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Cvd sic शावर सिर
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Cvd sic शावर सिर

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में एक प्रमुख सीवीडी एसआईसी शॉवर हेड निर्माता और इनोवेटर है। हम कई वर्षों से एसआईसी सामग्री में विशिष्ट हैं। सीवीडी एसआईसी शॉवर हेड को अपनी उत्कृष्ट थर्मोकेमिकल स्थिरता, उच्च यांत्रिक शक्ति और प्लाज्मा कटाव के लिए प्रतिरोध के कारण एक फोकस रिंग सामग्री के रूप में चुना जाता है। हम चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए तत्पर हैं।

आप हमारे कारखाने से CVD SIC शावर हेड खरीदने का आश्वासन दे सकते हैं। Vetek सेमीकंडक्टर cvd sic शावर हेड से बनाया गया हैठोस सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी)उन्नत रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) तकनीकों का उपयोग करना। SIC को अपनी असाधारण तापीय चालकता, रासायनिक प्रतिरोध और यांत्रिक शक्ति के लिए चुना जाता है, जो CVD SIC शॉवर हेड जैसे बड़ी-मात्रा SIC घटकों के लिए आदर्श है।

CVD SiC Shower Head

उत्पाद प्रदर्शन और लाभ:

अर्धचालक विनिर्माण के लिए डिज़ाइन किया गया, सीवीडी एसआईसी शॉवर हेड उच्च तापमान और प्लाज्मा प्रसंस्करण का सामना करता है। इसकी सटीक गैस प्रवाह नियंत्रण और बेहतर सामग्री गुण स्थिर प्रक्रियाओं और दीर्घकालिक विश्वसनीयता को सुनिश्चित करते हैं। सीवीडी एसआईसी का उपयोग थर्मल प्रबंधन और रासायनिक स्थिरता को बढ़ाता है, जो अर्धचालक उत्पाद की गुणवत्ता और प्रदर्शन में सुधार करता है।


ग्राहक की जरूरतों को पूरा करना:

CVD SIC शॉवर हेड बढ़ता हैउपकला वृद्धिप्रक्रिया गैसों को समान रूप से वितरित करके और चैम्बर को संदूषण से बचाने से दक्षता। यह प्रभावी रूप से सेमीकंडक्टर विनिर्माण चुनौतियों जैसे तापमान नियंत्रण, रासायनिक स्थिरता और प्रक्रिया स्थिरता को हल करता है, ग्राहकों को विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है।


आवेदन परिदृश्य:

MOCVD सिस्टम में उपयोग किया जाता है,सी एपिटैक्सी, औरसिसक एपिटैक्सी, CVD SIC शावर हेड उच्च गुणवत्ता वाले अर्धचालक डिवाइस उत्पादन का समर्थन करता है। इसकी महत्वपूर्ण भूमिका उच्च-प्रदर्शन और भरोसेमंद उत्पादों के लिए विविध ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा करते हुए, सटीक प्रक्रिया नियंत्रण और स्थिरता सुनिश्चित करती है।


CVD SIC शावर हेड का उत्पाद पैरामीटर:

के भौतिक गुणठोस सिस
घनत्व 3.21 जी/सेमी3
बिजली प्रतिरोधकता 102 Ω/सेमी
आनमनी सार्मथ्य 590 एमपीए (6000kgf/सेमी2)
यंग का मापांक 450 जीपीए (6000kgf/मिमी2)
विकर्स कठोरता 26 जीपीए (2650kgf/मिमी2)
C.T.E. (RT-1000 ℃) 4.0 X10-6/K
थर्मल चालकता 250 डब्ल्यू/एमके


यह अर्धचालक Cvd sic शावर सिरउत्पादन -दुकान

SiC Graphite substrateSiC Shower Head testSilicon carbide ceramic processAixtron equipment



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