नक़्क़ाशी के लिए sic लेपित वेफर वाहक

नक़्क़ाशी प्रक्रिया के लिए Sic कोटेड वेफर वाहक का मुख्य अनुप्रयोग

1। जीएएन फिल्म विकास और एलईडी विनिर्माण में नक़्क़ाशी

एसआईसी लेपित वाहक (जैसे कि पीएसएस नक़्क़ाशी वाहक) का उपयोग एलईडी उत्पादन में नीलम सब्सट्रेट (पैटर्नेड नीलम सब्सट्रेट, पीएसएस) का समर्थन करने के लिए किया जाता है और उच्च तापमान पर गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) फिल्मों के रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीवीडी) का प्रदर्शन किया जाता है। वाहक को तब एक गीले नक़्क़ाशी प्रक्रिया द्वारा हटा दिया जाता है ताकि प्रकाश निष्कर्षण दक्षता में सुधार के लिए एक सतह माइक्रोस्ट्रक्चर बनाया जा सके।

प्रमुख भूमिका: वेफर वाहक को प्लाज्मा नक़्क़ाशी वातावरण में 1600 डिग्री सेल्सियस और रासायनिक संक्षारण तक के तापमान का सामना करना पड़ता है। उच्च शुद्धता (99.99995%) और एसआईसी कोटिंग का घनत्व धातु संदूषण को रोकता है और GAN फिल्म की एकरूपता सुनिश्चित करता है।

2। अर्धचालक प्लाज्मा/सूखी नक़्क़ाशी प्रक्रिया

मेंICP (इंडिकली युग्मित प्लाज्मा) नक़्क़ाशी, एसआईसी लेपित वाहक अनुकूलित एयरफ्लो डिजाइन (जैसे कि लामिनार फ्लो मोड) के माध्यम से समान गर्मी वितरण प्राप्त करते हैं, अशुद्धता प्रसार से बचते हैं, और नक़्क़ाशी सटीकता में सुधार करते हैं। उदाहरण के लिए, Veteksemicon के SIC लेपित ICP नक़्क़ाशी वाहक 2700 ° C के उच्चारण तापमान का सामना कर सकते हैं और उच्च-ऊर्जा प्लाज्मा वातावरण के लिए उपयुक्त है।

3। सौर सेल और बिजली उपकरण विनिर्माण

SIC वाहक उच्च तापमान वाले प्रसार में अच्छा प्रदर्शन करते हैं और फोटोवोल्टिक क्षेत्र में सिलिकॉन वेफर्स की नक़्क़ाशी करते हैं। उनका कम थर्मल विस्तार गुणांक (4.5 × 10 k/k) थर्मल तनाव के कारण होने वाली विरूपण को कम करता है और सेवा जीवन का विस्तार करता है।

भौतिक गुण और एसआईसी कोटेड वेफर वाहक के फायदे नक़्क़ाशी के लिए

1। चरम वातावरण के लिए सहिष्णुता:

उच्च तापमान स्थिरता:सीवीडी एसआईसी कोटिंग1600 ° C हवा या 2200 ° C वैक्यूम वातावरण में लंबे समय तक काम कर सकते हैं, जो पारंपरिक क्वार्ट्ज या ग्रेफाइट वाहक की तुलना में बहुत अधिक है।

संक्षारण प्रतिरोध: एसआईसी में एसिड, क्षारीय, लवण और कार्बनिक सॉल्वैंट्स के लिए उत्कृष्ट प्रतिरोध होता है, और लगातार रासायनिक सफाई के साथ अर्धचालक उत्पादन लाइनों के लिए उपयुक्त है।

2। थर्मल और यांत्रिक गुण:

उच्च तापीय चालकता (300 w/mk): तेजी से गर्मी अपव्यय थर्मल ग्रेडिएंट को कम करता है, वेफर तापमान एकरूपता सुनिश्चित करता है, और फिल्म मोटाई विचलन से बचा जाता है।

उच्च यांत्रिक शक्ति: फ्लेक्सुरल स्ट्रेंथ 415 एमपीए (कमरे के तापमान) तक पहुंचती है, और यह अभी भी उच्च तापमान पर 90% से अधिक ताकत को बनाए रखता है, वाहक क्रैकिंग या डीलमिनेशन से बचता है।

सरफेस फिनिश: SSIC (प्रेशर सिनडेड सिलिकॉन कार्बाइड) में कम सतह खुरदरापन (<0.1μm) होता है, जिससे कण संदूषण को कम करता है और वेफर उपज में सुधार होता है।

3। सामग्री मिलान अनुकूलन:

ग्रेफाइट सब्सट्रेट और एसआईसी कोटिंग के बीच कम थर्मल विस्तार अंतर: कोटिंग प्रक्रिया (जैसे ढाल बयान) को समायोजित करके, इंटरफ़ेस तनाव कम हो जाता है और कोटिंग को छीलने से रोका जाता है।

उच्च शुद्धता और कम दोष: सीवीडी प्रक्रिया कोटिंग शुद्धता सुनिश्चित करती है> 99.9999%, संवेदनशील प्रक्रियाओं के धातु आयन संदूषण से बचती है (जैसे कि एसआईसी पावर डिवाइस विनिर्माण)।

तबc cvd sic कोटिंग के भौतिक गुण

Cvd sic कोटिंग फिल्म क्रिस्टल संरचना

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