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वेटेक सेमीकंडक्टर की सीवीडी एसआईसी कोटेड सीलिंग में उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, उच्च कठोरता और कम थर्मल विस्तार गुणांक जैसे उत्कृष्ट गुण होते हैं, जिससे यह अर्धचालक विनिर्माण में एक आदर्श सामग्री विकल्प बन जाता है। एक चीन के रूप में सीवीडी एसआईसी कोटेड सीलिंग निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, वेटेक सेमीकंडक्टर आपके परामर्श के लिए तत्पर है।

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में MOCVD एलईडी ईपीआई सूसप्लेर के एक पेशेवर निर्माता हैं। हमारे MOCVD एलईडी EPI Suscector को एपिटैक्सियल उपकरण अनुप्रयोगों की मांग के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसकी उच्च तापीय चालकता, रासायनिक स्थिरता और स्थायित्व एक स्थिर एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया और अर्धचालक फिल्म निर्माण सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण कारक हैं।

SIC कोटिंग ALD Suscector एक समर्थन घटक है जो विशेष रूप से परमाणु परत जमाव (ALD) प्रक्रिया में उपयोग किया जाता है। यह एएलडी उपकरणों में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, एकरूपता और बयान प्रक्रिया की सटीकता सुनिश्चित करता है। हम मानते हैं कि हमारे ALD Plaheratery Susceptor Products आपको उच्च-गुणवत्ता वाले उत्पाद समाधान ला सकते हैं।

VeTek सेमीकंडक्टर की TaC कोटिंग ट्यूब सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल के सफल विकास के लिए एक प्रमुख घटक है। अपने उच्च तापमान प्रतिरोध, रासायनिक जड़ता और उत्कृष्ट प्रदर्शन के साथ, यह लगातार परिणामों के साथ उच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल का उत्पादन सुनिश्चित करता है। अपनी पीवीटी विधि सीआईसी क्रिस्टल विकास प्रक्रिया को बढ़ाने और उत्कृष्ट परिणाम प्राप्त करने के लिए हमारे अभिनव समाधानों पर भरोसा करें। हमसे पूछताछ करने के लिए आपका स्वागत है।

Vetek सेमीकंडक्टर वेफर प्रोसेसिंग तकनीक, ट्रांसफर और अन्य लिंक में व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले झरझरा sic सिरेमिक चक प्रदान करता है, जो बॉन्डिंग, स्क्रिबिंग, पैच, पॉलिशिंग और अन्य लिंक, लेजर प्रसंस्करण के लिए उपयुक्त है। हमारे झरझरा sic सिरेमिक चक में अल्ट्रा-स्ट्रांग वैक्यूम सोखना, उच्च सपाटता और उच्च शुद्धता सबसे अर्धचालक उद्योगों की जरूरतों को पूरा करती है। हमें पूछताछ करने के लिए।

VeTek सेमीकंडक्टर से CVD SiC लेपित RTP ससेप्टर सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) उपकरण का काम करता है। The substrate is machined from high‑purity isostatic graphite, over which a dense CVD silicon carbide (SiC) layer is deposited. यह निर्माण उच्च तापीय चालकता, मजबूत रासायनिक जड़ता और बार-बार उच्च तापमान चक्रण के तहत निरंतर आयामी स्थिरता उत्पन्न करता है।