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सॉलिड SiC गैस शावर हेड

सॉलिड SiC गैस शावर हेड

सॉलिड SiC गैस शावर हेड सीवीडी प्रक्रिया में गैस को एक समान बनाने में प्रमुख भूमिका निभाता है, जिससे सब्सट्रेट का एक समान ताप सुनिश्चित होता है। वीटेक सेमीकंडक्टर कई वर्षों से ठोस SiC उपकरणों के क्षेत्र में गहराई से शामिल है और ग्राहकों को अनुकूलित सॉलिड SiC गैस शावर हेड प्रदान करने में सक्षम है। इससे कोई फर्क नहीं पड़ता कि आपकी आवश्यकताएं क्या हैं, हम आपकी पूछताछ के लिए तत्पर हैं।

ठोस sic गैस शावर सिर


वीटेक सेमीकंडक्टर एक एकीकृत कंपनी है जो अनुसंधान, उत्पादन और बिक्री के लिए समर्पित है। VeTek सेमीकंडक्टर कई वर्षों से सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी, नक़्क़ाशी और अन्य प्रक्रिया-संबंधित उत्पादों पर काम कर रहा है, विशेष रूप से CVD SiC कोटिंग, CVD TaC कोटिंग और CVD सॉलिड SiC हमारे प्रमुख उत्पाद हैं।


वेटेक सेमीकंडक्टर सॉलिड एसआईसी गैस शॉवर हेड आमतौर पर अर्धचालक सीवीडी प्रक्रियाओं के दौरान सब्सट्रेट सतह पर अग्रदूत गैसों को समान रूप से वितरित करने के लिए उपयोग किया जाता है। शॉवर हेड के लिए सीवीडी-एसआईसी सामग्री का उपयोग करना कई फायदे प्रदान करता है। इसकी उच्च तापीय चालकता सीवीडी प्रक्रिया में उत्पन्न गर्मी को फैलाने में मदद करती है, जो सब्सट्रेट पर समान तापमान वितरण सुनिश्चित करती है। इसके अतिरिक्त, सीवीडी एसआईसी शॉवर हेड की रासायनिक स्थिरता इसे संक्षारक गैसों और कठोर वातावरणों का सामना करने में सक्षम बनाती है जो आमतौर पर सीवीडी प्रक्रियाओं में सामना करती है। 


सीवीडी सीआईसी शावर हेड का डिज़ाइन विशिष्ट सीवीडी सिस्टम और प्रक्रिया आवश्यकताओं के अनुरूप बनाया जा सकता है। हालाँकि, उनमें आमतौर पर एक प्लेट या डिस्क के आकार का घटक होता है जिसमें सटीक-ड्रिल किए गए छेद या स्लॉट की एक श्रृंखला होती है। सब्सट्रेट सतह पर समान गैस वितरण और प्रवाह वेग सुनिश्चित करने के लिए छेद पैटर्न और ज्यामिति को सावधानीपूर्वक डिजाइन किया गया है।


ठोस sic के भौतिक गुण


ठोस SiC के भौतिक गुण
घनत्व 3.21 जी/सेमी3
विद्युत प्रतिरोधकता 102 Ω/सेमी
आनमनी सार्मथ्य 590 एमपीए (6000 किग्रा/सेमी2)
यंग का मापांक 450 जीपीए (6000 किग्रा/मिमी2)
विकर्स कठोरता 26 जीपीए (2650kgf/मिमी2)
सी.टी.ई.(आरटी-1000℃) 4.0 X10-6/के
थर्मल चालकता 250 डब्ल्यू/एमके



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