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टीएसी लेपित गाइड रिंग
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टीएसी लेपित गाइड रिंग

TAC लेपित गाइड रिंग उच्च गुणवत्ता वाले ग्रेफाइट और TAC कोटिंग से बना है। पीवीटी विधि द्वारा एसआईसी क्रिस्टल की तैयारी में, वेटेक सेमीकंडक्टर की टीएसी लेपित गाइड रिंग मुख्य रूप से एयरफ्लो को निर्देशित करने और नियंत्रित करने, एकल क्रिस्टल विकास प्रक्रिया को अनुकूलित करने और एकल क्रिस्टल उपज में सुधार करने के लिए उपयोग की जाती है। उत्कृष्ट टीएसी कोटिंग तकनीक के साथ, हमारे उत्पादों में उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और अच्छे यांत्रिक गुण हैं।


चीन के निर्माता वेटेक सेमीकंडक्टर द्वारा उच्च गुणवत्ता वाले टीएसी लेपित गाइड रिंग की पेशकश की जाती है। TAC लेपित गाइड रिंग खरीदें जो कम कीमत के साथ सीधे उच्च गुणवत्ता का है।


निम्न के अलावासीवीडी टीएसी कोटिंग, हमने पानी-आधारित स्प्रे कोटिंग्स विकसित करने के लिए एक जापानी कंपनी के साथ भी सहयोग किया है, और इस पद्धति की टीएसी कोटिंग तकनीक ने उत्कृष्ट प्रदर्शन का प्रदर्शन किया है, जिसमें 2500 डिग्री सेल्सियस से ऊपर तापमान प्रतिरोध और संक्षारक गैसों का प्रतिरोध शामिल है। कोटिंग की मोटाई को 20, से 200, की सीमा में समायोजित किया जा सकता है, जो लंबी प्रक्रियाओं और उच्च चक्रों के दौरान प्रभावी सुरक्षा सुनिश्चित करता है। विभिन्न आकारों और ज्यामितीय के लेपित घटकों को संभालने में असाधारण लचीलापन। सीवीडी बयान टीएसी के विपरीत, यह विधि पर्यावरण के अनुकूल रहते हुए आंशिक कोटिंग्स और घटकों के नवीनीकरण का समर्थन करती है। अंतर्निहित झरझरा ग्रेफाइट के साथ इंटरलॉक के कारण, हमारे टीएसी कोटिंग्स में उत्कृष्ट यांत्रिक स्थिरता है, जो खरोंच परीक्षणों द्वारा सत्यापित है। कोटिंग संदूषण का कारण नहीं बनती है, और उपचारित sic वेफर सतह संदूषण से मुक्त है।


Veteksemicon TAC लेपित गाइड रिंग प्रदर्शन और सुविधाएँ:

● उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च घनत्व और उच्च कॉम्पैक्टनेस; उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध।

● अशुद्धता सामग्री के साथ उच्च शुद्धता <5ppm।

● उच्च तापमान पर अमोनिया और हाइड्रोजन गैसों के लिए रासायनिक रूप से निष्क्रिय; उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता।


Veteksemicon TAC लेपित गाइड रिंग प्रदर्शन और सुविधाएँ:

● क्रिस्टल ग्रोथ।

● सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल रिएक्टर।

● गैस टरबाइन ब्लेड।

● उच्च तापमान और ऑक्सीकरण-प्रतिरोधी नलिका।


उत्पाद वर्णन:

टीएसी कोटिंगएक अगली पीढ़ी की उच्च तापमान सामग्री है जो SIC की तुलना में बेहतर थर्मल स्थिरता प्रदर्शित करती है। यह एक संक्षारण-प्रतिरोधी, ऑक्सीकरण-प्रतिरोधी, और पहनने के प्रतिरोधी कोटिंग के रूप में कार्य करता है, जो 2000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के वातावरण को समझने में सक्षम है। व्यापक रूप से अल्ट्रा-हाई-तापमान घटकों के लिए एयरोस्पेस में उपयोग किया जाता है, साथ ही साथ तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक एकल क्रिस्टल ग्रोथ और अन्य क्षेत्रों में भी उपयोग किया जाता है।


SiC CRYSTAL GROWTH FURNACE


प्राइवेट मेथड सिस क्रिस्टल ग्रोथ

PVT method SiC Crystal Growth


TAC लेपित गाइड रिंग का उत्पाद पैरामीटर

टैंटलम कार्बाइड कोटिंग के भौतिक गुण
घनत्व 14.3 (जी/सेमी))
विशिष्ट उत्सर्जन 0.3
थर्मल विस्तार गुणांक 6.3 10-6/K
कठोरता (एचके) 2000 एचके
प्रतिरोध 1 × 10-5ओम*सेमी
तापीय स्थिरता <2500 ℃
ग्रेफाइट आकार बदलता है -10 ~ -20UM
कोटिंग मोटाई ≥20um ठेठ मान (35UM ± 10UM)


सेमीकंडक्टर प्रोडक्शन शॉप की तुलना करें :

VeTek Semiconductor Production Shop


सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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