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सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग हीटर

सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग हीटर

सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग हीटर मुख्य रूप से अर्धचालक विनिर्माण के उच्च तापमान और कठोर वातावरण के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसका अल्ट्रा-हाई पिघलने बिंदु, उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध और उत्कृष्ट तापीय चालकता अर्धचालक उत्पादन प्रक्रिया में इस उत्पाद की अपरिहार्यता को निर्धारित करती है।
सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग

सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग

चीन में एक पेशेवर सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, वेटेक सेमीकंडक्टर के सिलिकॉन्टर के सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग का व्यापक रूप से अर्धचालक विनिर्माण उपकरणों के प्रमुख घटकों पर उपयोग किया जाता है, खासकर जब सीवीडी और पीईसीवीडी प्रक्रियाएं शामिल होती हैं। आपकी जांच में आपका स्वागत है।
वर्टिकल कॉलम वेफर बोट और पेडस्टल

वर्टिकल कॉलम वेफर बोट और पेडस्टल

वेटेक सेमीकंडक्टर का वर्टिकल कॉलम वेफर बोट एंड पेडस्टल उच्च-शुद्धता वाले क्वार्ट्ज या सिलिकॉन कार्बन सिरेमिक (एसआईसी) सामग्री से बना है, जिसमें उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध, रासायनिक स्थिरता और यांत्रिक शक्ति है, और यह अर्धचालक विनिर्माण प्रक्रिया में एक अपरिहार्य कोर घटक है। अपने आगे के परामर्श का स्वागत करें।
सन्निहित वेफर बोट

सन्निहित वेफर बोट

वेटेक सेमीकंडक्टर सन्निहित वेफर बोट अर्धचालक प्रसंस्करण के लिए एक उन्नत उपकरण है। उत्पाद संरचना को सावधानीपूर्वक तैयार किया गया है ताकि सटीक वैफर्स के कुशल प्रसंस्करण और उत्पादन को सुनिश्चित किया जा सके। Veteksemi अनुकूलित उत्पाद समाधानों का समर्थन करता है और आपके परामर्श के लिए तत्पर है।
एपि समर्थक

एपि समर्थक

ईपीआई सूसप्लेर को मांगने वाले एपिटैक्सियल उपकरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसकी उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) लेपित ग्रेफाइट संरचना में उत्कृष्ट गर्मी प्रतिरोध, लगातार एपिटैक्सियल परत की मोटाई और प्रतिरोध के लिए समान थर्मल एकरूपता और लंबे समय तक चलने वाले रासायनिक प्रतिरोध की पेशकश की जाती है। हम आपके साथ सहयोग करने के लिए तत्पर हैं।
SiC कोटिंग वेफर कैरियर

SiC कोटिंग वेफर कैरियर

एक पेशेवर SiC कोटिंग वेफर कैरियर निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, Vetek सेमीकंडक्टर के SiC कोटिंग वेफर कैरियर का उपयोग मुख्य रूप से एपिटैक्सियल परत की वृद्धि एकरूपता में सुधार करने, उच्च तापमान और संक्षारक वातावरण में उनकी स्थिरता और अखंडता सुनिश्चित करने के लिए किया जाता है।
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