीक अर्धचालक विनिर्माण में एक सटीक नक़्क़ाशी प्रक्रिया है, जिसका उपयोग आमतौर पर उच्च-सटीक और उच्च गुणवत्ता वाले पैटर्न हस्तांतरण के लिए किया जाता है, विशेष रूप से गहरे छेद नक़्क़ाशी, माइक्रो-पैटर्न प्रसंस्करण, आदि के लिए उपयुक्त है।


अर्धविरामउच्च गुणवत्ता वाली एसआईसी सामग्री का उपयोग करके, एसआईसी आईसीपी नक़्क़ाशी प्लेट विशेष रूप से आईसीपी प्रक्रिया के लिए डिज़ाइन की गई है, और उच्च तापमान, मजबूत संक्षारक और उच्च ऊर्जा वातावरण में उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान कर सकती है। असर और समर्थन के लिए एक प्रमुख घटक के रूप में,आईसीपी ईचप्लेट नक़्क़ाशी प्रक्रिया के दौरान स्थिरता और दक्षता सुनिश्चित करती है।


Sic icp etching प्लेटउत्पाद की विशेषताएँ


ICP Etching process

● उच्च तापमान सहिष्णुता

SIC ICP नक़्क़ाशी प्लेट तापमान में 1600 ° C तक परिवर्तन का सामना कर सकती है, उच्च तापमान ICP नक़्क़ाशी वातावरण में स्थिर उपयोग सुनिश्चित करती है और तापमान में उतार -चढ़ाव के कारण विरूपण या प्रदर्शन में गिरावट से बचती है।


●  उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध

सिलिकॉन कार्बाइड सामग्रीहाइड्रोजन फ्लोराइड, हाइड्रोजन क्लोराइड, सल्फ्यूरिक एसिड, आदि जैसे अत्यधिक संक्षारक रसायनों का प्रभावी ढंग से विरोध कर सकते हैं, जो कि नक़्क़ाशी के दौरान उजागर हो सकते हैं, यह सुनिश्चित करते हुए कि लंबे समय तक उपयोग के दौरान उत्पाद क्षतिग्रस्त नहीं है।


●  कम थर्मल विस्तार गुणांक

SIC ICP नक़्क़ाशी प्लेट में एक कम थर्मल विस्तार गुणांक होता है, जो उच्च तापमान वातावरण में अच्छी आयामी स्थिरता बनाए रख सकता है, तापमान में परिवर्तन के कारण तनाव और विरूपण को कम कर सकता है, और सटीक नक़्क़ाशी प्रक्रिया सुनिश्चित कर सकता है।


●  उच्च कठोरता और पहनने का प्रतिरोध

SIC में 9 mohs कठोरता तक की कठोरता है, जो प्रभावी रूप से यांत्रिक पहनने को रोक सकती है जो नक़्क़ाशी प्रक्रिया के दौरान हो सकती है, सेवा जीवन का विस्तार कर सकती है, और प्रतिस्थापन आवृत्ति को कम कर सकती है।


● ईXcellent तापीय चालकता

उत्कृष्ट तापीय चालकता यह सुनिश्चित करती है किसीसी ट्रेनक़्क़ाशी की प्रक्रिया के दौरान गर्मी को जल्दी से फैला सकता है, गर्मी संचय के कारण स्थानीय तापमान में वृद्धि से बचता है, जिससे नक़्क़ाशी प्रक्रिया की स्थिरता और एकरूपता सुनिश्चित होती है।


एक मजबूत तकनीकी टीम के समर्थन के साथ, Veteksemicon Sic ICP Etching ट्रे ने विभिन्न कठिन परियोजनाओं को पूरा कर लिया है और आपकी आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित उत्पाद प्रदान करता है। हम आपकी जांच के लिए तत्पर हैं।


सीवीडी एसआईसी के बुनियादी भौतिक गुण:

Bसीवीडी एसआईसी के एएसआईसी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी।
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4PT बेंड, 1300
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार
4.5 × 10-6K-1


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    anny@veteksemi.com

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