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टीएसी कोटिंग स्पेयर पार्ट
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टीएसी कोटिंग स्पेयर पार्ट

TAC कोटिंग का उपयोग वर्तमान में मुख्य रूप से सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ (PVT विधि), एपिटैक्सियल डिस्क (सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सी, एलईडी एपिटैक्सी सहित), आदि जैसी प्रक्रियाओं में किया जाता है, जो TAC कोटिंग प्लेट की अच्छी दीर्घकालिक स्थिरता के साथ संयुक्त रूप से संयुक्त रूप से TAC कोटिंग स्पेयर पार्ट्स के लिए बेंचमार्क बन गया है। हम आपके दीर्घकालिक साथी बनने के लिए तत्पर हैं।

यह अर्धचालकटीएसी कोटिंग प्लेटमें व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली एक विशेष सामग्री हैअर्धचालकविनिर्माण प्रक्रिया। इसकी उच्च कठोरता और पहनने के प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, कम घर्षण गुणांक और अच्छे तापीय चालकता के साथ संयुक्त, टीएसी कोटिंग प्लेट अर्धचालक प्रसंस्करण के कई लिंक में एक अपूरणीय भूमिका निभाती है।


आम तौर पर, के अनुप्रयोगटीएसी कोटेड प्लेट्सअर्धचालक में प्रसंस्करण इस प्रकार हैं:


● सीवीडी/एएलडी विकास सब्सट्रेट: TAC लेपित प्लेटों के उच्च तापमान प्रतिरोध, रासायनिक स्थिरता और कम घर्षण गुणांक उन्हें आदर्श CVD/ALD विकास सब्सट्रेट बनाते हैं। यह फिल्म की एकरूपता और घनत्व सुनिश्चित करने के लिए एक स्थिर विकास वातावरण प्रदान कर सकता है।

●  नक़्क़ाशी की प्लेट: TAC लेपित प्लेटों की उच्च कठोरता और संक्षारण प्रतिरोध उन्हें उच्च-ऊर्जा प्रक्रियाओं जैसे कि प्लाज्मा नक़्क़ाशी, नक़्क़ाशी वाले मास्क प्लेटों के रूप में, अंतर्निहित फिल्म की रक्षा करने में सक्षम बनाता है।

●  सीएमपी पॉलिशिंग पैड: टीएसी लेपित प्लेटों के पहनने के प्रतिरोध और कम घर्षण गुणांक उन्हें सीएमपी पॉलिशिंग पैड के लिए आदर्श सामग्री बनाते हैं, जो फिल्म की सतह पर कणों और दोषों को प्रभावी ढंग से हटा सकते हैं।

●  उच्च तापमान भट्ठी ट्यूब: टीएसी लेपित प्लेटों के उच्च तापमान प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध उन्हें उच्च तापमान भट्ठी, प्रसार और अन्य प्रक्रियाओं के लिए उच्च तापमान भट्टियों में भट्ठी ट्यूबों के रूप में उपयोग करने में सक्षम बनाते हैं।


सीवीडी टीएसी कोटिंग तकनीकी पैरामीटर

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
Cvd sic कोटिंग घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी।
Sic कोटिंग कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार
4.5 × 10-6K-1

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