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Sic लेपित वेफर धारक
  • Sic लेपित वेफर धारकSic लेपित वेफर धारक

Sic लेपित वेफर धारक

वेटेक सेमीकंडक्टर एक पेशेवर निर्माता और चीन में एसआईसी कोटेड वेफर धारक उत्पादों के नेता हैं। SIC कोटेड वेफर धारक अर्धचालक प्रसंस्करण में एपिटैक्सी प्रक्रिया के लिए एक वेफर धारक है। यह एक अपूरणीय उपकरण है जो वेफर को स्थिर करता है और एपिटैक्सियल परत की समान वृद्धि सुनिश्चित करता है। अपने आगे के परामर्श का स्वागत करें।

VETEK सेमीकंडक्टर के SIC कोटेड वेफर धारक को आमतौर पर अर्धचालक प्रसंस्करण के दौरान वेफर्स को ठीक करने और समर्थन करने के लिए उपयोग किया जाता है। यह एक उच्च प्रदर्शन हैवफ़र वाहकव्यापक रूप से अर्धचालक विनिर्माण में उपयोग किया जाता है। की सतह पर सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) की एक परत को कोटिंग करकेसब्सट्रेट, उत्पाद प्रभावी रूप से सब्सट्रेट को जंग से रोक सकता है, और प्रसंस्करण प्रक्रिया की स्थिरता और सटीक आवश्यकताओं को सुनिश्चित करते हुए, वेफर वाहक की संक्षारण प्रतिरोध और यांत्रिक शक्ति में सुधार कर सकता है।


Sic लेपित वेफर धारकआमतौर पर अर्धचालक प्रसंस्करण के दौरान वेफर्स को ठीक करने और समर्थन करने के लिए उपयोग किया जाता है। यह एक उच्च-प्रदर्शन वेफर वाहक है जिसका उपयोग अर्धचालक विनिर्माण में व्यापक रूप से किया जाता है। की एक परत को कोटिंग करकेसिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी)सब्सट्रेट की सतह पर, उत्पाद सब्सट्रेट को जंग से प्रभावी ढंग से रोक सकता है, और जंग प्रतिरोध और यांत्रिक शक्ति में सुधार कर सकता हैवेफर वाहक, प्रसंस्करण प्रक्रिया की स्थिरता और सटीक आवश्यकताओं को सुनिश्चित करना।


सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) में लगभग 2,730 डिग्री सेल्सियस का पिघलने का बिंदु होता है और इसमें लगभग 120 - 180 w/m · k की उत्कृष्ट तापीय चालकता होती है। यह संपत्ति जल्दी से उच्च तापमान प्रक्रियाओं में गर्मी को भंग कर सकती है और वेफर और वाहक के बीच ओवरहीटिंग को रोक सकती है। इसलिए, एसआईसी कोटेड वेफर धारक आमतौर पर सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) लेपित ग्रेफाइट को सब्सट्रेट के रूप में उपयोग करता है।


SIC (लगभग 2,500 HV की विकर्स कठोरता) की अत्यधिक उच्च कठोरता के साथ, CVD प्रक्रिया द्वारा जमा सिलिकॉन कार्बाइड (SIC) कोटिंग एक घने और मजबूत सुरक्षात्मक कोटिंग बना सकती है, जो SIC कोटेड वेफर धारक के पहनने के प्रतिरोध में बहुत सुधार करती है।


Vetek सेमीकंडक्टर का SIC कोटेड वेफर धारक SIC कोटेड ग्रेफाइट से बना है और यह आधुनिक अर्धचालक एपिटैक्सी प्रक्रियाओं में एक अपरिहार्य प्रमुख घटक है। यह चतुराई से ग्रेफाइट की उत्कृष्ट तापीय चालकता को जोड़ती है (थर्मल चालकता कमरे के तापमान पर लगभग 100-400 w/m · k है) और यांत्रिक शक्ति, और उत्कृष्ट रासायनिक संक्षारण प्रतिरोध और सिलिकॉन कार्बाइड की थर्मल स्थिरता (SIC का पिघलने बिंदु लगभग 2,730 ° C है), आज के उच्च-स्तरीय अर्ध-निर्माण पर्यावरण की सख्त आवश्यकताओं को पूरा करता है।


यह सिंगल-वेफर डिज़ाइन धारक को सही तरीके से नियंत्रित कर सकता हैउपकला प्रक्रियापैरामीटर, जो उच्च गुणवत्ता वाले, उच्च-प्रदर्शन अर्धचालक उपकरणों का उत्पादन करने में मदद करता है। इसका अनूठा संरचनात्मक डिजाइन यह सुनिश्चित करता है कि वेफर को पूरी प्रक्रिया में सबसे अधिक देखभाल और सटीकता के साथ संभाला जाता है, जिससे एपिटैक्सियल परत की उत्कृष्ट गुणवत्ता सुनिश्चित होती है और अंतिम अर्धचालक उत्पाद के प्रदर्शन में सुधार होता है।


चीन के अग्रणी के रूप मेंसिसक लेपितवेफर धारक निर्माता और नेता, वेटेक सेमीकंडक्टर आपके उपकरण और प्रक्रिया आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित उत्पाद और तकनीकी सेवाएं प्रदान कर सकते हैं।हम ईमानदारी से चीन में आपके दीर्घकालिक भागीदार होने की उम्मीद करते हैं.


CVD SIC फिल्म क्रिस्टल संरचना का SEM डेटा

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
सिसक कोटिंग घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी।
Sic कोटिंग कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500g लोड)
अनाज आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 जे · किग्रा-1· K-1
उच्चता तापमान
2700 ℃
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक
430 GPA 4pt बेंड, 1300 ℃
ऊष्मीय चालकता
300W · एम-1· K-1
थर्मल विस्तार
4.5 × 10-6K-1


वेटेक सेमीकंडक्टर एसआईसी कोटेड वेफर होल्डर प्रोडक्शंस शॉप्स :


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