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रासायनिक वाष्प जमाव प्रक्रिया ठोस sic एज अंगूठी

रासायनिक वाष्प जमाव प्रक्रिया ठोस sic एज अंगूठी

वेटेक सेमीकंडक्टर हमेशा उन्नत अर्धचालक सामग्री के अनुसंधान और विकास और निर्माण के लिए प्रतिबद्ध रहा है। आज, वेटेक सेमीकंडक्टर ने रासायनिक वाष्प बयान प्रक्रिया ठोस sic एज रिंग उत्पादों में बहुत प्रगति की है और ग्राहकों को अत्यधिक अनुकूलित ठोस sic एज रिंग्स प्रदान करने में सक्षम है। ठोस sic एज रिंग्स बेहतर नक़्क़ाशी एकरूपता और सटीक वेफर पोजिशनिंग प्रदान करते हैं, जब एक इलेक्ट्रोस्टैटिक चक के साथ उपयोग किया जाता है, जो सुसंगत और विश्वसनीय नक़्क़ाशी परिणाम सुनिश्चित करता है। अपनी जांच के लिए तत्पर हैं और एक-दूसरे के दीर्घकालिक भागीदार बन रहे हैं।

VETEK सेमीकंडक्टर केमिकल वाष्प जमाव प्रोसेस सॉलिड सिस एज रिंग एक अत्याधुनिक समाधान है जिसे विशेष रूप से सूखी ईच प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो बेहतर प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करता है। हम आपको उच्च गुणवत्ता वाले रासायनिक वाष्प बयान प्रक्रिया ठोस sic एज रिंग प्रदान करना चाहते हैं।

आवेदन पत्र:

रासायनिक वाष्प जमाव प्रक्रिया ठोस sic एज रिंग को सूखी Etch अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है ताकि प्रक्रिया नियंत्रण बढ़ाया जा सके और नक़्क़ाशी के परिणामों को अनुकूलित किया जा सके। यह नक़्क़ाशी प्रक्रिया के दौरान प्लाज्मा ऊर्जा को निर्देशित करने और सीमित करने में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, सटीक और समान सामग्री हटाने को सुनिश्चित करता है। हमारी फोकसिंग रिंग सूखी ईच सिस्टम की एक विस्तृत श्रृंखला के साथ संगत है और उद्योगों में विभिन्न नक़्क़ाशी प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त है।


सामग्री तुलना:


सीवीडी प्रक्रिया ठोस sic एज अंगूठी:


● सामग्री: फोकसिंग रिंग ठोस SIC, एक उच्च शुद्धता और उच्च-प्रदर्शन वाली सिरेमिक सामग्री से निर्मित होती है। यह रासायनिक वाष्प बयान द्वारा तैयार किया जाता है। ठोस एसआईसी सामग्री असाधारण स्थायित्व, उच्च तापमान प्रतिरोध और उत्कृष्ट यांत्रिक गुण प्रदान करती है।

●  लाभ: सीवीडी एसआईसी रिंग बकाया थर्मल स्थिरता प्रदान करता है, जो सूखी ईच प्रक्रियाओं में सामना की गई उच्च तापमान स्थितियों के तहत भी इसकी संरचनात्मक अखंडता को बनाए रखता है। इसकी उच्च कठोरता यांत्रिक तनाव और पहनने के लिए प्रतिरोध सुनिश्चित करती है, जिससे विस्तारित सेवा जीवन होता है। इसके अलावा, ठोस एसआईसी रासायनिक जड़ता को प्रदर्शित करता है, इसे जंग से बचाता है और समय के साथ इसके प्रदर्शन को बनाए रखता है।

Chemical Vapor Deposition Process

CVD SIC कोटिंग:


●  सामग्री: CVD SIC कोटिंग रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) तकनीकों का उपयोग करके SIC की एक पतली फिल्म बयान है। कोटिंग को एक सब्सट्रेट सामग्री पर लागू किया जाता है, जैसे कि ग्रेफाइट या सिलिकॉन, सतह को SIC गुण प्रदान करने के लिए।

●  तुलना: जबकि सीवीडी एसआईसी कोटिंग्स कुछ फायदे प्रदान करते हैं, जैसे कि जटिल आकृतियों और ट्यून करने योग्य फिल्म गुणों पर अनुरूप बयान, वे ठोस एसआईसी की मजबूती और प्रदर्शन से मेल नहीं खा सकते हैं। कोटिंग की मोटाई, क्रिस्टलीय संरचना और सतह खुरदरापन सीवीडी प्रक्रिया मापदंडों के आधार पर भिन्न हो सकता है, संभवतः कोटिंग के स्थायित्व और समग्र प्रदर्शन को प्रभावित करता है।


सारांश में, Vetek सेमीकंडक्टर सॉलिड SIC फोकसिंग रिंग सूखी Etch अनुप्रयोगों के लिए एक असाधारण विकल्प है। इसकी ठोस एसआईसी सामग्री उच्च तापमान प्रतिरोध, उत्कृष्ट कठोरता और रासायनिक जड़ता सुनिश्चित करती है, जिससे यह एक विश्वसनीय और लंबे समय तक चलने वाला समाधान बन जाता है। जबकि CVD SIC कोटिंग बयान में लचीलापन प्रदान करता है, CVD SIC रिंग रिंग एक्सेल प्रदान करता है, जो सूखी Etch प्रक्रियाओं की मांग के लिए आवश्यक रूप से स्थायित्व और प्रदर्शन प्रदान करता है।


ठोस sic के भौतिक गुण


ठोस sic के भौतिक गुण
घनत्व 3.21 जी/सेमी3
बिजली प्रतिरोधकता 102 Ω/सेमी
आनमनी सार्मथ्य 590 एमपीए (6000kgf/सेमी2)
यंग का मापांक 450 जीपीए (6000kgf/मिमी2)
विकर्स कठोरता 26 जीपीए (2650kgf/मिमी2)
C.T.E. (RT-1000 ℃) 4.0 X10-6/K
थर्मल चालकता 250 डब्ल्यू/एमके


वेटेक सेमीकंडक्टर सीवीडी प्रोसेस सॉलिड सिस एज रिंग प्रोडक्शन शॉप

CVD Process Solid SiC Ring Production Shop


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